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高压
光电晶体管光耦合器
描述
该H11DX和4N38是光电晶体管型光耦合光隔离器。红外发光
从专门生长的砷化镓制成的二极管被选择性地加上一个高电压
NPN硅光电晶体管。该器件采用标准的塑料六针的双列直插式封装。
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
4N38
特点
高电压
- H11D1 , H11D2 , BV
CER
= 300 V
- H11D3 , H11D4 , BV
CER
= 200 V
高隔离电压
- 5300 VAC RMS - 1分钟
- 7500 VAC PEAK - 1分钟
美国保险商实验室( UL)的认可文件# E90700
阳极1
6基地
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
家电传感器系统
工业控制
阴极2
5收藏家
N / C 3
4发射器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
*正向直流电流
*反向输入电压
*正向电流 - 峰值( 1μs的脉冲, 300pps )
* LED功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
( PK)
P
D
价值
-55到+150
-55到+100
260 ,持续10秒
260
3.5
80
6.0
3.0
150
1.41
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
8/9/00
200046A
高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 , H11D2 , H11D3 , H11D4 , 4N38
绝对最大额定值
(续)
参数
探测器
*功率耗散@ T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
H11D1 - H11D2
*集电极到发射极电压
H11D3 - H11D4
4N38
H11D1 - H11D2
*集电极 - 基极电压
H11D3 - H11D4
4N38
*发射极到集电极电压
集电极电流(连续)
H11D1 - H11D2
H11D3 - H11D4
V
ECO
V
CBO
V
CER
P
D
符号
价值
300
4.0
300
200
80
300
200
80
7
100
mA
V
单位
mW
毫瓦/°C的
电气特性
特征
辐射源
*正向电压
正向电压温度。
系数
反向击穿电压
结电容
*反向漏电流
探测器
*击穿电压
集电极到发射极
*集电极基
发射器基
发射极到集电极
*漏电流
集电极到发射极
(R
BE
= 1 M" )
(T
A
= 25°C除非另有规定。 )
单个组件特性
测试条件
(I
F
= 10 mA)的
符号
V
F
!V
F
!T
A
BV
R
C
J
I
R
BV
CER
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
H11D1/2
H11D3/4
4N38
H11D1/2
H11D3/4
4N38
4N38
所有
H11D1/2
I
CER
H11D3/4
I
首席执行官
4N38
6
典型**
1.15
-1.8
25
50
65
0.05
最大
1.5
单位
V
毫伏/°C的
V
pF
pF
A
(I
R
= 10 A)
(V
F
= 0 V , F = 1兆赫)
(V
F
= 1 V , F = 1兆赫)
(V
R
= 6 V)
(R
BE
= 1 M" )
(I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0)
(没有R
BE
) (I
C
= 1.0 mA)的
(I
C
= 100 A ,我
F
= 0)
10
(I
E
= 100 μA ,我
F
= 0)
(V
CE
= 200 V,I
F
= 0, T
A
= 25°C)
(V
CE
= 200 V,I
F
= 0, T
A
= 100°C)
(V
CE
= 100 V,I
F
= 0, T
A
= 25°C)
(V
CE
= 100 V,I
F
= 0, T
A
= 100°C)
(没有R
BE
) (V
CE
= 60 V,I
F
= 0, T
A
= 25°C)
300
200
80
300
200
80
7
7
V
10
100
250
100
250
50
nA
A
nA
A
nA
笔记
*参数达到或超过JEDEC注册数据( 4N38只)
**在T所有典型值
A
= 25°C
8/9/00
200046A
高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 , H11D2 , H11D3 , H11D4 , 4N38
传输特性
DC特性
辐射源
电流传输比
集电极到发射极
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
(R
BE
= 1 M" )
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时,我
C
= 0.5 mA)的
*饱和电压
(R
BE
= 1 M" )
(I
F
= 20 mA时,我
C
= 4 mA)的
V
CE (SAT)
CTR
测试条件
符号
设备
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
4N38
H11D1/2/3/4
4N38
1 (10)
2 (20)
0.1
0.40
1.0
V
2 (20)
MA( % )
典型**
最大
单位
传输特性
特征
开关时间
非饱和导通时间
打开-O FF时间
测试条件
(V
CE
= 10 V,I
CE
= 2 mA)的
(R
L
= 100
" )
符号
t
on
t
关闭
设备
所有
所有
典型**
5
5
最大
单位
s
隔离特性
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
(I
我-O
#$1
微安, 1分钟)
(V
我-O
= 500 VDC)
中(f = 1 MHz)的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
所有
所有
所有
5300
7500
10
11
0.5
典型**
最大
单位
(V
AC
RMS )
(V
AC
峰)
& QUOT ;
pF
笔记
*参数达到或超过JEDEC注册数据( 4N38只)
**在T所有典型值
A
= 25°C
图1 LED正向电压与正向电流
1.8
1.7
图2归一化输出特性
归一化我
CER
- 输出电流
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
I
F
= 50毫安
1
I
F
= 10毫安
V
F
- 正向电压( V)
10
1.6
1.5
1.4
1.3
T
A
= 25C
1.2
1.1
1.0
1
T
A
= 100C
10
100
T
A
= 55C
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- LED FORWARDCURRENT (MA )
V
CE
- 集电极电压( V)
8/9/00
200046A
高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 , H11D2 , H11D3 , H11D4 , 4N38
图3归一化输出电流与LED的输入电流
10
图4归一化输出电流与温度的关系
归一化我
CER
- 输出电流
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
归一化我
CER
- 输出电流
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
1
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
1
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
1
10
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
- LED输入电流(mA)
T
A
- 环境温度( ° C)
图5归一化暗电流与环境温度
归一化我
CBO
- 集电极 - 基极电流
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
标准化为:
V
CE
= 100 V
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
归集电极基极电流与温度的关系
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
归一化我
CER
- 暗电流
10000
I
F
= 50毫安
1000
V
CE
= 300 V
100
V
CE
= 100 V
V
CE
= 50 V
10
1
I
F
= 10毫安
0.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
-60
I
F
= 5毫安
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度( ° C)
T
A
- 环境温度( ° C)
8/9/00
200046A
高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 , H11D2 , H11D3 , H11D4 , 4N38
包装尺寸(通孔)
3
2
1
销1
ID。
包装尺寸(表面贴装)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
3
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
2
1
销1
ID。
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
4
飞机座位
5
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
6
4
5
6
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.300 (7.62)
典型值
0.200 (5.08)
0.135 (3.43)
0.200 (5.08)
0.165 (4.18)
0.154 (3.90)
0.100 (2.54)
0.020 (0.51)
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
典型值
0°到15°
0.300 (7.62)
典型值
0.016 (0.41)
0.008 (0.20)
0.020 (0.51)
0.100 (2.54)
典型值
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.016 ( 0.40 ), MIN
0.315 (8.00)
0.405 (10.30)
最大
引脚共面性: 0.004 ( 0.10 ) MAX
封装尺寸( 0.4“引线间距)
3
2
1
销1
ID。
推荐焊盘布局
表面贴装Leadform
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
0.070 (1.78)
4
5
6
0.060 (1.52)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.415 (10.54)
0.100 (2.54)
0.030 (0.76)
飞机座位
0.295 (7.49)
0.004 (0.10)
0.200 (5.08)
0.135 (3.43)
0.154 (3.90)
0.100 (2.54)
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 ( 2.54 ) TYP
0°到15°
0.400 (10.16)
典型值
所有尺寸为英寸(毫米)
8/9/00
200046A
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    H11D4300
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ:2942939487 复制

电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
H11D4300
Fairchi
21+
10000
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
H11D4300
onsemi
24+
25131
6-DIP
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
H11D4300
ON
2025+
16820
6-DIP
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
H11D4300
FAIRCHILD/仙童
21+
10000
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
H11D4300
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8380
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:870509204 复制 点击这里给我发消息 QQ:1016611765 复制

电话:13691818754
联系人:陈小姐
地址:福田区深南中路3006号佳和大厦
H11D4300
INF
2010+
20000
DIP SOP
原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
H11D4300
Fairchild Semiconductor
㊣10/11+
9663
贴◆插
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