【基于8M 512Mbit的移动SDR SDRAM的X 4Bank x16I / O对特定网络阳离子5】,IC型号H55S5162DFR-75M,H55S5162DFR-75M PDF资料,H55S5162DFR-75M经销商,ic,电子元器件-51电子网

基于8M 512Mbit的移动SDR SDRAM的X 4Bank x16I / O

对特定网络阳离子

512MB （ 32Mx16bit ）移动SDRAM

存储单元阵列

- 组织为8,388,608 X16 4banks

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

修订版1.5 / 2009年2月

512Mbit的（ 32Mx16bit ）移动SDR记忆

H55S5162DFR系列

文档标题

4Bank X 8M X 16位同步DRAM

修订历史

版本号

0.1

0.2

1.0

最初的草案

更新： IDD值

最终版

校正突发的说明终止

纠正每一个命令的CKE状态

纠正PKG大小（采用8mm x 10mm至采用8mm x 8毫米）

删除扩展温度产品

兆赫/ 133Mhz的： 42ns /为45nS ）

兆赫[为12ns -> 9.6ns ] ）

历史

草案日期

2007年9月

2008年3月

2008年4月

备注

初步

1.1

2008年5月

1.4

1.5

改变球的高度（第54页）

地址： AC冲/过冲规范

修订版1.5 / 2009年2月

661

1.3

修改： TCK （ CL = 2 ，

661

1.2

修改： tRAS的（

2008年6月

2009年1月

2009年2月

512Mbit的（ 32Mx16bit ）移动SDR记忆

H55S5162DFR系列

描述

海力士H55S5162DFR适合于它们使用的电池，如掌上电脑， 2.5G和3G蜂窝非PC应用程序

手机与互联网连接和多媒体功能，迷你笔记本电脑，手持式个人电脑。

海力士512M移动SDRAM是536,870,912位的CMOS移动同步DRAM （移动SDR ），非常适用于

主存储器的应用程序，需要大的存储密度和高带宽。它是作为对4banks

8,388,608x16.

移动SDRAM是工作于同步地输入时钟类型的DRAM 。海力士移动SDRAM锁

与同步于一个基本的输入时钟（CLK）和输入的上升沿每个控制信号/输出数据

输入时钟（CLK）。的地址线上的复用x16的输入复用的数据输入/输出信号/

输出总线。所有的命令被锁存同步于CLK的上升沿。

移动SDRAM芯片提供了可编程的读出或写入可编程的突发长度突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8

位置或整页。一种自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电该已以启动

tiated处的突发存取的结束。的移动SDRAM采用内部流水线结构来实现高速

操作。此架构是与兼容

预取架构的规则，但它也允许列

地址可以在每个时钟周期改变，实现了高速的，完全的随机访问。预充电，而一家银行

访问其他三家银行之一，将隐藏预充电周期，并提供无缝，高速，随机

访问操作。

读取和写入访问的海力士移动SDRAM的是突发式;

存取开始在一个选定的位置，并继续为在一个编程的顺序位置的设定数量。

访问开始以积极的命令，然后接着读或写命令的登记。

注册与激活指令的地址位用来选择银行，该行是

访问。注册暗合了读或写命令的地址位用来选择银行，

起始列位置的突发访问。突发读取或写入正在进行周期可以由被终止

突发终止命令，或者可以通过一个新的突发读取中断，更换或写命令在任何

周期（此流水线设计并不仅限于由

规则）。

海力士移动SDR还提供了特殊的可编程选项，包括全系列的部分阵列自刷新，

半阵， 45或85度的四分之一阵列温度补偿自刷新

海力士移动SDR具有自动TCSR （温度补偿自刷新），以特殊的低功耗功能

降低自刷新电流消耗。由于内部温度传感器被植入，它使得能够自动

根据温度，无需外部EMRS命令调整刷新率。

深度掉电模式是一种额外的工作模式的移动SDR 。这种模式可以实现最大功率

还原除去功率给每个移动SDR中的存储器阵列。通过使用此功能，该系统可切

关的几乎所有的DRAM电源不添加一个电源开关的成本，并放弃母板上电源线布置

灵活性。

所有的输入都是LV- CMOS兼容。设备将有一个V

和V

DDQ

1.8V的电源（标称值）。

修订版1.5 / 2009年2月

512Mbit的（ 32Mx16bit ）移动SDR记忆

H55S5162DFR系列

对于海力士信息已知良好芯片

与多芯片封装上封装（PoP ）的封装（SiP）应用的出现（媒体通信处理器），封装和系统，

客户对已知合格芯片（ KGD ）的需求有所增加。

对于较小的外形和更高的存储密度要求的推动，需要晶圆级存储解决方案

系统蒸发散，由于其优异的柔韧性。海力士已知合格芯片（ KGD ）的产品可在包装技术的使用

如系统功能于一个封装（ SIP）的和多芯片封装（MCP ），以减少所需的电路板面积，这使得它们

适用于手持式计算机，和许多其它便携式数字应用。

海力士移动DRAM将能继续不断使所有应用程序的高级封装产品的努力

阳离子的客户。

- 请联系海力士办公室海力士KGD产品的可用性和信息。

修订版1.5 / 2009年2月

512Mbit的（ 32Mx16bit ）移动SDR记忆

H55S5162DFR系列

特点

标准SDRAM协议

时钟同步操作

- 所有命令的基本输入时钟的上升沿注册（ CLK ）

多银行操作 - 内部4bank操作

- 在突发读写操作，突发读取或写入一个不同的银行进行。

- 在突发读写操作，不同的银行被激活，突发读取或写入

该银行执行

- 在自动预充电突发读取或写入，突发读取或写入一个不同的银行进行

电源电压： VDD = 1.8V ， VDDQ = 1.8V

LVCMOS兼容的I / O接口

低电压接口，以减少I / O电源

可编程的突发长度：1， 2 ，4，8或整页

可编程突发类型：顺序或交织

3个或2个可编程的CAS延迟

可编程驱动强度

低功耗特性

- 可编程PASR （部分阵列自刷新）

- 自动TCSR （温度补偿自刷新）

- 可编程的DS （驱动力）

- 深度掉电模式

工作温度

- 手机温度： -30

~ 85

封装类型： 54ball FBGA ， 0.8mm间距， 8 ×8 [毫米

] ，T = 1.0毫米最大，铅&无卤

修订版1.5 / 2009年2月

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512M SDRAM订购信息

产品型号

H55S5162DFR-60M

H55S5162DFR-75M

H55S5162DFR-A3M

时钟

频率

166MHz

133MHz

105MHz

手机温度。

-30

~ 85

4banks X的8Mb ×16

LVCMOS

铅&

卤素

免费

温度

CAS

潜伏期

组织

接口

54Ball

FBGA