【H11D1X ， H11D2X ， H11D3X ， H11D4XH11D1 ， H11D2 ， H】,IC型号H11D1X,H11D1X PDF资料,H11D1X经销商,ic,电子元器件-51电子网

H11D1X ， H11D2X ， H11D3X ， H11D4X

H11D1 ， H11D2 ， H11D3 ， H11D4

高电压光电

耦合型隔离器

光电晶体管输出

“X” SPECIFICATIONAPPROVALS

VDE 0884 3可铅形式： -

- STD

摹形

SMD批准CECC 00802

1.2

尺寸（mm）

2.54

7.0

6.0

描述

该H11D系列光耦合隔离器

由红外线发光二极管和

在一个标准的6针NPN硅光电晶体管

双列直插式塑料封装。

特点

选项： -

10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。

表面贴装 - 部分后添加SM没有。

Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。

高隔离电压（ 5.3kV

RMS

,7.5kV

)

高BV

CER

（ 300V - H11D1 ， H11D2 ）

（ 200V - H11D3 ， H11D4 ）

所有电气参数100％测试

定制电可用的选项

应用

直流电机控制器

工业系统控制器

测量仪器

的系统之间的信号传输

不同的潜能和阻抗

7.62

6.62

7.62

4.0

3.0

0.5

13°

最大

0.26

3.0

0.5

3.35

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

（ 25°C除非另有说明）

储存温度

-55 ° C至+ 150°C

工作温度

-55 ° C至+ 100°C

引线焊接温度

（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃

INPUTDIODE

正向电流

反向电压

功耗

输出晶体管

集电极 - 发射极电压BV

CER

H11D1 ， H11D2

H11D3 ， H11D4

集电极 - 基极电压BV

CBO

H11D1 ， H11D2

H11D3 ， H11D4

发射极 - 集电极电压BV

ECO

集电极电流

功耗

= 1MΩ

)

300V

200V

300V

200V

100mA

150mW

60mA

100mW

OPTION SM

表面贴装

选项G

7.62

0.6

0.1

10.46

9.86

1.25

0.75

0.26

10.16

总功耗

250mW

（减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C）

ISOCOM COMPONENTS LTD 2004年

单元25B ，公园景观西路，

公园景工业村，布伦达路

哈特尔浦， TS25 1UD英格兰

联系电话：（ 01429 ） 863609传真：（ 01429 ） 863581电子邮件

sales@isocom.co.uk http://www.isocom.com

14/8/08

DB91077

电气特性（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

输入

正向电压（V

)

反向电流（I

)

产量

集电极 - 发射极击穿（ BV

CER

)

H11D1 ， H11D2

H11D3 ， H11D4

集电极 - 基极击穿（ BV

CBO

)

H11D1 ， H11D2

H11D3 ， H11D4

发射极 - 集电极击穿（ BV

ECO

)

集电极 - 发射极暗电流（I

CER

)

H11D1 ， H11D2

300

200

300

200

100

250

100

250

最小典型最大单位

1.2

1.5

μA

测试条件

= 10毫安

= 6V

= 1毫安，R

= 1MΩ

（注2 ）

= 100μA

= 200V ，R

=1MΩ

= 200V ，R

=1MΩ,

=100°C

= 100V ，R

=1MΩ

= 100V ，R

=1MΩ,

=100°C

10毫安我

, 10V V

= 1MΩ

10毫安我

， 0.5毫安我

= 1MΩ

见注1

= 500V （注1 ）

= 10V ，我

= 2毫安，

= 100Ω

图1

H11D3 ， H11D4

再加

电流传输比（ CTR ）

集电极 - 发射极饱和VoltageV

CE （ SAT ）

输入到输出隔离电压V

ISO

输入输出隔离阻抗R

ISO

开启时间

吨

打开-O FF时间

花花公子

0.4

5300

7500

5x10

RMS

μs

注1

注2

测量输入导线短接和输出引线短接在一起。

特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。

输入

= 100Ω

产量

10%

关闭

10%

90%

图1

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DB91077m-AAS/A3

集电极耗散功率与环境温度

400

集电极耗散功率P

（ mW）的

相对电流传输比

相对电流传输比主场迎战

正向电流（归一化至10mA我

)

300

1.0

200

0.1

= 10V

= 1MΩ

= 25°C

0.01

100

-30

100

125

环境温度T

( °C )

正向电流与环境温度

-30

100

125

相对电流传输比

正向电流I

（MA ）

正向电流I

（MA ）

相对电流传输比

- 环境温度

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-30

正常化到V

= 10V ,

= 10毫安，R

= 1MΩ ,

= 25°C

= 20mA下

= 10毫安

= 5毫安

环境温度T

( °C )

环境温度T

( °C )

集电极 - 基极电流 -

环境温度

100

正向电压与正向电流

800

集电极 - 基极电流I

CBO

(μA)

1.4

正向电压V

(V)

700

600

500

400

300

200

100

-30

= 10V

= 50毫安

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.1 0.2

= -55°C

= +25°C

= 200V V

= 10V V

= 10V

= 10毫安我

= 5毫安

= +100°C

0.5

5 10

100

正向电流I

（MA ）

14/8/08

环境温度T

( °C )

DB91077m-AAS/A3