H11B1/H11B2/H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
特点
绝缘测试电压： 5300 V
RMS
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
耦合电容为0.5pF
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
机构认证
描述
该
H11B1/H11B2/H11B3
是
工业
标准
光电耦合器，由一个砷化镓红外发光二极管
和硅光电复合。
UL1577 ，文件号E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-5可用的选项1
订购信息
部分
H11B1
H11B2
H11B3
H11B1-X007
H11B1-X009
H11B2-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 200 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极电流（连续）
功耗
从25° C减免线性
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
C
P
DISS
25
7
30
100
150
2
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
R
I
F
P
DISS
3
60
100
1.33
V
mA
mW
毫瓦/°C的
测试条件
符号
价值
单位
文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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H11B1/H11B2/H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
总包损耗（ LED加检测器）
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
CTI
R
IO
R
IO
P
合计
≥
发射器和检测器之间，
是指非标准气候
23 ℃/ 50 ％RH下，DIN 50014
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
175
≥
10
12
10
11
260
3.5
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
Ω
Ω
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
V
RMS
mm
mm
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
反向电流
结电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
饱和电压集电极 - 发射极
电容（输入输出）
I
C
= 1毫安，我
C
= 1毫安
V
CESAT
C
IO
0.5
1.0
V
pF
I
C
= 1毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 100μA ，我
F
= 0毫安
I
C
= 100 μA ，我
F
= 0毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 0毫安
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
30
7.0
30
100
V
V
V
nA
I
F
= 50毫安
I
F
= 10毫安
V
R
= 3 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
H11B1
H11B2
H11B3
V
F
V
F
V
F
I
R
C
j
50
1.1
1.1
1.1
1.5
1.5
1.5
10
V
V
V
A
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
H11B1
H11B2
H11B3
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
分钟。
500
200
100
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
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H11B1/H11B2/H11B3
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
开关特性
参数
开关时间
测试条件
I
F
= 5毫安， V
CE
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
5
30
马克斯。
单位
s
s
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
100
T
a
= - 55 °C
V
F
- 前进
电压
(V)
1.
3
NI
ce
-
归
I
ce
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
1
10
100
T
a
= 100 °C
T
a
= 25 °C
10
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 2毫安
V
CE
= 5
V
V
CE
= 1
V
1
0.1
0.01
0.1
ih11b1_03
1
10
100
ih11b1_01
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 3 - 归非饱和与饱和我
CE
与
LED电流
4.0
10
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 1毫安
NCTR
ce
-
归
CTR
ce
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
NI
ce
-
归
归
要：
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5
V
1
V
CE
= 5
V
V
CE
= 1
V
0.1
V
CE
= 5
V
0.01
V
CE
= 1
V
1
10
100
0.001
0.1
ih11b1_04
1
10
100
ih11b1_02
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 2 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图。 4 - 归非饱和与饱和集电极发射极
电流与LED电流
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H11B1/H11B2/H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
10000
h
FE
- 正向传输增益
V
CE
= 5
V
8000
6000
I
F
V
O
4000
V
CE
= 1
V
2000
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5
V
t
PHL
t
S
t
F
0
0.01
ih11b1_05
0.1
1
10
100
ih11b1_08
I
b
- 基本电流（ μA ）
图。 5 - 非饱和与饱和
FE
与基极电流
图。 8 - 开关波形
80
V
CC
= 5
V
t
PLH
- 低/高传播
DELAY （微秒）
V
th
= 1.5
V
60
1.0 kΩ
V
CC
= 10
V
F = 10 kHz时，
40
220
Ω
470
Ω
DF = 50
%
R
L
V
O
20
100
Ω
0
0
5
10
15
20
ih11b1_09
I
F
= 5毫安
ih11b1_06
I
F
- LED电流（mA ）
图。 6 - 从低到高传输延迟 -
集电极负载电阻和LED电流
图。 9 - 开关示意图
20
t
PHL
- 高/低传播
DELAY （微秒）
1 kΩ
15
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
10
100
Ω
5
0
0
ih11b1_07
5
10
15
20
I
F
- LED电流（mA ）
图。 7 - 高到低传输延迟 -
集电极负载电阻和LED电流
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H11B1/H11B2/H11B3
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
包装尺寸
以英寸（毫米）
3
2
1
引脚1号
威世半导体
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
0.048
(0.45)
0.300 (7.62)
典型值。
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.031 （ 0.80 ）分。
0.031 (0.80)
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
i178004
18°
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
3 ° 9 °
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.035 (0.90)
选7
0.300 (7.62)
典型值。
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03)
0.300 (7.62)
REF 。
0.028 (0.7)
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
0.315 (8.00)
分钟。
0.012 （ 0.30 ）典型值。
15最大。
18494
文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
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H11B1 / H11B2 / H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益，随着基地
连接
特点
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
耦合电容为0.5pF
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码为J
i179005
e3
Pb
无铅
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
H11B1
H11B2
H11B3
H11B1-X007
H11B1-X009
H11B2-X009
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 200 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该H11B1 / H11B2 / H11B3是行业标准
光电耦合器，由砷化镓的基础设施
红色LED和硅光电复合。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
价值
25
7.0
30
单位
V
V
V
文档编号83609
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
H11B1 / H11B2 / H11B3
威世半导体
参数
集电极电流（连续）
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
C
P
DISS
价值
100
150
2.0
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
测试条件
发射器和检测器之间，
参考标准气候
23 ℃/ 50 ％RH下，DIN 50014
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总包损耗（ LED
加上检测器）
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
R
IO
R
IO
P
合计
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
260
3.5
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm
mm
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 50毫安
I
F
= 10毫安
目前储备
结电容
V
R
= 3.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
部分
H11B1
H11B2
H11B3
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
j
50
民
典型值。
1.1
1.1
1.1
最大
1.5
1.5
1.5
10
单位
V
V
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 100
A,
I
F
= 0毫安
I
C
= 100
A,
I
F
= 0毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 0毫安
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
民
30
7.0
30
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
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2
文档编号83609
修订版1.5 ， 10月26日04
H11B1 / H11B2 / H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益，随着基地
连接
特点
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
耦合电容为0.5pF
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码为J
i179005
e3
Pb
无铅
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
H11B1
H11B2
H11B3
H11B1-X007
H11B1-X009
H11B2-X009
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 200 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该H11B1 / H11B2 / H11B3是行业标准
光电耦合器，由砷化镓的基础设施
红色LED和硅光电复合。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
价值
25
7.0
30
单位
V
V
V
文档编号83609
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
H11B1 / H11B2 / H11B3
威世半导体
参数
集电极电流（连续）
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
C
P
DISS
价值
100
150
2.0
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
测试条件
发射器和检测器之间，
参考标准气候
23 ℃/ 50 ％RH下，DIN 50014
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总包损耗（ LED
加上检测器）
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
R
IO
R
IO
P
合计
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
260
3.5
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm
mm
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 50毫安
I
F
= 10毫安
目前储备
结电容
V
R
= 3.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
部分
H11B1
H11B2
H11B3
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
j
50
民
典型值。
1.1
1.1
1.1
最大
1.5
1.5
1.5
10
单位
V
V
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 100
A,
I
F
= 0毫安
I
C
= 100
A,
I
F
= 0毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 0毫安
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
民
30
7.0
30
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
www.vishay.com
2
文档编号83609
修订版1.5 ， 10月26日04
PHOTODARLINGTON光耦合器
描述
该CNX48U ， H11BX ， MOC8080和TIL113有
砷化镓红外发射器的光耦合到
硅平面光电复合。
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
H11B2
H11B255
H11B3
特点
高灵敏度，低输入驱动电流
符合或超过所有JEDEC规格注册
VDE 0884认证可以作为一个测试选项
-add选项.300 。 （例如， H11B1.300 ）
6
1
6
1
阳极1
6基地
概要
应用
低功耗逻辑电路
6
电信设备
便携式电子产品
固态继电器
接口不同的潜能和阻抗耦合系统。
阴极2
5收藏家
1
N / C 3
4发射器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 300微秒， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
CNX48U ， TIL113
H11B1 ， H11B2
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
3.3
100
6
3.0
100
1.8
30
25
55
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
H11B3
H11B255
MOC8080
CNX48U ， H11B1
H11B2 ， H11B3
V
30
V
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
TIL113
H11B255
MOC8080
55
7
150
2.0
V
V
mW
毫瓦/°C的
发射极 - 集电极击穿电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
BV
ECO
P
D
所有
所有
6/1/00
200042A
PHOTODARLINGTON光耦合器
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
典型的电光特性曲线
（25 ℃下自由空气温度，除非另有说明） （续）
H11B2
H11B255
H11B3
V
CC
输入
R
L
R
IN
输入
脉冲
产量
产量
10%
1.5 V
90%
5V
t
on
I
F
t
关闭
测试电路（除了CNX48U设备）
开关波形（除CNX48U所有设备）
图。 7开关时间测试电路和波形（除CNX48U所有设备）
V
CC
输入
输入
R
BE
50
产量
R
E
t
on
90%
10%
t
关闭
测试电路（ CNX48U只）
开关波形（ CNX48U只）
图。 8开关时间测试电路和波形（ CNX48U只）
笔记
1.电流传输比（I
C
/I
F
）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率
CE
@ 10 V.
2.在本试验中， LED的引脚1和2是常用的和光电晶体管管脚4,5和6中是常见的。
6/1/00
200042A
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过H11B1 / D
GlobalOptoisolator
H11B1 *
[点击率= 500 ％最小]
6引脚DIP光隔离器
达林顿输出（低输入电流）
该H11B1和H11B3设备包括一个砷化镓红外发光
二极管光耦合到一个单片硅光电复合检测器。他们
用在需要高输出电流的应用而设计（
IC ）
在低LED
输入电流（
IF）
.
高灵敏度低输入驱动电流（
IF = 1 mA）的
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备中，
后缀为“ V”必须包含在零件编号最后。 VDE 0884是一个测试选项。
应用
家电，测量仪器
计算机I / O接口
可编程控制器
不同的潜能和阻抗的接口和连接系统
固态继电器
便携式电子产品
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
输入LED
反向电压
正向电流 - 连续
LED功率耗散@ TA = 25℃
在检测器输出功率可忽略不计
减免上述25℃
输出检测
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
连续集电极电流 -
探测器功耗@ TA = 25℃
用可以忽略不计的输入LED
减免上述25℃
设备总
隔离浪涌电压（ 1 ）
（交流峰值电压， 60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作环境温度范围（ 2 ）
存储温度范围（ 2 ）
焊接温度（ 10秒， 1/16“的情况下）
VISO
PD
TA
TSTG
7500
250
2.94
- 55 + 100
- 55 + 150
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
VCEO
VEBO
VCBO
IC
PD
25
7
30
100
150
1.76
伏
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
VR
IF
PD
3
60
150
1.41
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
H11B3
[点击率= 100 ％最小]
*摩托罗拉的首选设备
风格1塑料
6
1
标准通孔
CASE 730A -04
概要
1
2
3
NC
6
5
4
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
LED阳极
LED阴极
北卡罗来纳州
辐射源
集热器
BASE
TL
260
°C
1.隔离浪涌电压是内部设备绝缘击穿的评价。
1.
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
2.参考质量和可靠性科光电数据手册，了解有关试验条件。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
GlobalOptoisolator是摩托罗拉公司的一个商标。
REV 1
摩托罗拉
1995年公司
摩托罗拉，
光电设备数据
1
H11B1 H11B3
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
输入LED
正向电压（ IF = 10 mA）的
正向电压（ IF = 50 mA）的
反向漏电流（ VR = 3V）
电容（ V = 0 V ， F = 1兆赫）
输出检测
集电极 - 发射极暗电流（ VCE = 10 V）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 10 mA）的
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 100
A)
发射极 - 集电极击穿电压（IE = 100
A)
直流电流增益（ IC = 5毫安， VCE = 5V） （典型值）
集电极 - 发射极电容（ F = 1MHz时， VCE = 5V）
集电极 - 基极电容（ F = 1MHz时， VCB = 5 V）
发射极 - 基极电容（ F = 1MHz时， VEB = 5V）
再加
输出集电极电流（ IF = 1毫安， VCE = 5V）
H11B1
H11B3
集成电路（ CTR）， （2）
VCE （ SAT ）
吨
花花公子
tr
tf
VISO
RISO
CISO
5 (500)
1 (100)
—
—
—
—
—
7500
1011
—
—
—
0.7
3.5
95
1
2
—
—
0.2
—
—
1
—
—
—
—
—
—
—
MA（ ％ ）
伏
s
s
s
s
VAC （ PK）
pF
ICEO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） ECO
的hFE
CCE
建行
CEB
—
25
30
7
—
—
—
—
5
80
100
—
16K
4.9
6.3
3.8
100
—
—
—
—
—
—
—
nA
伏
伏
伏
—
pF
pF
pF
H11B1
H11B3
VF
VF
IR
CJ
—
—
—
—
1.15
1.34
—
18
1.5
1.5
10
—
伏
伏
A
pF
符号
民
典型值
(1)
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 1 mA时， IF = 1 mA）的
导通时间（ IF = 5毫安， VCC = 10V ， RL = 100
)
(3)
关断时间（ IF = 5毫安， VCC = 10V ， RL = 100
)
(3)
上升时间（ IF = 5毫安， VCC = 10V ， RL = 100
)
(3)
下降时间（ IF = 5毫安， VCC = 10V ， RL = 100
)
(3)
隔离电压中（f = 60赫兹，吨= 1秒）（4）
隔离电阻（ V = 500伏）（4）
隔离电容（V = 0V中，f = 1 MHz）的（4）
1.
2.
3.
4.
始终以设计规定的最小/最大电限（如适用） 。
电流传输比（ CTR） = IC / IF ×100％ 。
测试电路的设置和波形，参见图11 。
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
典型特征
2
VF ，正向电压（伏）
PULSE ONLY
脉冲或DC
1.8
我C，输出集电极电流（归）
10
标准化为： IF = 10毫安
TA = 25°C
1
1.6
1.4
TA = -55°C
25°C
100°C
1
10
100
IF ， LED正向电流（mA ）
1000
1.2
1
0.1 TA = -55°C THRU
+25°C
+70°C
+100°C
0.01
0.5
1
2
5
10
20
IF ， LED输入电流（mA）
50
图1. LED正向电压与正向电流
图2.输出电流与输入电流
2
摩托罗拉光电设备数据
PHOTODARLINGTON光耦合器
描述
该CNX48U ， H11BX ， MOC8080和TIL113有
砷化镓红外发射器的光耦合到
硅平面光电复合。
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
H11B2
H11B255
H11B3
特点
高灵敏度，低输入驱动电流
符合或超过所有JEDEC规格注册
VDE 0884认证可以作为一个测试选项
-add选项.300 。 （例如， H11B1.300 ）
6
1
6
1
阳极1
6基地
概要
应用
低功耗逻辑电路
6
电信设备
便携式电子产品
固态继电器
接口不同的潜能和阻抗耦合系统。
阴极2
5收藏家
1
N / C 3
4发射器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 300微秒， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
CNX48U ， TIL113
H11B1 ， H11B2
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
3.3
100
6
3.0
100
1.8
30
25
55
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
H11B3
H11B255
MOC8080
CNX48U ， H11B1
H11B2 ， H11B3
V
30
V
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
TIL113
H11B255
MOC8080
55
7
150
2.0
V
V
mW
毫瓦/°C的
发射极 - 集电极击穿电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
BV
ECO
P
D
所有
所有
6/1/00
200042A
PHOTODARLINGTON光耦合器
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
典型的电光特性曲线
（25 ℃下自由空气温度，除非另有说明） （续）
H11B2
H11B255
H11B3
V
CC
输入
R
L
R
IN
输入
脉冲
产量
产量
10%
1.5 V
90%
5V
t
on
I
F
t
关闭
测试电路（除了CNX48U设备）
开关波形（除CNX48U所有设备）
图。 7开关时间测试电路和波形（除CNX48U所有设备）
V
CC
输入
输入
R
BE
50
产量
R
E
t
on
90%
10%
t
关闭
测试电路（ CNX48U只）
开关波形（ CNX48U只）
图。 8开关时间测试电路和波形（ CNX48U只）
笔记
1.电流传输比（I
C
/I
F
）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率
CE
@ 10 V.
2.在本试验中， LED的引脚1和2是常用的和光电晶体管管脚4,5和6中是常见的。
6/1/00
200042A
H11B1/H11B2/H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
特点
绝缘测试电压： 5300 V
RMS
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
耦合电容为0.5pF
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
机构认证
描述
该
H11B1/H11B2/H11B3
是
工业
标准
光电耦合器，由一个砷化镓红外发光二极管
和硅光电复合。
UL1577 ，文件号E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-5可用的选项1
订购信息
部分
H11B1
H11B2
H11B3
H11B1-X007
H11B1-X009
H11B2-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 200 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极电流（连续）
功耗
从25° C减免线性
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
C
P
DISS
25
7
30
100
150
2
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
R
I
F
P
DISS
3
60
100
1.33
V
mA
mW
毫瓦/°C的
测试条件
符号
价值
单位
文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
283
H11B1/H11B2/H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
总包损耗（ LED加检测器）
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
CTI
R
IO
R
IO
P
合计
≥
发射器和检测器之间，
是指非标准气候
23 ℃/ 50 ％RH下，DIN 50014
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
175
≥
10
12
10
11
260
3.5
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
Ω
Ω
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
V
RMS
mm
mm
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
反向电流
结电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
饱和电压集电极 - 发射极
电容（输入输出）
I
C
= 1毫安，我
C
= 1毫安
V
CESAT
C
IO
0.5
1.0
V
pF
I
C
= 1毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 100μA ，我
F
= 0毫安
I
C
= 100 μA ，我
F
= 0毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 0毫安
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
首席执行官
30
7.0
30
100
V
V
V
nA
I
F
= 50毫安
I
F
= 10毫安
V
R
= 3 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
H11B1
H11B2
H11B3
V
F
V
F
V
F
I
R
C
j
50
1.1
1.1
1.1
1.5
1.5
1.5
10
V
V
V
A
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
H11B1
H11B2
H11B3
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
分钟。
500
200
100
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
www.vishay.com
284
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
H11B1/H11B2/H11B3
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
开关特性
参数
开关时间
测试条件
I
F
= 5毫安， V
CE
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
5
30
马克斯。
单位
s
s
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
100
T
a
= - 55 °C
V
F
- 前进
电压
(V)
1.
3
NI
ce
-
归
I
ce
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
1
10
100
T
a
= 100 °C
T
a
= 25 °C
10
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 2毫安
V
CE
= 5
V
V
CE
= 1
V
1
0.1
0.01
0.1
ih11b1_03
1
10
100
ih11b1_01
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 3 - 归非饱和与饱和我
CE
与
LED电流
4.0
10
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 1毫安
NCTR
ce
-
归
CTR
ce
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
NI
ce
-
归
归
要：
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5
V
1
V
CE
= 5
V
V
CE
= 1
V
0.1
V
CE
= 5
V
0.01
V
CE
= 1
V
1
10
100
0.001
0.1
ih11b1_04
1
10
100
ih11b1_02
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 2 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图。 4 - 归非饱和与饱和集电极发射极
电流与LED电流
文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
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285
H11B1/H11B2/H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
10000
h
FE
- 正向传输增益
V
CE
= 5
V
8000
6000
I
F
V
O
4000
V
CE
= 1
V
2000
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5
V
t
PHL
t
S
t
F
0
0.01
ih11b1_05
0.1
1
10
100
ih11b1_08
I
b
- 基本电流（ μA ）
图。 5 - 非饱和与饱和
FE
与基极电流
图。 8 - 开关波形
80
V
CC
= 5
V
t
PLH
- 低/高传播
DELAY （微秒）
V
th
= 1.5
V
60
1.0 kΩ
V
CC
= 10
V
F = 10 kHz时，
40
220
Ω
470
Ω
DF = 50
%
R
L
V
O
20
100
Ω
0
0
5
10
15
20
ih11b1_09
I
F
= 5毫安
ih11b1_06
I
F
- LED电流（mA ）
图。 6 - 从低到高传输延迟 -
集电极负载电阻和LED电流
图。 9 - 开关示意图
20
t
PHL
- 高/低传播
DELAY （微秒）
1 kΩ
15
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
10
100
Ω
5
0
0
ih11b1_07
5
10
15
20
I
F
- LED电流（mA ）
图。 7 - 高到低传输延迟 -
集电极负载电阻和LED电流
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286
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文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
H11B1/H11B2/H11B3
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
包装尺寸
以英寸（毫米）
3
2
1
引脚1号
威世半导体
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
0.048
(0.45)
0.300 (7.62)
典型值。
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.031 （ 0.80 ）分。
0.031 (0.80)
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
i178004
18°
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
3 ° 9 °
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.035 (0.90)
选7
0.300 (7.62)
典型值。
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03)
0.300 (7.62)
REF 。
0.028 (0.7)
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
0.315 (8.00)
分钟。
0.012 （ 0.30 ）典型值。
15最大。
18494
文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
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287
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
产品特点：
4NXX系列： 4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33
H11BX系列： H11B1 ， H11B2 ， H11B3 ， H11B255
输入端之间的高隔离电压
和输出（维索= 5000 V有效值）
爬电距离>7.62毫米
符合或超过所有JEDEC规格注册
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（申请中）
SEMKO认证（申请中）
NEMKO认可（申请中）
DEMKO认证（申请中）
FIMKO认证（申请中）
CSA认证（申请中）
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
描述
该TIL113 ， 4NXX和H11BX系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
照片达林顿管检测器。
它们封装在一个6引脚DIP封装，可
在宽引线间距和SMD选项。
应用
低功耗逻辑电路
电信设备
便携式电子产品
接口不同的潜能和阻抗耦合系统
1
2
3
概要
6
5
4
引脚配置
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： PDS - ELSD -113版本0
1
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6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ T = 10微秒）
输入
反向电压
功耗
功耗
集电极 - 发射极电压
产量
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
发射极 - 基极电压
总功耗
隔离电压
*1
工作温度
储存温度
焊接温度
*2
V
CBO
V
ECO
V
EBO
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
V
R
P
D
P
C
V
首席执行官
符号
I
F
I
FM
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
等级
60
1
6
120
150
55
55
7
7
200
5000
-55~+100
-55~+125
260
单位
mA
A
V
mW
mW
V
V
V
V
mW
V有效值
°C
°C
°C
笔记
* 1交流电进行1分钟， RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 2 10秒。
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6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
I
R
C
in
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
1.2
-
50
马克斯。
1.5
10
-
单位
V
A
pF
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安的H11B3
V
R
= 6V
V = 0 ， F = 1MHz的
产量
参数
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
*在T典型值
a
= 25°C
符号
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
分钟。
-
55
55
7
TYP 。 *
-
-
-
-
-
马克斯。
100
单位
nA
V
V
V
条件
V
CE
= 10V
I
c
=1mA
I
C
=0.1mA
I
E
=0.1mA
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3
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6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
4N32
4N33
4N29
4N30
当前
转让
比
4N31
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
TIL113
4N29
4N30
4N32
4N33
4N31
TIL113
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
绝缘电阻
输入输出电容
R
IO
C
IO
10
11
-
-
0.8
V
CE （ SAT ）
CTR
符号
分钟。
500
100
50
500
200
100
100
300
-
-
1.0
-
-
-
-
%
TYP 。 *
-
马克斯。
-
单位
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 1V
I
F
= 8毫安，我
c
= 2毫安
集电极 - 发射极
饱和
电压
-
-
-
-
1.2
1.0
1.0
-
-
V
I
F
= 8毫安，我
c
= 2毫安
I
F
= 1mA时，我
c
= 1毫安
I
F
= 50mA时我
c
= 50毫安
Ω
pF
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
传输特性
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6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
参数
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
开启时间
4N29
4N30
4N31
4N32
4N33
TIL113
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
打开-O FF时间
4N32
4N33
TIL113
花花公子
吨
-
-
5
符号
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
V
CC
= 10V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 100Ω
-
25
s
V
CC
= 10V ，我
C
= 50mA时
I
F
=200mA
-
18
V
CC
= 10V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 100Ω
-
-
100
s
V
CC
= 10V ，我
C
= 50mA时
I
F
=200mA
4N29
4N30
4N31
*在T典型值
a
= 25°C
40
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H11B1X ， H11B2X ， H11B3X
H11B1 ， H11B2 ， H11B3
光耦合隔离器
PHOTODARLINGTON输出
认证
l
2.54
6.4
6.2
1.54
8.8
8.4
1
2
3
尺寸（mm）
UL认证，文件号E91231
-
“X”规格认证
l
VDE 0884 2可用引脚形式：
- STD
- 摹形
VDE 0884的SMD正在申请审批
l
SETI批准，寄存器。 no.151786-18
描述
该H11B_系列光耦合
隔离器包含一个红外发光
二极管和NPN硅光电复合了
节省空间的双列直插式塑料封装。
6
5
4
4.3
4.1
0.5
0.3
7.8
7.4
0.5
3.3
9.6
8.4
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
集电极 - 基极电压BV
CBO
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
30V
50V
5V
150mW
80mA
5V
105mW
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高电流传输比
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
所有电气参数100％测试
l
定制电可用的选项
应用
l
电脑终端机
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
5.08
马克斯。
1.2
0.6
1.4
0.9
0.26
10.16
总功耗
250mW
（减免线性3.3mW / ° C以上25 ° C）
10.2
9.5
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
7/12/00
DB92167-AAS/A2
MCC
特点
低漏
低阻抗齐纳
高可靠性
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
H2系列
THRU
H36系列
500毫瓦
稳压二极管
1.7到37.2伏
最大额定值
符号
P
D
T
J
T
英镑
等级
功耗
结温
存储温度范围
等级
500
-55到+150
-55到+150
单位
W
O
C
O
C
10
-2
H16
H30
H12
H20
10
-3
齐纳电流I
Z
(A)
H2
H4
H6
H24
H36
H9
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
尺寸
齐纳电压V
Z
(V)
图1齐纳电流与齐纳电压
www.mccsemi.com
QQ：2880707522 复制
