添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第947页 > H11AA3SM
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
包
H11AA3-M
H11AA4-M
概要
1
6基地
2
5 COLL
3
4发射器
描述
该H11AAX -M系列包括两个砷化镓红外发光反向并联连接的二极管驱动单
硅光电晶体管输出。
特点
双极发射器输入
内置反极性输入保护
美国保险商实验室（ UL）的认可文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认证文件＃ 102497 （订购选项' V' ）
应用
AC在线监测仪
未知极性直流传感器
电话线接口
2004仙童半导体公司
第1页9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗
线性降额从25℃
辐射源
连续正向电流
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗
线性降额从25℃
探测器
连续集电极电流
探测器功耗
从25° C减免线性
I
C
P
D
所有
所有
50
150
1.76
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
P
D
所有
所有
所有
60
±1.0
120
1.41
mA
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
所有
所有
所有
所有
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
电容
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
*在T典型值
A
= 25°C
2004仙童半导体公司
测试条件
符号
设备
民
典型*
最大
单位
I
F
= -10毫安
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
C
J
所有
所有
1.17
80
1.5
V
pF
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
所有
所有
所有
所有
H11AA1,3,4(-M)
H11AA2-M
所有
所有
所有
30
70
5
7
100
120
10
10
1
1
10
80
15
50
200
V
V
V
V
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
I
首席执行官
nA
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
C
CE
C
CB
C
EB
pF
pF
pF
第2 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
测试条件
符号
设备
H11AA4-M
电流传输比，
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V
CTR
CE
H11AA3-M
H11AA1-M
H11AA2-M
电流传输比，
对称
饱和电压
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V （图11 ）
I
F
= -10毫安，我
CE
- 0.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
所有
民
100
50
20
10
.33
3.0
.40
V
%
典型*
最大
单位
隔离特性
特征
封装电容输入/输出
隔离电压
绝缘电阻
*在T典型值
A
= 25°C
测试条件
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
符号
C
我-O
V
ISO
R
ISO
7500
10
11
民
典型*
0.7
最大
单位
pF
VAC （ PK）
2004仙童半导体公司
第3 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
图。 1输入电压与输入电流
100
T
A
= 25°C
80
1.2
1.4
图。 2归CTR与正向电流
T
A
= 25°C
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安
I
F
- 输入电流（mA）
60
40
20
0
-20
-40
-60
0.2
1.0
归一化CTR
0.8
0.6
0.4
-80
-100
-2.0
0.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
5
10
15
20
V
F
- 输入电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
1.2
I
F
= 10毫安
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
1.0
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 5V
T
A
= 25°C
归一化CTR
1.0
I
F
= 5毫安
0.8
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
0.4
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
1.0
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
100
中T = 25℃
A
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 0.3V
T
A
= 25°C
10
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
1
I
F
= 2.5毫安
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻（K
)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
2004仙童半导体公司
第4页第9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10V
中T = 25℃
A
H11AA2-M
H11AA3-M
图。 8归一吨
on
与
BE
7
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
中T = 25℃
A
H11AA4-M
图。 7开关速度与负载电阻
100
归一吨
on
- (t
在（R
BE
)
/ t
（开）
)
6
开关速度 - （微秒）
5
T
关闭
10
T
f
4
3
T
on
1
T
r
2
1
0.1
0.1
1
10
100
0
10
100
1000
10000
100000
R-负载电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻（K
)
图。 9归一吨
关闭
与
BE
3.0
10000
图。 10暗电流与环境温度
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
归一吨
关闭
- (t
关（R
BE
)
/ t
关（开）
)
2.5
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
中T = 25℃
A
1000
2.0
100
1.5
10
V
CE
= 30V
V
CE
= 10V
1.0
1
0.5
0.0
10
100
1000
10000
100000
0.1
0
20
40
60
80
100
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 11输出对称性特征
10
5
归一化输出电流
I
F
=
1
.5
I
F
=
I
- 10毫安
I
I
10mA
I
.1
.05
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
最大峰值
输出电流
不会再有
超过三次
最小峰值
输出电流
I
F
=
±10
mA
.05
.1
.5
1
5
10
.01
.005
.01
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
2004仙童半导体公司
第5 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
包
H11AA3-M
H11AA4-M
概要
1
6基地
2
5 COLL
3
4发射器
描述
该H11AAX -M系列包括两个砷化镓红外发光反向并联连接的二极管驱动单
硅光电晶体管输出。
特点
双极发射器输入
内置反极性输入保护
美国保险商实验室（ UL）的认可文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认证文件＃ 102497 （订购选项' V' ）
应用
AC在线监测仪
未知极性直流传感器
电话线接口
2004仙童半导体公司
第1页9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗
线性降额从25℃
辐射源
连续正向电流
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗
线性降额从25℃
探测器
连续集电极电流
探测器功耗
从25° C减免线性
I
C
P
D
所有
所有
50
150
1.76
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
P
D
所有
所有
所有
60
±1.0
120
1.41
mA
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
所有
所有
所有
所有
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
电容
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
*在T典型值
A
= 25°C
2004仙童半导体公司
测试条件
符号
设备
民
典型*
最大
单位
I
F
= -10毫安
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
C
J
所有
所有
1.17
80
1.5
V
pF
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
所有
所有
所有
所有
H11AA1,3,4(-M)
H11AA2-M
所有
所有
所有
30
70
5
7
100
120
10
10
1
1
10
80
15
50
200
V
V
V
V
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
I
首席执行官
nA
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
C
CE
C
CB
C
EB
pF
pF
pF
第2 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
测试条件
符号
设备
H11AA4-M
电流传输比，
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V
CTR
CE
H11AA3-M
H11AA1-M
H11AA2-M
电流传输比，
对称
饱和电压
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V （图11 ）
I
F
= -10毫安，我
CE
- 0.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
所有
民
100
50
20
10
.33
3.0
.40
V
%
典型*
最大
单位
隔离特性
特征
封装电容输入/输出
隔离电压
绝缘电阻
*在T典型值
A
= 25°C
测试条件
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
符号
C
我-O
V
ISO
R
ISO
7500
10
11
民
典型*
0.7
最大
单位
pF
VAC （ PK）
2004仙童半导体公司
第3 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
图。 1输入电压与输入电流
100
T
A
= 25°C
80
1.2
1.4
图。 2归CTR与正向电流
T
A
= 25°C
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安
I
F
- 输入电流（mA）
60
40
20
0
-20
-40
-60
0.2
1.0
归一化CTR
0.8
0.6
0.4
-80
-100
-2.0
0.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
5
10
15
20
V
F
- 输入电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
1.2
I
F
= 10毫安
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
1.0
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 5V
T
A
= 25°C
归一化CTR
1.0
I
F
= 5毫安
0.8
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
0.4
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
1.0
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
100
中T = 25℃
A
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 0.3V
T
A
= 25°C
10
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
1
I
F
= 2.5毫安
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻（K
)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
2004仙童半导体公司
第4页第9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10V
中T = 25℃
A
H11AA2-M
H11AA3-M
图。 8归一吨
on
与
BE
7
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
中T = 25℃
A
H11AA4-M
图。 7开关速度与负载电阻
100
归一吨
on
- (t
在（R
BE
)
/ t
（开）
)
6
开关速度 - （微秒）
5
T
关闭
10
T
f
4
3
T
on
1
T
r
2
1
0.1
0.1
1
10
100
0
10
100
1000
10000
100000
R-负载电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻（K
)
图。 9归一吨
关闭
与
BE
3.0
10000
图。 10暗电流与环境温度
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
归一吨
关闭
- (t
关（R
BE
)
/ t
关（开）
)
2.5
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
中T = 25℃
A
1000
2.0
100
1.5
10
V
CE
= 30V
V
CE
= 10V
1.0
1
0.5
0.0
10
100
1000
10000
100000
0.1
0
20
40
60
80
100
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 11输出对称性特征
10
5
归一化输出电流
I
F
=
1
.5
I
F
=
I
- 10毫安
I
I
10mA
I
.1
.05
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
最大峰值
输出电流
不会再有
超过三次
最小峰值
输出电流
I
F
=
±10
mA
.05
.1
.5
1
5
10
.01
.005
.01
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
2004仙童半导体公司
第5 9
1/9/04
查看更多H11AA3SMPDF信息
推荐型号
HI-7159A
HEDS-5505-D02
HM11-22005
HY57V658021
HY27UF161G2M-TPIS
HCF40193BEY
HX6256NSFC
HD40A4354H
HAL502A
HEF4046BF
HM62W16256BLTT-5
HD40A4384H
HD6433061F
HMC219MS8_06
HDSP-315Y-NH100
HF428/N072D
HCF4017B-HCF4022B
HDSP-0983
HCC40110B
HDSP-313G-HG500
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    H11AA3SM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
H11AA3SM
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8379
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院
H11AA3SM
Fairchild Semiconductor
㊣10/11+
9320
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
H11AA3SM
ON
2025+
16820
6-SMD
【原装优势★★★绝对有货】
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
H11AA3SM
FAIRCHILD/仙童
21+
5398
SOP
全新原装正品/质量有保证
深圳市莱利尔科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881689482 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881689480 复制

电话：0755-8322-5385 8277-7362
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华富街道上步工业区501栋8楼808室
H11AA3SM
FAIRCHILD
1905+
32500
DIP/SOP6
房间现货，专业光藕，量多可发货
深圳市豪迈兴电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1758033668 复制 点击这里给我发消息 QQ：957150379 复制 点击这里给我发消息 QQ：1729079884 复制

电话：0755-28227524/89202071/82704952/13430681361
联系人：陈先生/李小姐/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商！
地址：深圳市福田区华强北新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北振兴路华匀大厦1栋315室 香港九龙湾临兴街21号美罗中心二期1908室
H11AA3SM
FAIRCHILD
2346+
110844
DIPSOP6
假一罚百！公司原装现货！特价 绝无虚假！真实库存！
深圳市豪迈兴电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881495423 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881495422 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881495424 复制

电话：0755-82704952/28227524/89202071/82704952/13528737027
联系人：李小姐/陈先生/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商！
地址：深圳市福田区中航路新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北都会大厦B座17i 香港九龙湾临兴街21号美罗中心二期1908室
H11AA3SM
FAIRCHILD/仙童
2346+
23600
SOP
假一罚十！原装现货！强势库存！特价！
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
H11AA3SM
onsemi
24+
25131
6-SMD
全新原装现货，原厂代理。
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
H11AA3SM
ON/安森美
2024
16880
SOP-6
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
H11AA3SM
ON/安森美
19+PB
12000
SOP-6
全新原装正品/质量有保证
查询更多H11AA3SM供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！