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基于16M X 4Bank x16I / O 1Gbit的移动SDR SDRAM的
对特定网络阳离子
1GB （ 64Mx16bit ）移动SDRAM
存储单元阵列
- 组织为16,777,216 X16 4banks
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
修订版1.2 / 2008年7月
1
1千兆位（ 64Mx16bit ）移动SDR记忆
H55S1G62MFP系列
文档标题
4Bank X 16M X 16bit的同步DRAM
11
修订历史
版本号
0.1
0.2
1.0
1.1
1.2
最初的草案
修改： IDD5 ：100mA在--> 120毫安
IDD6 （ @ 45
o
C,
全行） ： 450uA -->电流降至500uA
最终版
修改： tRAS的（为166MHz / 133Mhz的： 42ns /为45nS ）
修改一些时序图
历史
草案日期
2007年9月
2008年1月
2008年3月
2008年6月
2008年7月
备注
初步
初步
修订版1.2 / 2008年7月
2
1千兆位（ 64Mx16bit ）移动SDR记忆
H55S1G62MFP系列
描述
海力士H55S1G62MFP系列适合于它们使用的电池，如掌上电脑， 2.5G和3G的非PC应用程序
手机与互联网连接和多媒体功能，迷你笔记本，掌上电脑。
海力士1G移动SDRAM的1,073,741,824位CMOS移动同步DRAM （移动SDR ） ，非常适用于
主存储器的应用程序，需要大的存储密度和高带宽。它是作为对4banks
16,777,216x16.
移动SDRAM是工作于同步地输入时钟类型的DRAM 。海力士移动SDRAM锁
与同步于一个基本的输入时钟（CLK）和输入的上升沿每个控制信号/输出数据
输入时钟（CLK） 。的地址线上的复用x16的输入复用的数据输入/输出信号/
输出总线。所有的命令被锁存同步于CLK的上升沿。
移动SDRAM芯片提供了可编程的读出或写入可编程的突发长度突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8
位置或整页。一种自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电该已以启动
tiated处的突发存取的结束。的移动SDRAM采用内部流水线结构来实现高速
操作。此架构是compartible与
2n
预取架构的规则，但它也允许列
地址可以在每个时钟周期改变，实现了高速的，完全的随机访问。预充电，而一家银行
访问其他三个银行之一将隐藏预充电周期，并提供无缝的，高速的， randon-
访问操作。
读取和写入访问的海力士移动SDRAM的是突发式;
存取开始在一个选定的位置，并继续为在一个编程的顺序位置的设定数量。
访问开始以积极的命令，然后接着读或写命令的登记。
注册与激活指令的地址位用来选择银行，该行是
访问。注册暗合了读或写命令的地址位用来选择银行，
起始列位置的突发访问。突发读取或写入正在进行周期可以由被终止
突发终止命令，或者可以通过一个新的突发读取中断，更换或写命令在任何
周期（此流水线设计并不仅限于由
2N
规则）。
海力士移动SDR还提供了特殊的可编程选项，包括全系列的部分阵列自刷新，
半阵， 45或85度的四分之一阵列温度补偿自刷新
o
C.
海力士移动SDR具有自动TCSR （温度补偿自刷新） ，以特殊的低功耗功能
降低自刷新电流消耗。由于内部温度传感器被植入，它使得能够自动
根据温度，无需外部EMRS命令调整刷新率。
深度掉电模式是一种额外的工作模式的移动SDR 。这种模式可以实现最大功率
还原除去功率给每个移动SDR中的存储器阵列。通过使用此功能，该系统可切
关闭alomost所有的DRAM电源无需添加电源开关的成本，放弃母板上电源线布局
灵活性。
所有的输入都是LV- CMOS兼容。设备将有一个V
DD
和V
DDQ
1.8V的电源（标称值） 。
11
修订版1.2 / 2008年7月
3
1千兆位（ 64Mx16bit ）移动SDR记忆
H55S1G62MFP系列
对于海力士信息已知良好芯片
随着Mullti芯片封装上封装（PoP ）的封装（SiP）应用的出现（媒体通信处理器） ，封装和系统，
客户对已知合格芯片（ KGD ）的需求有所增加。
对于较小的外形和更高的存储密度要求的推动，需要晶圆级存储解决方案
系统蒸发散，由于其优异的柔韧性。海力士已知合格芯片（ KGD ）的产品可在包装技术的使用
如系统功能于一个封装（ SIP）的和多芯片封装（MCP ），以减少所需的电路板面积，这使得它们
非常适用于手持式电脑，以及许多其他便携式数字应用。
海力士移动DRAM就能containue使所有应用程序的高级封装产品的不断努力，
阳离子的客户。
- 请联系海力士办公室海力士KGD产品的可用性和信息。
11
修订版1.2 / 2008年7月
4
1千兆位（ 64Mx16bit ）移动SDR记忆
H55S1G62MFP系列
特点
●
●
●
标准SDRAM协议
时钟同步操作
- 所有命令的基本输入时钟的上升沿注册（ CLK ）
多银行操作 - 内部4bank操作
- 在突发读写操作，突发读取或写入一个不同的银行进行。
- 在突发读写操作，不同的银行被激活，突发读取或写入
该银行执行
- 在自动预充电突发读取或写入，突发读取或写入一个不同的银行进行
●
●
●
●
●
●
●
●
电源电压： VDD = 1.8V ， VDDQ = 1.8V
LVCMOS兼容的I / O接口
低电压接口，以减少I / O电源
可编程的突发长度：1， 2 ，4，8或整页
可编程突发类型：顺序或交织
的2个或3个可编程的CAS等待时间
可编程驱动强度
低功耗特性
- 可编程PASR （部分阵列自刷新）
- 自动TCSR （温度补偿自刷新）
- 可编程的DS （驱动力）
- 深度掉电模式
●
●
工作温度
- -30
o
C
~ 85
o
C
包
- 54球无铅FBGA
11
1GB SDRAM订购信息
产品型号
H55S1G62MFP-60
H55S1G62MFP-75
H55S1G62MFP-A3
时钟频率
166MHz
133MHz
105MHz
CAS
潜伏期
3
3
3
4banks X 16Mb的×16
LVCMOS
54球FBGA
组织
接口
包
修订版1.2 / 2008年7月
5
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