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AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
包
H11AA3-M
H11AA4-M
概要
1
6基地
2
5 COLL
3
4发射器
描述
该H11AAX -M系列包括两个砷化镓红外发光反向并联连接的二极管驱动单
硅光电晶体管输出。
特点
双极发射器输入
内置反极性输入保护
美国保险商实验室（ UL）的认可文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认证文件＃ 102497 （订购选项' V' ）
应用
AC在线监测仪
未知极性直流传感器
电话线接口
2004仙童半导体公司
第1页9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗
线性降额从25℃
辐射源
连续正向电流
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗
线性降额从25℃
探测器
连续集电极电流
探测器功耗
从25° C减免线性
I
C
P
D
所有
所有
50
150
1.76
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
P
D
所有
所有
所有
60
±1.0
120
1.41
mA
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
所有
所有
所有
所有
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
电容
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
*在T典型值
A
= 25°C
2004仙童半导体公司
测试条件
符号
设备
民
典型*
最大
单位
I
F
= -10毫安
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
C
J
所有
所有
1.17
80
1.5
V
pF
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
所有
所有
所有
所有
H11AA1,3,4(-M)
H11AA2-M
所有
所有
所有
30
70
5
7
100
120
10
10
1
1
10
80
15
50
200
V
V
V
V
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
I
首席执行官
nA
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
C
CE
C
CB
C
EB
pF
pF
pF
第2 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
测试条件
符号
设备
H11AA4-M
电流传输比，
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V
CTR
CE
H11AA3-M
H11AA1-M
H11AA2-M
电流传输比，
对称
饱和电压
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V （图11 ）
I
F
= -10毫安，我
CE
- 0.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
所有
民
100
50
20
10
.33
3.0
.40
V
%
典型*
最大
单位
隔离特性
特征
封装电容输入/输出
隔离电压
绝缘电阻
*在T典型值
A
= 25°C
测试条件
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
符号
C
我-O
V
ISO
R
ISO
7500
10
11
民
典型*
0.7
最大
单位
pF
VAC （ PK）
2004仙童半导体公司
第3 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
图。 1输入电压与输入电流
100
T
A
= 25°C
80
1.2
1.4
图。 2归CTR与正向电流
T
A
= 25°C
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安
I
F
- 输入电流（mA）
60
40
20
0
-20
-40
-60
0.2
1.0
归一化CTR
0.8
0.6
0.4
-80
-100
-2.0
0.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
5
10
15
20
V
F
- 输入电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
1.2
I
F
= 10毫安
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
1.0
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 5V
T
A
= 25°C
归一化CTR
1.0
I
F
= 5毫安
0.8
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
0.4
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
1.0
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
100
中T = 25℃
A
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 0.3V
T
A
= 25°C
10
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
1
I
F
= 2.5毫安
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻（K
)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
2004仙童半导体公司
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AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10V
中T = 25℃
A
H11AA2-M
H11AA3-M
图。 8归一吨
on
与
BE
7
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
中T = 25℃
A
H11AA4-M
图。 7开关速度与负载电阻
100
归一吨
on
- (t
在（R
BE
)
/ t
（开）
)
6
开关速度 - （微秒）
5
T
关闭
10
T
f
4
3
T
on
1
T
r
2
1
0.1
0.1
1
10
100
0
10
100
1000
10000
100000
R-负载电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻（K
)
图。 9归一吨
关闭
与
BE
3.0
10000
图。 10暗电流与环境温度
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
归一吨
关闭
- (t
关（R
BE
)
/ t
关（开）
)
2.5
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
中T = 25℃
A
1000
2.0
100
1.5
10
V
CE
= 30V
V
CE
= 10V
1.0
1
0.5
0.0
10
100
1000
10000
100000
0.1
0
20
40
60
80
100
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 11输出对称性特征
10
5
归一化输出电流
I
F
=
1
.5
I
F
=
I
- 10毫安
I
I
10mA
I
.1
.05
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
最大峰值
输出电流
不会再有
超过三次
最小峰值
输出电流
I
F
=
±10
mA
.05
.1
.5
1
5
10
.01
.005
.01
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
2004仙童半导体公司
第5 9
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AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
包
H11AA3-M
H11AA4-M
概要
1
6基地
2
5 COLL
3
4发射器
描述
该H11AAX -M系列包括两个砷化镓红外发光反向并联连接的二极管驱动单
硅光电晶体管输出。
特点
双极发射器输入
内置反极性输入保护
美国保险商实验室（ UL）的认可文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认证文件＃ 102497 （订购选项' V' ）
应用
AC在线监测仪
未知极性直流传感器
电话线接口
2004仙童半导体公司
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AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗
线性降额从25℃
辐射源
连续正向电流
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗
线性降额从25℃
探测器
连续集电极电流
探测器功耗
从25° C减免线性
I
C
P
D
所有
所有
50
150
1.76
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
P
D
所有
所有
所有
60
±1.0
120
1.41
mA
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
所有
所有
所有
所有
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
电容
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
*在T典型值
A
= 25°C
2004仙童半导体公司
测试条件
符号
设备
民
典型*
最大
单位
I
F
= -10毫安
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
C
J
所有
所有
1.17
80
1.5
V
pF
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
所有
所有
所有
所有
H11AA1,3,4(-M)
H11AA2-M
所有
所有
所有
30
70
5
7
100
120
10
10
1
1
10
80
15
50
200
V
V
V
V
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
I
首席执行官
nA
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
C
CE
C
CB
C
EB
pF
pF
pF
第2 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
测试条件
符号
设备
H11AA4-M
电流传输比，
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V
CTR
CE
H11AA3-M
H11AA1-M
H11AA2-M
电流传输比，
对称
饱和电压
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V （图11 ）
I
F
= -10毫安，我
CE
- 0.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
所有
民
100
50
20
10
.33
3.0
.40
V
%
典型*
最大
单位
隔离特性
特征
封装电容输入/输出
隔离电压
绝缘电阻
*在T典型值
A
= 25°C
测试条件
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
符号
C
我-O
V
ISO
R
ISO
7500
10
11
民
典型*
0.7
最大
单位
pF
VAC （ PK）
2004仙童半导体公司
第3 9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
图。 1输入电压与输入电流
100
T
A
= 25°C
80
1.2
1.4
图。 2归CTR与正向电流
T
A
= 25°C
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安
I
F
- 输入电流（mA）
60
40
20
0
-20
-40
-60
0.2
1.0
归一化CTR
0.8
0.6
0.4
-80
-100
-2.0
0.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
5
10
15
20
V
F
- 输入电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
1.2
I
F
= 10毫安
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
1.0
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 5V
T
A
= 25°C
归一化CTR
1.0
I
F
= 5毫安
0.8
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
0.4
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
1.0
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
100
中T = 25℃
A
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 0.3V
T
A
= 25°C
10
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
1
I
F
= 2.5毫安
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻（K
)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
2004仙童半导体公司
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AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10V
中T = 25℃
A
H11AA2-M
H11AA3-M
图。 8归一吨
on
与
BE
7
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
中T = 25℃
A
H11AA4-M
图。 7开关速度与负载电阻
100
归一吨
on
- (t
在（R
BE
)
/ t
（开）
)
6
开关速度 - （微秒）
5
T
关闭
10
T
f
4
3
T
on
1
T
r
2
1
0.1
0.1
1
10
100
0
10
100
1000
10000
100000
R-负载电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻（K
)
图。 9归一吨
关闭
与
BE
3.0
10000
图。 10暗电流与环境温度
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
归一吨
关闭
- (t
关（R
BE
)
/ t
关（开）
)
2.5
V
CC
= 10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
中T = 25℃
A
1000
2.0
100
1.5
10
V
CE
= 30V
V
CE
= 10V
1.0
1
0.5
0.0
10
100
1000
10000
100000
0.1
0
20
40
60
80
100
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 11输出对称性特征
10
5
归一化输出电流
I
F
=
1
.5
I
F
=
I
- 10毫安
I
I
10mA
I
.1
.05
标准化为：
V
CE
= 10 V
I
F
= 10毫安
最大峰值
输出电流
不会再有
超过三次
最小峰值
输出电流
I
F
=
±10
mA
.05
.1
.5
1
5
10
.01
.005
.01
V
CE
- 集电极到发射极电压（ V）
2004仙童半导体公司
第5 9
1/9/04
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