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H27U518S2C系列
512兆位( 64男×8位)NAND闪存
512 MB NAND闪存
H27U518S2C
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
1.0版/ 2008年12月
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1PrePreliminaryeee
H27U518S2C系列
512兆位( 64男×8位)NAND闪存
文档标题
512兆位( 64男
×
8位)NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
1.0
最初的草案
正确的部分号码
初步去除
历史
草案日期
七月29, 2008
11月25日2008年
12月10日2008年
备注
初步
初步
1.0版/ 2008年12月
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1PrePreliminaryeee
H27U518S2C系列
512兆位( 64男×8位)NAND闪存
功能摘要
高密度NAND闪存
- 成本效益的解决方案,为大容量存储的应用
电子签名
- 第一个周期:制造商代码
- 第二个周期:设备代码
NAND接口
- X8总线宽度
- 地址/数据复用
- 引脚兼容性所有密度
CHIP ENABLE DO NOT CARE
- 简单的接口与微控制器
电源电压
- 3.3 V设备: VCC = 2.7 V 3.6 V
硬件数据保护
- 在电源转换编程/擦除锁定。
存储单元阵列
- ( 512 + 16)字节× 32页X 4096块
数据保留
- 100,000编程/擦除周期(有1位/ 528byte的ECC )
- 10年的数据保留
PAGE SIZE
- ( 512 + 16备用)字节
- H27U518S2CTR -BX
: 48引脚TSOP1 ( 12
×
20
×
1.2 mm)
- H27U518S2CTR -BX (铅&无卤)
BLOCK SIZE
- ( 16 K + 512备用)字节
PAGE读取/编程
- 随机访问: 12美国(最大)
- 顺序存取: 30纳秒(分钟)
- 页编程时间: 200美元(典型值)。
COPY回收计划
- 无需等待时间自动闭塞下载
快速块擦除
- 块擦除时间: 1.5毫秒(典型值)。
状态寄存器
- 正常状态寄存器(读/编程/擦除)
- 扩展状态寄存器( EDC )
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H27U518S2C系列
512兆位( 64男×8位)NAND闪存
1,概要说明
海力士的NAND H27U518S2C系列有64男
×
8位有空余的2M
×
8位的能力。该器件采用3.3 V的Vcc
电源,并与X8 I / O接口。
它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。
该装置被划分为可以独立地被擦除,以便能够保持而旧数据的有效数据块
被擦除。
该器件包含4096块,由32页组成的16个系列闪存连接两个与非sturctures组成
细胞。程序操作允许写在典型的200的512字节的页我们和擦除操作,可以执行
在典型的1.5 ms的16 K字节的块。
在页面的数据可以在每一个字节30纳秒的周期时间被读出。在I / O引脚作为地址和数据端口
输入/输出以及命令输入。该接口允许减少引脚数量,对不同的轻松迁移
密度,不占用任何重排。
命令,数据和地址使用CE , WE, RE , ALE和CLE输入引脚被同步引进。片上
编程/擦除控制器自动完成所有的读取,编程和擦除功能,包括脉冲重复,在必要时,并
内部核查和数据的裕度。该修改操作可以使用WP输入被锁定。输出引脚R / B
(漏极开路输出缓冲器)的信号的设备的状态,每个操作过程。在多个存储器的R / B系统
引脚可以连接在一起,以提供一个全局状态信号。
复制回功能使有缺陷的块管理的优化。当页面编程操作失败
该数据可以在不耗时的串行数据直接编程在同一阵列部分内的另一页
插入阶段。
即使是写密集型系统可以利用100K计划H27U518S2C系列扩展可靠性的优势/
通过支持ECC (纠错码)与实时映射出的算法擦除周期。该芯片支持行政长官不
保健功能。该功能允许从NAND快闪存储器装置中的代码的直接下载由一个微
控制器,由于CE转变不停止读操作。
该器件还包括像OTP /唯一ID区域,读取ID2扩展额外的功能。
该H27U518S2C是48 TSOP1 12 ×20mm的可用。
1.1产品列表
产品型号
H27U518S2C
组织
x8
VCC范围
2.7 3.6伏
48 TSOP 1
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H27U518S2C系列
512兆位( 64男×8位)NAND闪存
VCC
CE
WE
RE
ALE
CLE
WP
IO0~IO7
R / B
VSS
图1 :逻辑图
IO7 - IO0
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
VCC
VSS
NC
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
READY / BUSY
电源
无连接
表1 :信号名称
1.0版/ 2008年12月
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