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H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4 AC输入/光电晶体管光耦合器
2005年10月
H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4
AC输入/光电晶体管光耦合器
特点
双极发射器输入
内置反极性输入保护
美国保险商实验室( UL )的认可 - 文件# E90700
VDE认证 - 文件# E94766 (订购选项' 300 ')
描述
该H11AAX系列由两个砷化镓红外
发射反向并联连接的二极管驱动单
硅光电晶体管输出。
应用
AC在线监测
未知极性直流传感器
电话线接口
1
6基地
6
1
6
2
5 COLL
1
3
4发射器
6
1
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗
线性降额从25℃
辐射源
连续正向电流
正向电流 - 峰值( 1 μs的脉冲, 300 ,PPS)
LED功耗
线性降额从25℃
探测器
探测器功耗
减免上述25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
设备
所有
所有
所有
所有
价值
-55到+150
-55到+100
260 ,持续10秒
350
4.6
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F( PK)
P
D
所有
所有
所有
100
±1.0
200
2.6
mA
A
mW
毫瓦/°C的
P
D
所有
300
4.0
mW
毫瓦/°C的
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4版本1.0.0
H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4 AC输入/光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
参数
测试条件
辐射源
输入正向电压
电容
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0
I
C
= 100 A ,我
F
= 0
I
E
= 100 A ,我
F
= 0
I
E
= 100 A ,我
F
= 0
V
CE
= 10 V,I
F
= 0
V
CE
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 0中,f = 1 MHz的
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
H11AA1,3,4
H11AA2
所有
所有
所有
10
80
15
30
70
5
7
50
200
pF
pF
pF
V
V
V
V
nA
I
F
= -10毫安
V
F
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
F
C
J
所有
所有
1.2
80
1.5
V
pF
符号
设备
典型值
最大
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
电流传输比,
集电极到发射极
测试条件
I
F
= -10毫安,V
CE
= 10 V
符号设备
CTR
CE
H11AA4
H11AA3
H11AA1
H11AA2
100
50
20
10
.33
典型值
最大
单位
%
电流传输比,对称性
饱和电压
集电极到发射极
I
F
= -10毫安,V
CE
= 10 V ( Figure.8 )
I
F
= -10毫安,我
CE
- 0.5毫安
V
CE ( SAT )
所有
所有
3.0
.40
V
隔离特性
特征
封装电容输入/输出
隔离电压
绝缘电阻
测试条件
V
我-O
= 0中,f = 1 MHz的
F = 60赫兹,吨= 1分钟。
V
我-O
= 500 VDC
符号
C
我-O
V
ISO
R
ISO
5300
1011
典型值
0.7
最大
单位
pF
VAC ( RMS)
2
H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4版本1.0.0
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H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4 AC输入/光电晶体管光耦合器
图。 1输入电压与输入电流
100
80
1.2
60
1.4
图。 2归CTR与正向电流
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
归一
I
F
= 10毫安
I
F
- 输入电流(mA)
40
20
0
-20
-40
-60
1.0
归一化CTR
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-80
-100
-2.0
0.0
0
5
10
15
20
V
F
- 输入电压( V)
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3归CTR与环境温度
1.6
1.0
图。 4 CTR与RBE (不饱和)
归一化的点击率( CTR
RBE
/ CTR
RBE ( OPEN )
)
0.9
0.8
I
F
= 20毫安
V
CE
= 5.0 V
1.4
I
F
= 5毫安
归一化CTR
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.8
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
I
F
= 20毫安
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
100
1000
T
A
- 环境温度( ° C)
R
BE
- 基极电阻( K)
图。 5 CTR与RBE (饱和)
1.0
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE (SAT)
- 集电极 - 发射极饱和
电压(V)的
100
归一化的点击率( CTR
RBE
/ CTR
RBE ( OPEN )
)
0.9
V
CE
= 0.3 V
0.8
I
F
= 20毫安
10
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
10
100
1000
T
A
= 25C
R
BE
- 基极电阻( K)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
3
H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4版本1.0.0
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H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4 AC输入/光电晶体管光耦合器
图。 7开关速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10 V
T
A
= 25C
图。 8归一吨
on
BE
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V
CC =
10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
100
T
关闭
10
T
on
T
f
1
T
r
0.1
0.1
1
10
100
归一吨
on
- (t
在(R
BE
)
/ t
(开)
)
开关速度 - (微秒)
10
100
1000
10000
100000
R-负载电阻(K
R
BE
- 基极电阻(K
图。 9归一吨
关闭
BE
1.4
1.3
10000
图。 10暗电流与环境温度
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流( NA)
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
归一吨
关闭
- (t
关(R
BE
)
/ t
关(开)
)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
10
100
1000
10000
100000
V
CC =
10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
R
BE
- 基极电阻( K)
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度( ° C)
图。 11输出对称性特征
10
5
归一化输出电流
I
F
=
I
- 10毫安
I
I
10mA
I
1
.5
I
F
=
.1
.05
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
最大峰值
输出电流
不会再有
超过三次
最小峰值
输出电流
I
F
=
±10
mA
.01
.005
.01
.05
.1
.5
1
5
10
V
CE
- 集电极到发射极电压( V)
4
H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4版本1.0.0
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H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4 AC输入/光电晶体管光耦合器
包装尺寸(通孔)
销1
ID。
包装尺寸(表面贴装)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
3
2
1
销1
ID。
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
飞机座位
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
4
5
6
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.200 (5.08)
0.135 (3.43)
0.200 (5.08)
0.165 (4.18)
0.154 (3.90)
0.100 (2.54)
0.020 (0.51)
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
典型值
0°到15°
0.300 (7.62)
典型值
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.020 (0.51)
0.100 (2.54)
典型值
0.300 (7.62)
典型值
0.016 (0.41)
0.008 (0.20)
0.016 ( 0.40 ), MIN
0.315 (8.00)
0.405 (10.30)
最大
引脚共面性: 0.004 ( 0.10 ) MAX
包装尺寸( 0.4"Lead间距)
推荐焊盘布局
表面贴装Leadform
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
0.070 (1.78)
0.060 (1.52)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.415 (10.54)
0.100 (2.54)
0.030 (0.76)
飞机座位
0.295 (7.49)
0.200 (5.08)
0.135 (3.43)
0.154 (3.90)
0.100 (2.54)
0.004 (0.10)
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 ( 2.54 ) TYP
0°到15°
0.400 (10.16)
典型值
所有尺寸为英寸(毫米)
5
H11AA1 , H11AA3 , H11AA2 , H11AA4版本1.0.0
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    H11AA2S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:870509204 复制 点击这里给我发消息 QQ:1016611765 复制

电话:13691818754
联系人:陈小姐
地址:福田区深南中路3006号佳和大厦
H11AA2S
INF
2010+
20000
DIP SOP
原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
H11AA2S
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8250
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
H11AA2S
Fairchild Semiconductor
㊣10/11+
9282
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
H11AA2S
ON
2025+
16820
6-SMD
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
H11AA2S
FAIRCHILD/仙童
21+
10000
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
H11AA2S
FAIRCHIL
25+
4500
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