H11C4 / H11C5 / H11C6
威世半导体
光电耦合器， PhotoSCR输出， 400 V V
RM
， 5 A浪涌电流
特点
打开电流（I
FT
） ，5.0 mA典型
门极触发电流（I
GT
），20 mA典型
浪涌阳极电流， 5.0
阻断电压， 400 V栅触发电压（V
GT
),
0.6 V（典型）
隔离测试电压5300 V
RMS
固态可靠性
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
6 G
5 A
4 C
i179006
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
订购信息
部分
H11C4
H11C5
H11C6
H11C4-X006
H11C6-X009
备注
I
FT
≤
11毫安， DIP - 6
I
FT
≤
11毫安， DIP - 6
I
FT
≤
14毫安， DIP - 6
I
FT
≤
11毫安， DIP - 6 400万（选项6 ）
I
FT
≤
14毫安， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该H11C4 / H11C5 / H11C6光学耦合
可控硅用砷化镓红外发射器和一个
硅光电可控硅传感器。开关可以实现
同时保持之间的高度隔离
触发电路和负载电路。这些光电耦合器可以
在SCR可控硅和固态继电器的应用程序中使用
其中高阻断电压和低输入电流
灵敏度是必需的。
该H11C4和H11C5是相同的，并且有一个MAX-
imum导通电流为11毫安。该H11C6有
最高14毫安。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
最大正向电流
功耗
从25° C减免线性
1.0毫秒， 1 ％占空比
测试条件
符号
V
RM
I
F
I
FM
P
DISS
价值
6.0
60
3.0
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
文档编号83610
修订版1.6 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
H11C4 / H11C5 / H11C6
威世半导体
产量
参数
反向栅极电压
阳极电压
RMS正向电流
浪涌电流阳极
最大正向电流
浪涌电流门
功耗
线性降额从25℃
10毫秒的持续时间
100
s,
1 ％占空比
5.0 ms的时间
直流或交流峰值
测试条件
符号
V
RG
V
A
I
疲劳风险管理
I
AS
I
FM
I
GS
P
DISS
价值
6.0
400
300
5.0
10
200
1000
13.3
单位
V
V
mA
A
A
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准23°C / 50 ％
RH ， DIN 50014 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总包耗散
从25° C减免线性
工作温度范围
存储温度范围
铅焊接时间在260℃
T
AMB
T
英镑
R
IO
R
IO
P
合计
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
400
5.5
- 55至+ 100
- 55至+ 150
10
mm
mm
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
F
I
R
C
O
50
民
典型值。
1.2
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
正向阻断电压
反向阻断电压
通态电压
保持电流
测试条件
R
GK
= 10 kΩ的，T
A
= 100 °C,
I
d
= 150
A
R
GK
= 10 kΩ的，T
A
= 100 °C,
I
d
= 150
A
I
T
= 300毫安
R
GK
= 27 KΩ ，V
FX
= 50 V
符号
V
DM
V
DM
V
t
I
H
民
400
400
1.1
1.3
500
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
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2
文档编号83610
修订版1.6 ， 10月26日04
H11C4 / H11C5 / H11C6
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号83610
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H11C4 / H11C5 / H11C6
威世半导体
光电耦合器， PhotoSCR输出， 400 V V
RM
， 5 A浪涌电流
特点
打开电流（I
FT
） ，5.0 mA典型
门极触发电流（I
GT
），20 mA典型
浪涌阳极电流， 5.0
阻断电压， 400 V栅触发电压（V
GT
),
0.6 V（典型）
隔离测试电压5300 V
RMS
固态可靠性
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
6 G
5 A
4 C
i179006
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
订购信息
部分
H11C4
H11C5
H11C6
H11C4-X006
H11C6-X009
备注
I
FT
≤
11毫安， DIP - 6
I
FT
≤
11毫安， DIP - 6
I
FT
≤
14毫安， DIP - 6
I
FT
≤
11毫安， DIP - 6 400万（选项6 ）
I
FT
≤
14毫安， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该H11C4 / H11C5 / H11C6光学耦合
可控硅用砷化镓红外发射器和一个
硅光电可控硅传感器。开关可以实现
同时保持之间的高度隔离
触发电路和负载电路。这些光电耦合器可以
在SCR可控硅和固态继电器的应用程序中使用
其中高阻断电压和低输入电流
灵敏度是必需的。
该H11C4和H11C5是相同的，并且有一个MAX-
imum导通电流为11毫安。该H11C6有
最高14毫安。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
最大正向电流
功耗
从25° C减免线性
1.0毫秒， 1 ％占空比
测试条件
符号
V
RM
I
F
I
FM
P
DISS
价值
6.0
60
3.0
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
文档编号83610
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H11C4 / H11C5 / H11C6
威世半导体
产量
参数
反向栅极电压
阳极电压
RMS正向电流
浪涌电流阳极
最大正向电流
浪涌电流门
功耗
线性降额从25℃
10毫秒的持续时间
100
s,
1 ％占空比
5.0 ms的时间
直流或交流峰值
测试条件
符号
V
RG
V
A
I
疲劳风险管理
I
AS
I
FM
I
GS
P
DISS
价值
6.0
400
300
5.0
10
200
1000
13.3
单位
V
V
mA
A
A
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准23°C / 50 ％
RH ， DIN 50014 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总包耗散
从25° C减免线性
工作温度范围
存储温度范围
铅焊接时间在260℃
T
AMB
T
英镑
R
IO
R
IO
P
合计
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
400
5.5
- 55至+ 100
- 55至+ 150
10
mm
mm
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
F
I
R
C
O
50
民
典型值。
1.2
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
正向阻断电压
反向阻断电压
通态电压
保持电流
测试条件
R
GK
= 10 kΩ的，T
A
= 100 °C,
I
d
= 150
A
R
GK
= 10 kΩ的，T
A
= 100 °C,
I
d
= 150
A
I
T
= 300毫安
R
GK
= 27 KΩ ，V
FX
= 50 V
符号
V
DM
V
DM
V
t
I
H
民
400
400
1.1
1.3
500
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
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H11C4 / H11C5 / H11C6
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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5
PHOTO可控硅光耦合器
H11C1
H11C2
包
H11C3
H11C4
H11C5
H11C6
概要
阳极1
6门
6
1
6
阴极2
5阳极
1
N / C 3
4阴极
6
1
描述
该H11C系列由一个砷化镓红外发光二极管光耦合的光活化的硅可控的
在双列直插式封装整流器器
特点
高英法fi效率，低降解液态LED外延
美国保险商实验室（ UL ）的认可 - 文件＃ E90700
VDE认可（文件＃ 94766 ） - 订购选项.300 。 （例如， H11C1.300 ）
200V / 400V峰值阻断电压
高隔离电压 - 5300V AC （ RMS）
应用
低功耗逻辑电路
电信设备
便携式电子产品
固态继电器
接口不同的潜能和阻抗耦合系统。
10 A，T
2
L兼容，固态继电器
25 W的逻辑指示灯驱动器
200 V的对称晶体管耦合器（ H11C1 ， H11C2 ， H11C3 ）
400 V的对称晶体管耦合器（ H11C4 ， H11C5 ， H11C6 ）
2003仙童半导体公司
分页： 11 1
3/19/03
PHOTO可控硅光耦合器
H11C1
参数
设备总
储存温度
工作温度
H11C2
H11C3
符号
H11C4
设备
H11C5
价值
H11C6
单位
T
英镑
T
OPR
T
SOL
I
F
V
R
I
F（ PK）
P
D
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
60
6
3.0
100
1.33
400
5.3
1
13.3
6
300
10
5
200
400
°C
°C
°C
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
V
mA
A
A
V
V
无铅焊锡温度
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗
减免上述25℃
探测器
功耗（环境）
线性降额高于25° C的环境
功率耗散（下）
线性降额高于25 ℃的情况下，
峰值反向栅极电压
RMS通态电流
峰值通态电流（ 100微秒， 1 ％占空比）
浪涌电流（ 10毫秒）
峰值正向电压
峰值正向电压
P
D
P
D
V
GR
I
DM （ RMS ）
I
DM （峰）
I
DM （浪涌）
V
DM
V
DM
所有
所有
所有
所有
所有
所有
H11C1 ， H11C2 ， H11C3
H11C4 ， H11C5 ， H11C6
2003仙童半导体公司
第11 2
3/19/03
PHOTO可控硅光耦合器
H11C1
H11C2
H11C3
H11C4
H11C5
H11C6
隔离特性
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
*在T典型值
A
= 25°C
记
一，在本试验中， LED引脚1和2是常见的，并且可控硅引脚4 ， 5和6是常见的。
测试条件
性（t = 1分钟） （注1）
（注1 ） （V
我-O
= 500 VDC）
（注1 ） （ F = 1MHz时， V
我-O
= 0)
符号
V
ISO
R
ISO
C
我-O
民
5300
10
11
0.8
典型*
最大
单位
V
pF
2003仙童半导体公司
第11 4
3/19/03
QQ：2880707522 复制
