H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接，高BV
CER
电压
特点
CTR在我
F
= 10毫安， BV
CER
= 10 V:
≥
20 %
良好的CTR线性正向电流
低CTR退化
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
非常高的集电极 - 发射极击穿电压
- H11D1 / H11D2 ， BV
CER
= 300 V
- H11D3 / H11D4 ， BV
CER
= 200 V
绝缘测试电压： 5300 V
RMS
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
与底座连接的包
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
i179004
i179004
描述
该H11D1 / H11D2 / H11D3 / H11D4是用光电耦合器
非常高的BV
CER
。他们的目的是为电信
应用程序或任何DC应用需要高的阻挡
电压。
该H11D1 / H11D2是相同的，而H11D3 / H11D4是
相同的。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
应用
电信
更换继电器
订购信息
部分
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
H11D1-X007
H11D1-X009
H11D2-X007
H11D3-X007
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
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H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接，高BV
CER
电压
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
H11D1
集电极 - 发射极电压
H11D2
H11D3
H11D4
H11D1
集电极 - 基极电压
H11D2
H11D3
H11D4
发射极电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射极之间的绝缘厚度
和检测器
爬电距离
间隙距离
漏电起痕指数
绝缘电阻
存储温度范围
工作温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
发射器和检测器之间，
指气候DIN 50014第2部分，
十一月74
V
ISO
5300
≥
0.4
≥
7
≥
7
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CBO
V
CBO
V
CBO
V
CBO
V
BEO
I
C
P
DISS
300
300
200
200
300
300
200
200
7
100
300
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
t
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
部分
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
评级的长时间可不利地影响可靠性。
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光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
与基地连接，高BV
CER
电压
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
产量
H11D1
集电极发射极击穿电压
I
CE
= 1毫安，R
BE
= 1 MΩ
H11D2
H11D3
H11D4
发射极基极击穿电压
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
耦合器
耦合电容
电流传输比
集电极 - 发射极，
饱和电压
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
R
BE
= 1 MΩ
I
F
= 10 mA时，我
C
= 0.5毫安，
R
BE
= 1 MΩ
V
CE
= 200 V ，R
BE
= 1 MΩ
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 300 V ，R
BE
= 1 MΩ,
T
AMB
= 100 °C
H11D1
H11D2
H11D1
H11D2
C
C
I
C
/I
F
V
CESAT
I
CER
I
CER
I
CER
I
CER
20
0.25
0.4
100
100
250
250
0.6
pF
%
V
nA
nA
A
A
I
EB
= 100 A
V
CE
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 5 V ， F = 1兆赫
BV
CER
BV
CER
BV
CER
BV
CER
BV
EBO
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
300
300
200
200
7
7
8
38
250
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6
0.01
25
750
10
1.1
1.5
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
R
BE
= 1 MΩ
部分
符号
CTR
分钟。
20
典型值。
马克斯。
单位
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
分钟。
典型值。
5
2.5
6
5.5
马克斯。
单位
s
s
s
s
记
开关时间的测量测试电路和波形
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接，高BV
CER
电压
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
-4
ih11d1_02
30
25
20
I
CE
= F（V
CE
, I
F
)
I
CE
（MA ）
NTCR
I
F
=100
A
I
F
=
80 A
I
F
= 60
A
I
F
= 40
A
I
F
= 20
A
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
15
10
V
CE
= 10
V,
归到我
F
= 10毫安，
NCTR
= F（我
F
)
10
-3
10
-2
10
-1
5
0
I
F
(A)
图。 1 - 电流传输比（典型值）。
ih11d1_05
V
CE
(V)
图。 4 - 输出特性
1.2
V
F
= F（我
F
, T
A
)
25 °C
50 °C
75 °C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
ih11d1_06
F = 1MHz时，
C
CE
= F（V
CE
)
C
CB
= F（V
CB
), C
EB
= F（V
EB
)
C
EB
1.1
V
F
(V)
C
XX
（PF ）
1.0
C
CB
C
CE
0.9
ih11d1_03
10
-1
10
0
10
1
10
2
I
F
（MA ）
V
XX
(V)
图。 2 - 二极管正向电压（典型值）。
图。 5 - 晶体管的电容（典型值）。
20
17.5
15
10
-6
I
CE
= F（V
CE
, I
B
)
10
I
B
=100
A
-7
I
F
= 0, R
BE
= 1 MΩ
I
CER
= F（V
CE
)
I
CE
（MA ）
12.5
10
-8
C
CER
(A)
10
7.5
5
2.5
0
10
-2
-1
0
I
B
=
80 A
I
B
= 60
A
I
B
= 40
A
10
-9
10
-10
10
-11
I
B
= 20
A
10
-12
10
10
10
1
10
2
0
ih11d1_07
25
50
75
100 125 150 175 200
ih11d1_04
V
CE
(V)
图。 3 - 输出特性
V
CE
(V)
图。 6 - 集电极发射极漏电流（典型值）。
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H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
与基地连接，高BV
CER
电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
ih11d1_08
400
I
F
= F（T
A
)
350
300
P
合计
= F（T
A
)
P
合计
（ mW）的
I
F
（MA ）
250
200
晶体管
150
100
50
0
二极管
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
A
(°C)
ih11d1_09
T
A
(°C)
图。 7 - 允许损耗二极管
图。 8 - 允许功耗
输入
0
I
F
R
L
I
C
47
Ω
V
CC
产量
V
O
GND
0
10
%
50
%
90
%
10
%
50
%
90
%
t
on
t
PDON
t
d
t
r
t
PDOFF
t
s
t
r
t
关闭
ih11d1_01
图。 9开关时间测试，测试电路和波形
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5
高压
光电晶体管光耦合器
描述
该H11DX和4N38是光电晶体管型光耦合光隔离器。红外发光
从专门生长的砷化镓制成的二极管被选择性地加上一个高电压
NPN硅光电晶体管。该器件采用标准的塑料六针的双列直插式封装。
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
4N38
特点
高电压
- H11D1 ， H11D2 ， BV
CER
= 300 V
- H11D3 ， H11D4 ， BV
CER
= 200 V
高隔离电压
- 5300 VAC RMS - 1分钟
- 7500 VAC PEAK - 1分钟
美国保险商实验室（ UL）的认可文件＃ E90700
阳极1
6基地
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
家电传感器系统
工业控制
阴极2
5收藏家
N / C 3
4发射器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
*正向直流电流
*反向输入电压
*正向电流 - 峰值（ 1μs的脉冲， 300pps ）
* LED功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
260
3.5
80
6.0
3.0
150
1.41
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
8/9/00
200046A
高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 ， H11D2 ， H11D3 ， H11D4 ， 4N38
绝对最大额定值
（续）
参数
探测器
*功率耗散@ T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
H11D1 - H11D2
*集电极到发射极电压
H11D3 - H11D4
4N38
H11D1 - H11D2
*集电极 - 基极电压
H11D3 - H11D4
4N38
*发射极到集电极电压
集电极电流（连续）
H11D1 - H11D2
H11D3 - H11D4
V
ECO
V
CBO
V
CER
P
D
符号
价值
300
4.0
300
200
80
300
200
80
7
100
mA
V
单位
mW
毫瓦/°C的
电气特性
特征
辐射源
*正向电压
正向电压温度。
系数
反向击穿电压
结电容
*反向漏电流
探测器
*击穿电压
集电极到发射极
*集电极基
发射器基
发射极到集电极
*漏电流
集电极到发射极
(R
BE
= 1 M" ）
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
测试条件
(I
F
= 10 mA）的
符号
V
F
!V
F
!T
A
BV
R
C
J
I
R
BV
CER
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
H11D1/2
H11D3/4
4N38
H11D1/2
H11D3/4
4N38
4N38
所有
H11D1/2
I
CER
H11D3/4
I
首席执行官
4N38
6
民
典型**
1.15
-1.8
25
50
65
0.05
最大
1.5
单位
V
毫伏/°C的
V
pF
pF
A
(I
R
= 10 A)
(V
F
= 0 V ， F = 1兆赫）
(V
F
= 1 V ， F = 1兆赫）
(V
R
= 6 V)
(R
BE
= 1 M" ）
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
（没有R
BE
) (I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 100 A ，我
F
= 0)
10
(I
E
= 100 μA ，我
F
= 0)
(V
CE
= 200 V，I
F
= 0, T
A
= 25°C)
(V
CE
= 200 V，I
F
= 0, T
A
= 100°C)
(V
CE
= 100 V，I
F
= 0, T
A
= 25°C)
(V
CE
= 100 V，I
F
= 0, T
A
= 100°C)
（没有R
BE
) (V
CE
= 60 V，I
F
= 0, T
A
= 25°C)
300
200
80
300
200
80
7
7
V
10
100
250
100
250
50
nA
A
nA
A
nA
笔记
*参数达到或超过JEDEC注册数据（ 4N38只）
**在T所有典型值
A
= 25°C
8/9/00
200046A
高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 ， H11D2 ， H11D3 ， H11D4 ， 4N38
传输特性
DC特性
辐射源
电流传输比
集电极到发射极
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(R
BE
= 1 M" ）
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时，我
C
= 0.5 mA）的
*饱和电压
(R
BE
= 1 M" ）
(I
F
= 20 mA时，我
C
= 4 mA）的
V
CE （SAT）
CTR
测试条件
符号
设备
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
4N38
H11D1/2/3/4
4N38
1 (10)
2 (20)
0.1
0.40
1.0
V
2 (20)
MA（ ％ ）
民
典型**
最大
单位
传输特性
特征
开关时间
非饱和导通时间
打开-O FF时间
测试条件
(V
CE
= 10 V，I
CE
= 2 mA）的
(R
L
= 100
" ）
符号
t
on
t
关闭
设备
所有
所有
民
典型**
5
5
最大
单位
s
隔离特性
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
(I
我-O
#$1
微安， 1分钟）
(V
我-O
= 500 VDC）
中（f = 1 MHz）的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
所有
所有
所有
民
5300
7500
10
11
0.5
典型**
最大
单位
(V
AC
RMS ）
(V
AC
峰）
＆ QUOT ;
pF
笔记
*参数达到或超过JEDEC注册数据（ 4N38只）
**在T所有典型值
A
= 25°C
图1 LED正向电压与正向电流
1.8
1.7
图2归一化输出特性
归一化我
CER
- 输出电流
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
I
F
= 50毫安
1
I
F
= 10毫安
V
F
- 正向电压（ V）
10
1.6
1.5
1.4
1.3
T
A
= 25C
1.2
1.1
1.0
1
T
A
= 100C
10
100
T
A
= 55C
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- LED FORWARDCURRENT （MA ）
V
CE
- 集电极电压（ V）
8/9/00
200046A
高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 ， H11D2 ， H11D3 ， H11D4 ， 4N38
图3归一化输出电流与LED的输入电流
10
图4归一化输出电流与温度的关系
归一化我
CER
- 输出电流
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
归一化我
CER
- 输出电流
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
1
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
1
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
1
10
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
F
- LED输入电流（mA）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图5归一化暗电流与环境温度
归一化我
CBO
- 集电极 - 基极电流
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
标准化为：
V
CE
= 100 V
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
归集电极基极电流与温度的关系
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
归一化我
CER
- 暗电流
10000
I
F
= 50毫安
1000
V
CE
= 300 V
100
V
CE
= 100 V
V
CE
= 50 V
10
1
I
F
= 10毫安
0.1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
-60
I
F
= 5毫安
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
8/9/00
200046A
高压
光电晶体管光耦合器
H11D1 ， H11D2 ， H11D3 ， H11D4 ， 4N38
包装尺寸（通孔）
3
2
1
销1
ID。
包装尺寸（表面贴装）
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
3
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
2
1
销1
ID。
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
4
飞机座位
5
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
6
4
5
6
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.300 (7.62)
典型值
0.200 (5.08)
0.135 (3.43)
0.200 (5.08)
0.165 (4.18)
0.154 (3.90)
0.100 (2.54)
0.020 (0.51)
民
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
典型值
0°到15°
0.300 (7.62)
典型值
0.016 (0.41)
0.008 (0.20)
0.020 (0.51)
民
0.100 (2.54)
典型值
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.016 （ 0.40 ）， MIN
0.315 (8.00)
民
0.405 (10.30)
最大
引脚共面性： 0.004 （ 0.10 ） MAX
封装尺寸（ 0.4“引线间距）
3
2
1
销1
ID。
推荐焊盘布局
表面贴装Leadform
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
0.070 (1.78)
4
5
6
0.060 (1.52)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.415 (10.54)
0.100 (2.54)
0.030 (0.76)
飞机座位
0.295 (7.49)
0.004 (0.10)
民
0.200 (5.08)
0.135 (3.43)
0.154 (3.90)
0.100 (2.54)
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 （ 2.54 ） TYP
0°到15°
0.400 (10.16)
典型值
记
所有尺寸为英寸（毫米）
8/9/00
200046A
H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接，高BV
CER
电压
特点
CTR在我
F
= 10毫安， BV
CER
= 10 V:
≥
20 %
良好的CTR线性正向电流
低CTR退化
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
非常高的集电极 - 发射极击穿电压
- H11D1 / H11D2 ， BV
CER
= 300 V
- H11D3 / H11D4 ， BV
CER
= 200 V
绝缘测试电压： 5300 V
RMS
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
与底座连接的包
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
i179004
i179004
描述
该H11D1 / H11D2 / H11D3 / H11D4是用光电耦合器
非常高的BV
CER
。他们的目的是为电信
应用程序或任何DC应用需要高的阻挡
电压。
该H11D1 / H11D2是相同的，而H11D3 / H11D4是
相同的。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
应用
电信
更换继电器
订购信息
部分
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
H11D1-X007
H11D1-X009
H11D2-X007
H11D3-X007
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， DIP - 6
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
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H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接，高BV
CER
电压
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
H11D1
集电极 - 发射极电压
H11D2
H11D3
H11D4
H11D1
集电极 - 基极电压
H11D2
H11D3
H11D4
发射极电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射极之间的绝缘厚度
和检测器
爬电距离
间隙距离
漏电起痕指数
绝缘电阻
存储温度范围
工作温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
发射器和检测器之间，
指气候DIN 50014第2部分，
十一月74
V
ISO
5300
≥
0.4
≥
7
≥
7
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CBO
V
CBO
V
CBO
V
CBO
V
BEO
I
C
P
DISS
300
300
200
200
300
300
200
200
7
100
300
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
t
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
部分
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
评级的长时间可不利地影响可靠性。
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H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
与基地连接，高BV
CER
电压
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
产量
H11D1
集电极发射极击穿电压
I
CE
= 1毫安，R
BE
= 1 MΩ
H11D2
H11D3
H11D4
发射极基极击穿电压
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
耦合器
耦合电容
电流传输比
集电极 - 发射极，
饱和电压
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
R
BE
= 1 MΩ
I
F
= 10 mA时，我
C
= 0.5毫安，
R
BE
= 1 MΩ
V
CE
= 200 V ，R
BE
= 1 MΩ
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 300 V ，R
BE
= 1 MΩ,
T
AMB
= 100 °C
H11D1
H11D2
H11D1
H11D2
C
C
I
C
/I
F
V
CESAT
I
CER
I
CER
I
CER
I
CER
20
0.25
0.4
100
100
250
250
0.6
pF
%
V
nA
nA
A
A
I
EB
= 100 A
V
CE
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 5 V ， F = 1兆赫
BV
CER
BV
CER
BV
CER
BV
CER
BV
EBO
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
300
300
200
200
7
7
8
38
250
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6
0.01
25
750
10
1.1
1.5
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
R
BE
= 1 MΩ
部分
符号
CTR
分钟。
20
典型值。
马克斯。
单位
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
分钟。
典型值。
5
2.5
6
5.5
马克斯。
单位
s
s
s
s
记
开关时间的测量测试电路和波形
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H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接，高BV
CER
电压
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
-4
ih11d1_02
30
25
20
I
CE
= F（V
CE
, I
F
)
I
CE
（MA ）
NTCR
I
F
=100
A
I
F
=
80 A
I
F
= 60
A
I
F
= 40
A
I
F
= 20
A
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
15
10
V
CE
= 10
V,
归到我
F
= 10毫安，
NCTR
= F（我
F
)
10
-3
10
-2
10
-1
5
0
I
F
(A)
图。 1 - 电流传输比（典型值）。
ih11d1_05
V
CE
(V)
图。 4 - 输出特性
1.2
V
F
= F（我
F
, T
A
)
25 °C
50 °C
75 °C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
ih11d1_06
F = 1MHz时，
C
CE
= F（V
CE
)
C
CB
= F（V
CB
), C
EB
= F（V
EB
)
C
EB
1.1
V
F
(V)
C
XX
（PF ）
1.0
C
CB
C
CE
0.9
ih11d1_03
10
-1
10
0
10
1
10
2
I
F
（MA ）
V
XX
(V)
图。 2 - 二极管正向电压（典型值）。
图。 5 - 晶体管的电容（典型值）。
20
17.5
15
10
-6
I
CE
= F（V
CE
, I
B
)
10
I
B
=100
A
-7
I
F
= 0, R
BE
= 1 MΩ
I
CER
= F（V
CE
)
I
CE
（MA ）
12.5
10
-8
C
CER
(A)
10
7.5
5
2.5
0
10
-2
-1
0
I
B
=
80 A
I
B
= 60
A
I
B
= 40
A
10
-9
10
-10
10
-11
I
B
= 20
A
10
-12
10
10
10
1
10
2
0
ih11d1_07
25
50
75
100 125 150 175 200
ih11d1_04
V
CE
(V)
图。 3 - 输出特性
V
CE
(V)
图。 6 - 集电极发射极漏电流（典型值）。
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H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
与基地连接，高BV
CER
电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
ih11d1_08
400
I
F
= F（T
A
)
350
300
P
合计
= F（T
A
)
P
合计
（ mW）的
I
F
（MA ）
250
200
晶体管
150
100
50
0
二极管
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
A
(°C)
ih11d1_09
T
A
(°C)
图。 7 - 允许损耗二极管
图。 8 - 允许功耗
输入
0
I
F
R
L
I
C
47
Ω
V
CC
产量
V
O
GND
0
10
%
50
%
90
%
10
%
50
%
90
%
t
on
t
PDON
t
d
t
r
t
PDOFF
t
s
t
r
t
关闭
ih11d1_01
图。 9开关时间测试，测试电路和波形
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H11D1X ， H11D2X ， H11D3X ， H11D4X
H11D1 ， H11D2 ， H11D3 ， H11D4
高电压光电
耦合型隔离器
光电晶体管输出
“X” SPECIFICATIONAPPROVALS
VDE 0884 3可铅形式： -
- STD
-
摹形
-
SMD批准CECC 00802
1.2
尺寸（mm）
2.54
7.0
6.0
1
2
3
6
5
4
描述
该H11D系列光耦合隔离器
由红外线发光二极管和
在一个标准的6针NPN硅光电晶体管
双列直插式塑料封装。
特点
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
高BV
CER
（ 300V - H11D1 ， H11D2 ）
（ 200V - H11D3 ， H11D4 ）
所有电气参数100％测试
定制电可用的选项
应用
直流电机控制器
工业系统控制器
测量仪器
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
7.62
6.62
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
0.5
3.35
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
INPUTDIODE
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
CER
H11D1 ， H11D2
H11D3 ， H11D4
集电极 - 基极电压BV
CBO
H11D1 ， H11D2
H11D3 ， H11D4
发射极 - 集电极电压BV
ECO
集电极电流
功耗
功耗
(R
BE
= 1MΩ
)
300V
200V
300V
200V
6V
100mA
150mW
60mA
6V
100mW
OPTION SM
表面贴装
选项G
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
总功耗
250mW
（减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C）
ISOCOM COMPONENTS LTD 2004年
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦， TS25 1UD英格兰
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14/8/08
DB91077
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