【】,IC型号H11C2,H11C2 PDF资料,H11C2经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHOTO可控硅光耦合器

H11C1

H11C2

包

H11C3

H11C4

H11C5

H11C6

概要

阳极1

6门

6

1

6

阴极2

5阳极

1

N / C 3

4阴极

6

1

描述

该H11C系列由一个砷化镓红外发光二极管光耦合的光活化的硅可控的

在双列直插式封装整流器器

特点

高英法fi效率，低降解液态LED外延

美国保险商实验室（ UL ）的认可 - 文件＃ E90700

VDE认可（文件＃ 94766 ） - 订购选项.300 。（例如， H11C1.300 ）

200V / 400V峰值阻断电压

高隔离电压 - 5300V AC （ RMS）

应用

低功耗逻辑电路

电信设备

便携式电子产品

固态继电器

接口不同的潜能和阻抗耦合系统。

10 A，T

2

L兼容，固态继电器

25 W的逻辑指示灯驱动器

200 V的对称晶体管耦合器（ H11C1 ， H11C2 ， H11C3 ）

400 V的对称晶体管耦合器（ H11C4 ， H11C5 ， H11C6 ）

2003仙童半导体公司

分页： 11 1

3/19/03

PHOTO可控硅光耦合器

H11C1

参数

设备总

储存温度

工作温度

H11C2

H11C3

符号

H11C4

设备

H11C5

价值

H11C6

单位

T

英镑

T

OPR

T

SOL

I

F

V

R

I

F（ PK）

P

D

所有

-55到+150

-55到+100

260 ，持续10秒

60

6

3.0

100

1.33

400

5.3

1

13.3

6

300

10

5

200

400

°C

mA

V

A

mW

毫瓦/°C的

mW

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

V

mA

A

V

无铅焊锡温度

辐射源

连续正向电流

反向电压

正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）

LED功耗

减免上述25℃

探测器

功耗（环境）

线性降额高于25° C的环境

功率耗散（下）

线性降额高于25 ℃的情况下，

峰值反向栅极电压

RMS通态电流

峰值通态电流（ 100微秒， 1 ％占空比）

浪涌电流（ 10毫秒）

峰值正向电压

P

D

P

D

V

GR

I

DM （ RMS ）

I

DM （峰）

I

DM （浪涌）

V

DM

V

DM

所有

H11C1 ， H11C2 ， H11C3

H11C4 ， H11C5 ， H11C6

2003仙童半导体公司

第11 2

3/19/03

PHOTO可控硅光耦合器

H11C1

H11C2

H11C3

H11C4

H11C5

H11C6

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

单个组件特性

参数

辐射源

输入正向

电压

反向漏

当前

电容

探测器

断态电压

反向电压

通态电压

R

GK

= 10k

, T

A

= 100℃，我

D

= 50A

R

GK

= 10k

, T

A

= 100℃，我

D

= 150A

R

GK

= 10k

,T

A

= 100℃，我

R

= 50A

R

GK

= 10k

,T

A

= 100℃，我

R

= 150A

I

TM

= 300毫安

V

DM

= 200V ，T

A

= 100℃，我

F

= 0 mA时，

R

GK

= 10k

V

DM

= 400V ，T

A

= 100℃，我

F

= 0 mA时，

R

GK

= 10k

V

RM

= 200 V，T

A

= 100℃，我

F

= 0 mA时，

R

GK

= 10k

V

RM

= 400 V ，T

A

= 100℃，我

F

= 0 mA时，

R

GK

= 10k

V

DM

V

RM

V

TM

H11C1 ， H11C2 ， H11C3

H11C4 ， H11C5 ， H11C6

H11C1 ， H11C2 ， H11C3

H11C4 ， H11C5 ， H11C6

所有

H11C1 ， H11C2 ， H11C3

I

DM

H11C4 ， H11C5 ， H11C6

H11C1 ， H11C2 ， H11C3

I

RM

H11C4 ， H11C5 ， H11C6

150

50

A

200

400

200

400

1.2

1.3

50

V

A

I

F

= 10毫安

V

R

= 3 V

V

F

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

V

F

I

R

C

J

所有

50

1.2

1.5

10

V

A

pF

测试条件

符号

设备

民

典型*

最大

单位

FF-态电流

反向电流

传输特性

(T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

测试条件

V

AK

= 50 V ，R

GK

= 10 k

输入电流触发

V

AK

= 100 V ，R

GK

= 27 k

再加上的dv / dt ，输入

输出（FI gure 8 ）

*在T典型值

A

= 25°C

I

FT

符号

设备

H11C1,H11C2,

H11C4 ， H11C5

H11C3 ， H11C6

H11C1,H11C2,

H11C4 ， H11C5

H11C3 ， H11C6

dv / dt的

所有

500

民

典型*

最大

20

30

11

14

V / μs的

mA

单位

2003仙童半导体公司

第11 3

3/19/03

PHOTO可控硅光耦合器

H11C1

H11C2

H11C3

H11C4

H11C5

H11C6

隔离特性

特征

隔离电压

绝缘电阻

隔离电容

*在T典型值

A

= 25°C

记

一，在本试验中， LED引脚1和2是常见的，并且可控硅引脚4 ， 5和6是常见的。

测试条件

性（t = 1分钟）（注1）

（注1 ）（V

我-O

= 500 VDC）

（注1 ）（ F = 1MHz时， V

我-O

= 0)

符号

V

ISO

R

ISO

C

我-O

民

5300

10

11

0.8

典型*

最大

单位

V

pF

2003仙童半导体公司

第11 4

3/19/03

PHOTO可控硅光耦合器

H11C1

H11C2

H11C3

H11C4

H11C5

H11C6

图1. LED正向电流与正向电压

100

图2.触发电流与阳极 - 阴极电压

100

10

I

FT

归一触发电流

R

GK

= 300欧姆

正向电流 - IF （MA ）

10

R

GK

= 1K

TA = 25°C

TA = 100℃

1

TA = -40°C

R

GK

= 10K

1

R

GK

= 27K

R

GK

= 56K

归一

V

AK

= 50V

R

GK

= 10K

0.1

T

A

= 25

o

C

1

10

100

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

正向电压 - VF（ V）

V

AK

，阳极 - 阴极电压（V）的

图3.输入触发电流与温度的关系

1000

图4.断态电流与温度的关系

R

GK

= 300欧姆

10

R

GK

= 1K

I

DM

，断态正向电流归一

I

FT

输入触发电流，归一化

100

V

AK

= 400V

10

R

GK

= 10K

1

R

GK

= 27K

V

AK

= 200V

1

V

AK

= 50V

0.1

-60

归一

T

A

= 25

o

C

R

GK

= 10K

V

AK

= 50V

-40

-20

0

20

R

GK

= 56K

40

o

60

80

100

归一

T

A

= 25

o

C

V

AK

= 50V

0.1

0

20

40

60

o

T

A

，环境温度（ C）

80

100

T

A

，环境温度（ C）

2003仙童半导体公司

第11个5

3/19/03

MCC

特点

低漏

低阻抗齐纳

高可靠性

?????????? ?????? omponents

21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

H2系列

THRU

H36系列

500毫瓦

稳压二极管

1.7到37.2伏

最大额定值

符号

P

D

T

J

T

英镑

等级

功耗

结温

存储温度范围

等级

500

-55到+150

单位

W

O

C

O

C

10

-2

H16

H30

H12

H20

10

-3

齐纳电流I

Z

(A)

H2

H4

H6

H24

H36

H9

10

-4

10

-5

10

-6

10

-7

10

-8

0

5

10

15

20

25

30

35

40

尺寸

齐纳电压V

Z

(V)

图1齐纳电流与齐纳电压

www.mccsemi.com

H2系列直通H36系列

MCC

50

齐纳电压

温度COEF网络cient

γ

z

（MV / C）

0.10

齐纳电压

温度COEF网络cient

γ

z

(%/ C)

500

5mm

2.5 mm

3 mm

0.08

0.06

0.04

%/ C

40

30

20

毫伏/ C

10

0

–10

–20

–30

–40

400

功耗，Pd （MW ）

印刷电路板

100

×

180

×

1.6吨毫米

质量：酚醛纸

0.02

0

300

–0.02

–0.04

–0.06

–0.08

–0.10

0

5

200

100

–50

10 15 20 25 30 35 40

齐纳电压V

Z

(V)

0

100

150

周围温度Ta （℃）

50

200

图2温度系数与齐纳电压

图3功耗与环境温度

电气特性@ 25

°

C

MCC

产品型号

TYPE

GRADE

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

C3

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

C3

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

齐纳电压

V

Z

@ I

ZT

伏

民

最大

1.6

1.7

1.8

1.9

2.0

2.1

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

2.7

2.8

2.9

3.0

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

4.0

4.1

1.8

1.9

2.0

2.1

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

2.7

2.8

2.9

3.0

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

4.0

4.1

4.2

4.3

测试电流

I

ZT

mA

5.0

动态电阻

r

d

（最大）

欧

100

I

Z

mA

5.0

反向电流

I

R

（最大）

@

V

R

A

25

5.0

伏

0.5

1.0

H2

H3

H4

www.mccsemi.com

H2系列直通H36系列

电气特性@ 25°C

MCC

产品型号

TYPE

GRADE

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

C3

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

C3

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

C3

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

C3

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

C3

A1

A2

A3

B1

B2

B3

C1

C2

C3

1

2

3

1

2

3

1

2

3

1

2

3

齐纳电压

V

Z

@ I

ZT

伏

民

4.3

4.4

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

5.1

5.2

5.3

5.4

5.5

5.6

5.7

5.8

6.0

6.1

6.3

6.4

6.6

6.7

6.9

7.0

7.2

7.3

7.5

7.7

7.9

8.1

8.3

8.5

8.7

8.9

9.1

9.3

9.5

9.7

9.9

10.2

10.4

10.7

10.9

11.1

11.4

11.6

11.9

12.2

12.4

12.6

12.9

13.2

13.5

13.8

14.1

14.5

14.9

15.3

15.7

16.3

16.9

17.5

18.1

18.8

19.5

20.2

最大

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

5.1

5.2

5.3

5.5

5.6

5.7

5.8

5.9

6.0

6.1

6.3

6.4

6.6

6.7

6.9

7.0

7.2

7.3

7.6

7.7

7.9

8.1

8.3

8.5

8.7

8.9

9.1

9.3

9.5

9.7

9.9

10.1

10.3

10.6

10.8

11.1

11.3

11.6

11.9

12.1

12.4

12.7

12.9

13.1

13.4

13.7

14.0

14.3

14.7

15.1

15.5

15.9

16.5

17.1

17.7

18.3

19.0

19.7

20.4

21.1

测试电流

I

ZT

mA

5.0

2.0

欧

100

40

15

20

25

35

40

45

55

60

动态电阻

MCC

r

d

（最大）

I

Z

mA

5.0

2.0

反向电流

I

R

（最大）

@

V

R

A

5.0

1.0

伏

1.5

2.0

3.5

5.0

7.5

9.5

11

12

13

15

H5

H6

H7

H9

H11

H12

H15

H16

H18

H20

www.mccsemi.com

MCC

H2系列直通H36系列

电气特性@ 25°C

MCC

产品型号

TYPE

H22

GRADE

1

2

3

1

2

3

1

2

3

1

2

3

1

2

3

1

2

3

齐纳电压

V

Z

@ I

ZT

伏

民

最大

20.9

21.6

22.3

22.9

23.6

24.3

25.2

26.2

27.2

28.2

29.2

30.2

31.2

32.2

33.2

34.2

35.3

36.4

21.9

22.6

23.3

24.0

24.7

25.5

26.6

27.6

28.6

29.6

30.6

31.6

32.6

33.6

34.6

35.7

36.8

38.0

测试电流

I

ZT

mA

2.0

动态电阻

r

d

（最大）

欧

65

70

80

100

120

140

I

Z

mA

2.0

反向电流

I

R

（最大）

@

V

R

A

1.0

伏

17

19

21.0

23.0

25.0

27.0

H24

H27

H30

H33

H36

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