H11G1M ， H11G2M ， H11G3M高压光电复合光耦合器
2007年5月
H11G1M ， H11G2M ， H11G3M
高压光电复合光耦合器
特点
■
高BV
首席执行官
tm
概述
该H11GXM系列PHOTODARLINGTON ，光学型
光电耦合器耦合。这些器件具有镓
砷化镓红外发光二极管加上一个硅
达林顿晶体管连接有一个英特
GRAL基极 - 发射极电阻器，以优化升高的温度
TURE特点。
- 最低100V的H11G1M
- 最低80V的H11G2M
- 最低55V的H11G3M
■
高灵敏度低输入电流
（最小500 ％的点击率，在我
F
= 1毫安）
■
在升高的温度低的漏电流
（最大为100μA ，在80℃ ）
■
美国保险商实验室（ UL）的认可
文件＃ E90700 ，第2卷
应用
■
CMOS逻辑接口
■
电话铃声探测器
■
低输入TTL接口
■
电源隔离
■
取代脉冲变压器
概要
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
N / C 3
4发射器
2007仙童半导体公司
H11GXM版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
H11G1M ， H11G2M ， H11G3M高压光电复合光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
V
首席执行官
正向输入电流
反向输入电压
储存温度
工作温度
参数
价值
-55到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
260
3.5
60
6.0
3.0
100
1.8
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
无铅焊锡温度（波峰焊）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
正向电流 - 峰值（ 1μs的脉冲， 300pps ）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
集电极 - 发射极电压
H11G1M
H11G2M
H11G3M
100
80
55
200
2.67
V
P
D
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
mW
毫瓦/°C的
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2
H11G1M ， H11G2M ， H11G3M高压光电复合光耦合器
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
V
F
T
A
BV
R
C
J
I
R
正向电压
正向电压
温度。 COEF网络cient
反向击穿
电压
结电容
反向漏
当前
击穿电压
集电极到发射极
I
R
= 10A
V
F
= 0V ， F = 1MHz的
V
F
= 1V ， F = 1MHz的
V
R
= 3.0V
所有
I
F
= 10毫安
所有
所有
所有
所有
3.0
1.3
-1.8
25
50
65
0.001
10
A
1.50
V
毫伏/°C的
V
pF
特征
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
BV
首席执行官
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
H11G1M
H11G2M
H11G3M
BV
CBO
收藏家基地
I
C
= 100A
H11G1M
H11G2M
H11G3M
BV
EBO
I
首席执行官
发射器基
漏电流
集电极到发射极
V
CE
= 80V ，我
F
= 0
V
CE
= 60V ，我
F
= 0
V
CE
= 30V ，我
F
= 0
V
CE
= 80V ，我
F
= 0, T
A
= 80°C
V
CE
= 60V ，我
F
= 0, T
A
= 80°C
所有
H11G1M
H11G2M
H11G3M
H11G1M
H11G2M
100
A
100
80
55
100
80
55
7
10
100
V
nA
V
V
传输特性
符号
辐射源
CTR
电流传输
比，集电极
辐射源
饱和电压
I
F
= 10毫安，V
CE
= 1V
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
F
= 16毫安，我
C
= 50毫安
I
F
= 1mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 20mA时，我
C
= 50毫安
开关时间
H11G1M/2M
H11G1M/2M
H11G3M
H11G1M/2M
H11G1M/2M
H11G3M
所有
所有
100 (1000)
5 (500)
MA（ ％ ）
特征
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
2 (200)
0.85
0.75
0.85
5
100
1.0
1.0
1.2
V
V
CE （ SAT ）
t
ON
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
R
L
= 100
, I
F
= 10毫安，
V
CE
= 5V ，女
≤
30Hz,
脉冲宽度
≤
300s
s
s
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
F = 1MHz的
设备
所有
所有
所有
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
V
AC
PEAK
0.2
pF
*在T所有典型值
A
= 25°C
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3
H11G1M ， H11G2M ， H11G3M高压光电复合光耦合器
典型性能曲线
10
100
I
C
- 归一化输出电流
I
C
- 归一化输出电流
1
标准化为：
V
CE
= 5V
I
F
= 1毫安
10
I
F
= 50毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 1毫安
I
F
- 0.5毫安
标准化为：
V
CE
= 5V
I
F
= 1毫安
T
A
= 25C
0.1
1
0.01
0.1
0.001
0.1
1
10
0.01
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
I
F
- LED输入电流（mA）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 1输出电流与输入电流
图。 2归一化输出电流与温度的关系
100
1000
标准化为：
V
CE
= 5 V
I
F
= 1毫安
T
A
= 25C
I
C
- 归一化输出电流
I
首席执行官
- 暗电流（ nA的）
I
F
= 50毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 2毫安
100
V
CE
= 80V
10
10
V
CE
= 30V
1
I
F
= 1毫安
I
F
- 0.5毫安
V
CE
= 10V
1
0.1
0.1
0.01
1
10
0.01
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 3输出电流 - 集电极 - 发射极电压
图。 4集电极 - 发射极暗电流
- 环境温度
10
I
F
- 正向电流（mA ）
R
L
= 10
R
L
= 100
R
L
= 1k
1
标准化为：
V
CC
= 5 V
I
F
= 10毫安
R
L
= 100
0.1
0.1
1
10
t
on
+ t
关闭
- 总交换速度（标准化）
图。 5输入电流与总开关速度（典型值）
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4
H11G1M ， H11G2M ， H11G3M高压光电复合光耦合器
包装尺寸
通孔
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
表面贴装
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.390 (9.90)
0.332 (8.43)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.320 (8.13)
0.320 (8.13)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.012 (0.30)
0.008 (0.20)
0.100 (2.54)
0.015 (0.38)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
15°
0.012 (0.30)
0.025 (0.63)
0.020 (0.51)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 [2.54]
0.035 (0.88)
0.006 (0.16)
0.4"引脚节距
推荐焊盘布局
表面贴装Leadform
0.070 (1.78)
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.060 (1.52)
0.425 (10.79)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.100 (2.54)
0.305 (7.75)
0.030 (0.76)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.100 (2.54)
0.015 (0.38)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 [2.54]
0.012 (0.30)
0.008 (0.21)
0.425 (10.80)
0.400 (10.16)
注意：
所有尺寸为英寸（毫米） 。
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5
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