4 -PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
H11B815
包
概要
阳极1
4珍藏
4
4
阴极2
3发射器
1
1
4
1
描述
该H11B815由砷化镓红外发光二极管驱动硅达林顿晶体管在一个4针双
列直插式封装。
特点
紧凑型4 -pin封装
电流传输比： 600 ％以上（在我
F
= 1 mA）的
输入和输出之间的高隔离电压（ VRMS 5300 ）
UL认证（文件号E90700 ）
应用
电源监视器
继电器触点监测器
电话/电报线路接收器
双绞线接收器
数字逻辑/数字逻辑
2002仙童半导体公司
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4 -PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
H11B815
绝对最大额定值
（无需降额高达85° C）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
辐射源
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
正向电流 - 峰值（ 1μs的脉冲， 300pps ）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
D
35
6
200
200
2.0
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
80
6
1
140
1.33
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
°C
°C
°C
mW
符号
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
电容
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
35
6
60
8
0.005
8
1
V
V
A
pF
(I
F
= 20 mA）的
(V
R
= 6.0 V)
V
F
I
R
1.2
0.001
1.50
10
V
A
测试条件
符号
民
典型**
最大
单位
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