PHOTO FET光耦合器
H11F1 H11F2 H11F3
包
概要
阳极1
6
产量
期限。
6
1
6
阴极2
5
1
3
4
产量
期限。
6
1
描述
该H11F系列由耦合到对称的双向硅光电一个镓铝砷化物的IRED发光二极管的
探测器。该检测器是由输入电隔离，并进行象一个理想的分离的场效应管设计为无失真的
控制的低电平的交流和直流模拟信号。该H11F系列装置安装在双列直插式封装。
特点
作为远程可变电阻
≤
100
to
≥
300 M
≥
99.9 ％线性
≤
15 pF的电容并联
≥
100 G
I / O绝缘电阻
作为模拟开关
极低的失调电压
60 V
PK- PK
信号的能力
无电荷注入或闭锁
t
on
, t
关闭
≤
15 S
?? UL认证（文件号E90700 ）
VDE认可（文件＃ E94766 ）
- 订购选项' 300' （例如H11F1.300 ）
应用
作为一个可变电阻 -
隔离可变衰减器
- 自动增益控制
主动滤波器连接NE调整/带开关
作为模拟开关 -
隔离采样和保持电路
复用，光隔离的A / D转换
2002仙童半导体公司
第1页9
6/24/02
PHOTO FET光耦合器
H11F1 H11F2 H11F3
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 10 μs的脉冲， 1 ％占空比）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
击穿电压（任一极性）
连续检测电流（任一极性）
P
D
BV
4-6
I
4-6
所有
H11F1 ， H11F2
H11F3
所有
300
4.0
±30
±15
±100
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
I
F
V
R
I
F（ PK）
P
D
所有
所有
所有
所有
60
5
1
100
1.33
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
所有
所有
所有
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
°C
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
电容
输出检测
击穿电压
任一极性
关闭状态暗电流
断通状态电阻
电容
I
4-6
= 10μA ，我
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0, T
A
= 100°C
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0中，f = 1MHz的
BV
4-6
I
4-6
R
4-6
C
4-6
H11F1 ， H11F2
H11F3
所有
所有
所有
所有
300
15
30
15
50
50
V
nA
A
M
pF
I
F
= 16毫安
V
R
= 5 V
V = 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
J
所有
所有
所有
50
1.3
1.75
10
V
A
pF
测试条件
符号
设备
民
典型*
最大
单位
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PHOTO FET光耦合器
H11F1 H11F2 H11F3
包
概要
阳极1
6
产量
期限。
6
1
6
阴极2
5
1
3
4
产量
期限。
6
1
描述
该H11F系列由耦合到对称的双向硅光电一个镓铝砷化物的IRED发光二极管的
探测器。该检测器是由输入电隔离，并进行象一个理想的分离的场效应管设计为无失真的
控制的低电平的交流和直流模拟信号。该H11F系列装置安装在双列直插式封装。
特点
作为远程可变电阻
≤
100
to
≥
300 M
≥
99.9 ％线性
≤
15 pF的电容并联
≥
100 G
I / O绝缘电阻
作为模拟开关
极低的失调电压
60 V
PK- PK
信号的能力
无电荷注入或闭锁
t
on
, t
关闭
≤
15 S
?? UL认证（文件号E90700 ）
VDE认可（文件＃ E94766 ）
- 订购选项' 300' （例如H11F1.300 ）
应用
作为一个可变电阻 -
隔离可变衰减器
- 自动增益控制
主动滤波器连接NE调整/带开关
作为模拟开关 -
隔离采样和保持电路
复用，光隔离的A / D转换
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PHOTO FET光耦合器
H11F1 H11F2 H11F3
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 10 μs的脉冲， 1 ％占空比）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
击穿电压（任一极性）
连续检测电流（任一极性）
P
D
BV
4-6
I
4-6
所有
H11F1 ， H11F2
H11F3
所有
300
4.0
±30
±15
±100
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
I
F
V
R
I
F（ PK）
P
D
所有
所有
所有
所有
60
5
1
100
1.33
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
所有
所有
所有
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
°C
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
电容
输出检测
击穿电压
任一极性
关闭状态暗电流
断通状态电阻
电容
I
4-6
= 10μA ，我
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0, T
A
= 100°C
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0中，f = 1MHz的
BV
4-6
I
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R
4-6
C
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H11F1 ， H11F2
H11F3
所有
所有
所有
所有
300
15
30
15
50
50
V
nA
A
M
pF
I
F
= 16毫安
V
R
= 5 V
V = 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
J
所有
所有
所有
50
1.3
1.75
10
V
A
pF
测试条件
符号
设备
民
典型*
最大
单位
2003仙童半导体公司
第10 2
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