HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： MOS200520
发行日期： 2005年12月1日
修订日期：二〇〇五年十二月一十六日
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H50N03U
N沟道增强型MOSFET （ 25V ， 50A ）
H50N03U引脚分配
TAB
3
2
1
3引脚塑封
TO-263
封装代码：U
引脚1 ：门
2脚&标签：排水
引脚3 ：源
特点
R
DS （ ON）
=11m@V
GS
= 10V ，我
D
=30A
R
DS （ ON）
=18m@V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
专为DC / DC转换器和电机驱动器
充分界定雪崩电压和电流
改进直通FOM
D
G
S
内部原理
图
最大额定值&热特性
(T
A
=25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
*1
最大功率耗散@ T
C
=25
o
C
工作结存储温度范围
雪崩能量单脉冲
I
D
= 35A ，V
DD
= 20V ，L = 0.14mH
结到外壳热阻
结至环境热阻（ PCB安装）
*2
* 1：最大直流电流受限于封装。
* 2： 1中
2
2盎司铜PCB板
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
E
AS
R
θJC
R
θJA
价值
25
±20
50
200
70
-55到150
300
2.1
55
单位
V
V
A
A
W
o
C
mJ
O
O
C / W
C / W
开关
测试电路
V
DD
开关
波形
吨
TD （上）
花花公子
TR TD （关闭）
90%
tf
90 %
V
IN
V
根
R
G
G
D
V
OUT
输出，V
OUT
10%
10%
倒
90%
50%
50%
S
输入，V
IN
10%
脉冲宽度
H50N03U
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO- 263外形尺寸
标记：
A
a1
G
C
D
r1
1
H
2
3
F
P
Q
E
R
r2
I
K
2-r2
a2
J
K
a2
a3
S
O
E
N
r2
F
B
a2
DP
3-r2
L
M
X
Y
2Xr3
W
D
T
U
V
规格。编号： MOS200520
发行日期： 2005年12月1日
修订日期：二〇〇五年十二月一十六日
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无铅标志
无铅： "
.
＆ QUOT ;
（注）
H
普通：无
U
5 0N0 3
日期代码
控制代码
注：绿色标签用于无铅封装
插针形式： 1.Gate 2.Drain 3.Source
材质：
铅焊料镀层：近共晶Sn60 / Pb40软（普通）
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡（无铅）
模具化合物：环氧树脂系列，
易燃固体燃烧等级： UL94V- 0
T
3引脚TO- 263塑料
表面贴装封装
HSMC包装代码：U
（ ） ：参考尺寸，单位：mm
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
分钟。
9.70
1.00
-
9.00
4.70
15.00
-
1.20
1.17
0.70
2.34
马克斯。
10.10
1.40
(4.60)
9.40
5.10
15.60
(0.40)
1.60
1.37
0.90
2.74
暗淡
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
马克斯。
4.30
1.25
-0.05
2.20
1.90
-
2.24
0.45
9.80
-
-
马克斯。
4.70
1.40
0.25
2.60
2.10
(0.75)
2.84
0.60
10.20
(7.00)
(4.00)
暗淡
W
X
Y
a1
a2
a3
r1
r2
r3
DP
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
(7.20)
(0.40)
(0.90)
(15
o
)
(3
o
)
0
o
~3
o
(φ1.50)
0.30
(0.45)
(0.20)
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品，恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
总公司
（高诚微电子公司） ： 10F ，没有。 61 ，秒。 2 ，中山北路。台北台湾中华民国
联系电话： 886-2-25212056传真： 886-2-25632712 ， 25368454
工厂1 ：
38号，光复南路，福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话： 886-3-5983621 5传真： 886-3-5982931
H50N03U
HSMC产品规格
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