特点
128位内存阵列激光可编程
位持续时间：射频场32期
编码符合ISO FDX -B位
芯片resonnance电容
在芯片供应缓冲电容器
宽动态范围
片上电压限制器
全波整流器
大调制深度
工作频率为100 - 150千赫
非常小的芯片尺寸便于植入
非常低的功耗
EM微电子- MARIN SA
H4005
ISO 11'784 / 11'785柔顺READ ONLY
非接触式识别装置
典型工作配置
线圈2
L
H4005
线圈1
描述
在H4005是CMOS集成电路intented用于
电子只读射频转发器。该电路是
本站由放置在电磁外部线圈
场，并通过了一个得到它的主时钟来自同一领域
线圈端子。另一线圈端受
调制器。通过接通和关断调制电流，该
芯片将发回的信息包含在一个128位
工厂预编程的存储器阵列。
芯片的编程是通过激光熔接进行
为了存储一个唯一的代码在每个芯片上的多晶硅链接。
由于该逻辑核心的低功耗，无
供应缓冲电容是必需的。只有一个外部线圈是
根据需要，得到的芯片功能。并联谐振
75 pF的电容也集成。
图。 1
引脚分配
COIL2
H4005
COIL1
VSS
VDD
应用
动物植入式应答器
动物耳标
工业转发
线圈1
线圈2
线圈端子/时钟输入
线圈端子
图。 2
1
电气特性
V
DD
= 1.5 V
V
SS
= 0 V F
COIL
= 134 kHz正弦波
T
op
= 25°C
V
C1
= 1.0 V与在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
- 1 V
参数
电源电压
电源电流
EM微电子- MARIN SA
符号
V
DD
I
DD
H4005
分钟。
1.5
除非另有说明
测试条件
典型值。
MAX 。单位
1)
V
A
V
1.5
1.5
0.9
2.1
2.1
1.3
3.0
3.0
整流电源电压
C2垫调制器开
电压降
C1垫调制器开
电压降
Coil1 - Coil2电容
电源电容器
V
DD
V
ONC2
V
C2
-V
C1
= 2.8 VDC
调制器开关= "ON"
与参考。到V
DD
与参考。到V
DD
与参考。到V
DD
V
DD
= 1.5V我
VDDC2
= 100 A
V
DD
= 5.0V我
VDDC2
= 1毫安
V
DD
= 5.0V我
VDDC1
= 1毫安
V
V
V
V
ONC1
C
水库
C
SUP
V
COIL
= 100毫伏有效值
F = 10千赫
75
2)
150
pF
pF
表3
1)
的最大电压被强迫10毫安C1上定义 - C2
2)
该toleranceof谐振电容器是在整个生产±15％。在晶片的基础和对过程的统计数据，公差为± 2％
时序特性
V
DD
= 1.5 V
V
SS
= 0 V F
COIL
= 134 kHz正弦波
T
op
= 25°C
V
C1
= 1.0 V与在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
- 1 V
除非另有说明
定时被来自于场频和被指定为数字射频周期。
参数
阅读位周期
符号
t
RDB
测试条件
价值
32
单位
RF期
表4
时序波形
牛逼OC
32架T OC
图。 4
COIL1
串行数据输出
n位
位n + 1
位n + 2
二进制数据
0
1
1
0
1
0
0
1
内存输出
调制器的输出
3
框图
COIL1
EM微电子- MARIN SA
时钟
EXTRACTOR
VDD
AC1
全波
整流器器
CRES
AC2
CSUP
SEQUENCER
VSS
H4005
逻辑
时钟
内存
ARRAY
COIL2
数据
调制器
串行
数据输出
数据
编码器
调制
控制
图。 4
功能说明
一般
在H4005是通过电磁场的装置提供
感应所连接的线圈上。交流电压进行整流以
以提供一个直流内部电源电压。当直流电压
充足的芯片不断地发送数据。当最后一位是
发送时，芯片将继续与第一位直至电量耗尽
关。
全波整流器
AC输入由一个事件引起的外部线圈
磁场由一个格雷茨桥式整流。这座桥将限制
内部的直流电压，以避免故障的强磁场。
时钟提取
一个线圈端子（ COIL1 ）用于产生主
时钟的逻辑功能。的时钟提取器的输出
驱动器的音序器。
SEQUENCER
定序器提供了所有必需的信号处理的
存储器阵列和串行数据进行编码的。的数据速率是
设置为每比特32个时钟周期。
数据编码器
该数据是根据FDX -B的方式编码。在
开始每一位的，会发生转变。逻辑位"1"会
保持其状态对于整个位持续时间和逻辑位"0"意志
表明在比特持续时间（参照图4）的中间的过渡。
的FDX -B的允许多达8个时钟周期中的接通到一个预先
关闭过渡。由于它的功耗低，不存在
实施时为H4005的性能差异
提前转型。设置在没有时钟提前
标准版本。
数据调制器
该数据调制器由信号调制控
控制，以诱导对COIL2终端的高电流
当此信号是在逻辑"0".这会影响磁场
根据存储在存储器阵列中的数据。
内存
存储器包含128位激光编程过程中
根据代码的客户名单制造。该位
在以控制调制器连续读取。 128位
输出序列不断重复，直到电源关闭。
存储器映射
128位模式ISO 11785
派位第1
1
11 12
Identi科幻阳离子码
64 + 8位
83 84
101 102
CRC
16 + 2位
延期
24 +3位
128
标题
11位
国家代码
国家
版权所有
64发送第一
27 26
17 16 15
2 1
64位图形识别代码ISO 11784
图。五
4
存储结构
是128位的结构，如下所示：
该
标题
首先被发送，并且用于识别该序列的开始。它是由11位具有一个位模式是
唯一的数据流中。
00000000001
首标后面是
Identi科幻阳离子码
它是由组织中的8位8块64比特。的每个块
8位由控制位设置为逻辑"1" ，以防止该头被再现的数据落后。 64位首先发送。
位1是一个标志，用于动物"1"或非动物"0"应用。
位2-15是一个保留的代码以供将来使用。
位16是一个标志，用于附加数据块"1"或没有额外的数据块"0" 。
17-26位ISO 3166的数字国家代码
位27-64国家识别码
接下来的两个8位块包含
16 CRC- CCITT
错误检测位。 LSB首先发送，以及2块都落后
与用二进制"1" 。
用8位3块的数据流落后与代表逻辑"1"
扩展位。
扩充位是
计划在将来的扩展，其中用于从传感器或尾随页数内容实例的信息可以被存储。在
当前版本的标准编码会
000000001 000000001 000000001
和标志位的识别码16
"0".
谐振电容器
共振电容器被集成，并且其值通常为75 pF的。
EM微电子- MARIN SA
H4005
典型的电容变化
与温度的关系
铬公差[ ％ ]
100.3
100.2
100.1
100.0
99.9
99.8
99.7
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
100.7
温度[° C]
图。 6
PAD说明
PAD
1
2
3
4
名字
COIL2
COIL1
VDD
VSS
功能
线圈端子2 /输出数据
线圈端子1 /时钟输入
正内部电源电压
内部负电源电压
1
4
2
3
表5
5
特点
128位内存阵列激光可编程
位持续时间：射频场32期
编码符合ISO FDX -B位
芯片resonnance电容
在芯片供应缓冲电容器
宽动态范围
片上电压限制器
全波整流器
大调制深度
工作频率为100 - 150千赫
非常小的芯片尺寸便于植入
非常低的功耗
EM微电子- MARIN SA
H4005
ISO 11'784 / 11'785柔顺READ ONLY
非接触式识别装置
典型工作配置
线圈2
L
H4005
线圈1
描述
在H4005是CMOS集成电路intented用于
电子只读射频转发器。该电路是
本站由放置在电磁外部线圈
场，并通过了一个得到它的主时钟来自同一领域
线圈端子。另一线圈端受
调制器。通过接通和关断调制电流，该
芯片将发回的信息包含在一个128位
工厂预编程的存储器阵列。
芯片的编程是通过激光熔接进行
为了存储一个唯一的代码在每个芯片上的多晶硅链接。
由于该逻辑核心的低功耗，无
供应缓冲电容是必需的。只有一个外部线圈是
根据需要，得到的芯片功能。并联谐振
75 pF的电容也集成。
图。 1
引脚分配
COIL2
H4005
COIL1
VSS
VDD
应用
动物植入式应答器
动物耳标
工业转发
线圈1
线圈2
线圈端子/时钟输入
线圈端子
图。 2
1
电气特性
V
DD
= 1.5 V
V
SS
= 0 V F
COIL
= 134 kHz正弦波
T
op
= 25°C
V
C1
= 1.0 V与在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
- 1 V
参数
电源电压
电源电流
EM微电子- MARIN SA
符号
V
DD
I
DD
H4005
分钟。
1.5
除非另有说明
测试条件
典型值。
MAX 。单位
1)
V
A
V
1.5
1.5
0.9
2.1
2.1
1.3
3.0
3.0
整流电源电压
C2垫调制器开
电压降
C1垫调制器开
电压降
Coil1 - Coil2电容
电源电容器
V
DD
V
ONC2
V
C2
-V
C1
= 2.8 VDC
调制器开关= "ON"
与参考。到V
DD
与参考。到V
DD
与参考。到V
DD
V
DD
= 1.5V我
VDDC2
= 100 A
V
DD
= 5.0V我
VDDC2
= 1毫安
V
DD
= 5.0V我
VDDC1
= 1毫安
V
V
V
V
ONC1
C
水库
C
SUP
V
COIL
= 100毫伏有效值
F = 10千赫
75
2)
150
pF
pF
表3
1)
的最大电压被强迫10毫安C1上定义 - C2
2)
该toleranceof谐振电容器是在整个生产±15％。在晶片的基础和对过程的统计数据，公差为± 2％
时序特性
V
DD
= 1.5 V
V
SS
= 0 V F
COIL
= 134 kHz正弦波
T
op
= 25°C
V
C1
= 1.0 V与在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
- 1 V
除非另有说明
定时被来自于场频和被指定为数字射频周期。
参数
阅读位周期
符号
t
RDB
测试条件
价值
32
单位
RF期
表4
时序波形
牛逼OC
32架T OC
图。 4
COIL1
串行数据输出
n位
位n + 1
位n + 2
二进制数据
0
1
1
0
1
0
0
1
内存输出
调制器的输出
3
框图
COIL1
EM微电子- MARIN SA
时钟
EXTRACTOR
VDD
AC1
全波
整流器器
CRES
AC2
CSUP
SEQUENCER
VSS
H4005
逻辑
时钟
内存
ARRAY
COIL2
数据
调制器
串行
数据输出
数据
编码器
调制
控制
图。 4
功能说明
一般
在H4005是通过电磁场的装置提供
感应所连接的线圈上。交流电压进行整流以
以提供一个直流内部电源电压。当直流电压
充足的芯片不断地发送数据。当最后一位是
发送时，芯片将继续与第一位直至电量耗尽
关。
全波整流器
AC输入由一个事件引起的外部线圈
磁场由一个格雷茨桥式整流。这座桥将限制
内部的直流电压，以避免故障的强磁场。
时钟提取
一个线圈端子（ COIL1 ）用于产生主
时钟的逻辑功能。的时钟提取器的输出
驱动器的音序器。
SEQUENCER
定序器提供了所有必需的信号处理的
存储器阵列和串行数据进行编码的。的数据速率是
设置为每比特32个时钟周期。
数据编码器
该数据是根据FDX -B的方式编码。在
开始每一位的，会发生转变。逻辑位"1"会
保持其状态对于整个位持续时间和逻辑位"0"意志
表明在比特持续时间（参照图4）的中间的过渡。
的FDX -B的允许多达8个时钟周期中的接通到一个预先
关闭过渡。由于它的功耗低，不存在
实施时为H4005的性能差异
提前转型。设置在没有时钟提前
标准版本。
数据调制器
该数据调制器由信号调制控
控制，以诱导对COIL2终端的高电流
当此信号是在逻辑"0".这会影响磁场
根据存储在存储器阵列中的数据。
内存
存储器包含128位激光编程过程中
根据代码的客户名单制造。该位
在以控制调制器连续读取。 128位
输出序列不断重复，直到电源关闭。
存储器映射
128位模式ISO 11785
派位第1
1
11 12
Identi科幻阳离子码
64 + 8位
83 84
101 102
CRC
16 + 2位
延期
24 +3位
128
标题
11位
国家代码
国家
版权所有
64发送第一
27 26
17 16 15
2 1
64位图形识别代码ISO 11784
图。五
4
存储结构
是128位的结构，如下所示：
该
标题
首先被发送，并且用于识别该序列的开始。它是由11位具有一个位模式是
唯一的数据流中。
00000000001
首标后面是
Identi科幻阳离子码
它是由组织中的8位8块64比特。的每个块
8位由控制位设置为逻辑"1" ，以防止该头被再现的数据落后。 64位首先发送。
位1是一个标志，用于动物"1"或非动物"0"应用。
位2-15是一个保留的代码以供将来使用。
位16是一个标志，用于附加数据块"1"或没有额外的数据块"0" 。
17-26位ISO 3166的数字国家代码
位27-64国家识别码
接下来的两个8位块包含
16 CRC- CCITT
错误检测位。 LSB首先发送，以及2块都落后
与用二进制"1" 。
用8位3块的数据流落后与代表逻辑"1"
扩展位。
扩充位是
计划在将来的扩展，其中用于从传感器或尾随页数内容实例的信息可以被存储。在
当前版本的标准编码会
000000001 000000001 000000001
和标志位的识别码16
"0".
谐振电容器
共振电容器被集成，并且其值通常为75 pF的。
EM微电子- MARIN SA
H4005
典型的电容变化
与温度的关系
铬公差[ ％ ]
100.3
100.2
100.1
100.0
99.9
99.8
99.7
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
100.7
温度[° C]
图。 6
PAD说明
PAD
1
2
3
4
名字
COIL2
COIL1
VDD
VSS
功能
线圈端子2 /输出数据
线圈端子1 /时钟输入
正内部电源电压
内部负电源电压
1
4
2
3
表5
5
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