4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
包
H11A617系列
H11A817系列
H11AA814原理图
1
4珍藏
4
2
3发射器
1
描述
该H11AA814系列由两个砷化镓红外发光二极管，
反向并联，驱动单个硅光电晶体管在一个4针
双列直插式封装。
该H11A617和H11A817系列由砷化镓红外
发光二极管驱动硅光电晶体管的4脚双列直插式封装。
H11A617 & H11A817原理图
阳极1
4珍藏
特点
紧凑型4 -pin的封装
在选定组电流传输率：
H11AA814 ： 20-300 ％
H11A817 ：
H11AA814A ： 50-150 ％
H11A817A ：
H11A617A ： 40 ％-80％的
H11A817B ：
H11A617B ： 63％ -125 ％
H11A817C ：
H11A617C ： 100 ％ -200 ％
H11A817D ：
H11A617D ： 160 ％ -320 ％
最小BV
首席执行官
70V的保证
50-600%
80-160%
130-260%
200-400%
300-600%
阴极2
3发射器
应用
H11AA814系列
AC在线监测仪
未知极性直流传感器
电话线接口
H11A617和H11A817系列
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
2003仙童半导体公司
第1页9
4/24/03
4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗（ -55°C至50 ° C）
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗（ 25 ° C的环境）
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
探测器功耗（ 25 ° C的环境）
减免上述25℃
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
D
所有
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
所有
所有
70
6
7
6
50
150
2.0
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
所有
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
所有
所有
50
6
5
1.0
100
1.33
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
所有
所有
所有
所有
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
200
°C
°C
°C
mW
H11A617系列
符号
设备
H11A817系列
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
测试条件符号
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 20 mA）的
(I
F
= -20毫安）
(V
R
= 6.0 V)
(V
R
= 5.0 V)
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
I
R
V
F
设备
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
民
典型*
1.35
1.2
1.2
.001
最大
1.65
1.5
1.5
10
A
V
单位
BV
首席执行官
BV
ECO
所有
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
H11AA814 / A ， H11A817 / A / B / C / D ，
H11A617C/D
H11A617A/B
所有
70
6
7
6
100
V
10
V
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
*在T典型值
A
= 25°C.
(V
CE
= 10V ，我
F
= 0)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
I
首席执行官
C
CE
1
8
100
50
nA
pF
2003仙童半导体公司
第2 9
4/24/03
4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
H11A617系列
H11A817系列
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
(I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V） （注1 ）
(I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V） （注1 ）
符号
设备
H11AA814
H11AA814A
H11A617A
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A617B
H11A617C
H11A617D
电流传输
比
(I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A817
CTR
H11A817A
H11A817B
H11A817C
H11A817D
H11A617A
(I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A617B
H11A617C
H11A617D
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
上升时间
下降时间
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 2 V ，R
L
= 100V ） （注2 ）
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 2 V ，R
L
= 100V ） （注2 ）
t
r
t
f
所有
所有
2.4
2.4
18
18
s
s
(I
C
= 1毫安，我
F
= -20毫安）
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 1毫安，我
F
= 20 mA）的
H11AA814/A
V
CE （SAT）
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
民
20
50
40
63
100
160
50
80
130
200
300
13
22
34
56
0.2
0.4
0.2
V
典型*
最大
300
150
80
125
200
320
600
160
260
400
600
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
隔离特性
特征
输入输出隔离电压（注3 ）
绝缘电阻
隔离电容
*在T典型值
A
= 25°C.
笔记
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.对于测试电路的设置和波形，请参阅图8 。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
测试条件
F = 60Hz的， T = 1分
(V
我-O
= 500 VDC）
(V
我-O
= 0中，f = 1 MHz）的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
10
11
0.5
典型*
最大
单位
VAC （ RMS）
pf
2003仙童半导体公司
第3 9
4/24/03
4 -PIN光电晶体管光耦合器
H11AA814系列
H11A817系列
包装尺寸
描述
QT的光电H11AA814系列包括
两个砷化镓红外发光二极管，连续的
连接的反向并联，驱动单个硅
光电晶体管的4脚双列直插式封装。
.380
(9.64)
最大
.012 (.30)
.007 (.20)
.055 (1.40)
.047 (1.20)
4
3
.270 (6.86)
.248 (6.30)
.327
(8.30)
最大
.300
(7.62)
民
该H11A817系列由砷化镓
红外发光二极管驱动硅phototransis-
器采用4引脚双列直插式封装。
1
2
.187 (4.75)
.175 (4.45)
特点
0至15°
s
s
.200
(5.10)
最大
.158 (4.01)
.144 (3.68)
0.020 （ 0.51 ）最小
.154 (3.90)
.120 (3.05)
紧凑型4 -pin封装
在选定组电流传输比：
H11AA814 ： 20-300 ％
H11AA814A ： 50-150 ％
H11A817 ：
H11A817A ：
H11A817B ：
H11A817C ：
H11A817D ：
50-600%
80-160%
130-260%
200-400%
300-600%
.022 (.56)
.015 (.40)
.100 （ 2.54 ），典型值
应用
1
4
集热器
阳极
1
4
集热器
2
3
辐射源
阴极
2
3
辐射源
等效电路（ H11AA814 ）
等效电路（ H11A817 ）
H11AA814系列
s
AC在线监测
s
未知极性直流传感器
s
电话线接口
H11A817系列
s
电源稳压器
s
数字逻辑输入
s
微处理器的输入
s
工业控制
注：所有尺寸为英寸（毫米）
封装选择Code T
绝对最大额定值
总包
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55℃ 150℃下
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至100℃
铅焊料的温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260 ℃，10秒
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫瓦
输入二极管
功耗（ 25 ° C的环境） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.70毫瓦
线性降额（高于25℃） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1.33毫瓦/°C的
连续正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
峰值正向电流（ 1微秒脉冲， 300 ，PPS） 。 。 。 。 。 。 。 。 .1
反向电压（ H11A817 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5 V
输出晶体管
功耗（ 25 ° C的环境） 。 。 。 。 0.150毫瓦
线性降额（高于25℃） 。 。 。 。 。 3.2.0毫瓦/°C的
V
首席执行官
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 V
V
ECO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 V
连续集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
4 -PIN光电晶体管光耦合器
典型特征
25
10
I
F
= 20毫安
20
集电极电流I
C
（MA ）
1
V
CE
= 10 V
10
-1
15
I
首席执行官
( A)
I
F
= 5毫安
10
-5
10
-2
I
F
= 10毫安
10
10
-3
10
-4
5
I
F
= 1毫安
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
-6
0
25
50
75
100
125
环境温度（ C）
图。 5 - 集电极电流和集电极 - 发射极电压
图。 6 - 集电极漏电流与环境温度
1000
I
F
= 5毫安
V
CC
= 5 V
T
a
= 25° C
T
关闭
T
f
100
开关速度
(
S)
10
1
T
r
T
on
0.1
0.1
1
10
100
R-负载电阻（K
)
图。 7 - 开关速度与负载电阻（典型值）
叫QT光电子了解更多信息或离您最近的经销商的电话号码。
美国800-533-6786法国33 01 / 43.99.25.12德国49 089 / 96.30.51英国44 [ 0 ] 1296 / 39.44.99亚洲/太平洋603 / 735-2417
s
s
s
s
1996 QT光电
QT-012-A
DS 104
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列4针光电晶体管光耦合器
2006年7月
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列
4引脚光电晶体管光耦合器
特点
■
交流输入（ H11AA814只）
■
兼容无铅IR再溢流焊接
■
紧凑型4脚双列直插式封装
■
在选定组电流传输比：
tm
应用
H11AA814系列
■
AC在线监测
■
未知极性直流传感器
■
电话线接口
H11A617和H11A817系列
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
H11AA814 ： 20-300 ％
H11A817 ：
50-600%
H11AA814A ： 50-150 ％
H11A817A ： 80-160 ％
H11A617A ： 40 ％-80％的
H11A817B ： 130-260 ％
H11A617B ： 63％ -125 ％
H11A817C ： 200-400 ％
H11A617C ： 100 ％ -200 ％ H11A817D ： 300-600 ％
H11A617D ： 160 ％ -320 ％
■
C- UL ， UL和VDE认证
■
5000Vrms高输入输出隔离电压
■
最低BV
首席执行官
70V的保证
描述
该H11AA814由两个砷化镓红外
发光二极管，反向并联连接，驱动
在一个4针的双列直插式硅光电晶体管输出
封装。该H11A617 / 817系列由镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅
光电晶体管的4脚双列直插式封装。
包
示意图
H11AA814
4
阳极，阴极1
4珍藏
1
阴极，阳极2
3发射器
H11A617 & H11A817
阳极1
4珍藏
阴极2
3发射器
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列版本1.0.8
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列4针光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
D
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
探测器功耗（ 25 ° C的环境）
减免上述90℃
所有
814 ， 817系列
617系列
所有
所有
70
6
7
50
150
2.9
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
连续正向电流
反向电压
LED功耗（ 25 ° C的环境）
无降额高达100 ℃的
814系列
617 ， 817系列
617系列
817系列
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗（ -55°C至50 ° C）
设备*
所有
所有
所有
所有
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
200
±50
50
6
6
70
单位
°C
°C
°C
mW
mA
V
mW
所有
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号参数
辐射源
V
F
输入正向电压I
F
= 60毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= -20mA
I
R
反向漏
当前
V
R
= 6.0V
V
R
= 5.0V
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0
I
E
= 10 μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
617系列
817系列
814系列
617系列
817系列
所有
814 ， 817系列
617系列
H11AA814 / A ， 817系列，
H11A617C/D
H11A617A/B
70
6
7
100
10
10
1
100
50
nA
V
V
1.35
1.2
1.2
.001
1.65
1.5
1.5
10
A
V
测试条件
设备
分钟。 （典型值） *
马克斯。
单位
探测器
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射极
暗电流
*在T典型值
A
=25°C
2
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列版本1.0.8
www.fairchildsemi.com
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列4针光电晶体管光耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号DC特性
CTR
电流传输
比
测试条件
I
F
= -1mA ，V
CE
= 5V
(1)
I
F
= -1mA ，V
CE
= 5V
(1)
(I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
(1)
设备
H11AA814
H11AA814A
H11A617A
H11A617B
H11A617C
H11A617D
最小值典型值*最大单位
20
50
40
63
100
160
50
80
130
200
300
13
22
34
56
0.2
0.4
0.2
4
3
18
18
s
s
300
150
80
125
200
320
600
160
260
400
600
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
V
(I
F
= 5毫安，V
CE
= 5V
(1)
H11A817
H11A817A
H11A817B
H11A817C
H11A817D
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
(1)
H11A617A
H11A617B
H11A617C
H11A617D
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 1mA时，我
F
= -20mA
I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10毫安
I
C
= 1mA时，我
F
= 20mA下
814系列
617系列
817系列
所有
所有
AC特性
t
r
t
f
上升时间
下降时间
I
C
= 2毫安，V
CE
= 2 V ，R
L
= 100
(2)
I
C
= 2毫安，V
CE
= 2 V ，R
L
= 100
(2)
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
（注3）
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
中（f = 60Hz的，吨= 1分钟）
(I
我-O
≤
2A)
(V
我-O
= 500 VDC）
(V
我-O
= 0中，f = 1 MHz）的
分钟。
5000
5x10
10
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC （ RMS）
10
11
0.6
1.0
pf
*在T典型值
A
= 25°C.
注意事项：
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.测试电路的设置和波形，参见图13 。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
3
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列版本1.0.8
www.fairchildsemi.com
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列4针光电晶体管光耦合器
典型性能曲线
图。 1电流传输比
与正向电流
200
160
VCE = 5V
TA = 25°C
H11AA814
140
如果= 1毫安
VCE = 5V
图。 2.相对电流传输比
- 环境温度
电流传输比CTR （ ％ ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
5
10
20
814
617
817
相对电流传输
比率（％）
120
100
80
60
40
20
0
-60
如果= 5毫安
VCE = 5V
H11AA617 & H11AA817
50
-40
-20
0
20
40
60
80
100
正向电流I
F
（MA ）
环境温度T
A
(°C)
图。 4正向电流与正向电压
100
图。 3集电极 - 发射极饱和电压
- 环境温度
0.12
I
F
= 20毫安
I
C
= 1毫安
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
正向电流I
F
（MA ）
0.10
T
A
= 100°C
75°C
0.08
10
50°C
0.06
25°C
0°C
-30°C
0.04
1
-55°C
0.02
0.00
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 5集电极电流 -
集电极 - 发射极电压（ H11AA814 ）
50
正向电压V
F
(V)
图。 6集电极电流和集电极 - 发射极电压
（ H11AA617和H11AA817 ）
30
TA = 25°C
I
集电极电流I
C
（MA ）
25
IF = 30毫安
20mA
TA = 25°C
集电极电流I
C
（MA ）
I
F
= 30米
40
PC（ MAX 。 ）
20
20mA
30
件（最大）
15
10毫安
10
5百万
5
10mA
20
5mA
10
1mA
0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列版本1.0.8
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H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列4针光电晶体管光耦合器
典型性能曲线
（续）
图。 7集电极暗电流与环境温度
10000
500
V
CE
图。 8响应时间与负载电阻
V
CE
= 2V
200
100
I
C
= 2毫安
TA = 25°C
集电极暗电流I
首席执行官
（ nA的）
= 20V
1000
响应时间（ Ms）为
100
50
20
10
5
2
1
0.5
ts
tr
tf
td
10
1
0.1
0.01
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
环境温度T
A
(°C)
负载阻抗R
L
（ kW）的
图。 9.频率响应（ H11AA814 ）
V
CE
= 2V
I
C
= 2毫安
TA = 25°C
0
图。 10.频率响应（ H11AA617和H11AA817 ）
V
CE
= 2V
I
C
= 2毫安
0
TA = 25°C
电压增益AV（分贝）
电压增益AV（分贝）
10
RL=10k
1k
100
R
L
= 10k
-10
1k
100
20
-20
0.2
0.5
15
2
10
100
1000
0.5
1
2
5
10
20
50 100
500
频率f（ kHz）的
图。 11. LED功耗与环境温度
频率f（ kHz）的
图。 12.集电极耗散功率
- 环境温度
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
200
100
LED功耗P
LED
（ mW）的
80
150
60
100
40
50
20
0
-55
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0
-55
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
环境温度T
A
(°C)
环境温度T
A
(°C)
5
H11AA814系列， H11A617系列， H11A817系列版本1.0.8
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4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
包
H11A617系列
H11A817系列
H11AA814原理图
1
4珍藏
4
2
3发射器
1
描述
该H11AA814系列由两个砷化镓红外发光二极管，
反向并联，驱动单个硅光电晶体管在一个4针
双列直插式封装。
该H11A617和H11A817系列由砷化镓红外
发光二极管驱动硅光电晶体管的4脚双列直插式封装。
H11A617 & H11A817原理图
阳极1
4珍藏
特点
紧凑型4 -pin的封装
在选定组电流传输率：
H11AA814 ： 20-300 ％
H11A817 ：
H11AA814A ： 50-150 ％
H11A817A ：
H11A617A ： 40 ％-80％的
H11A817B ：
H11A617B ： 63％ -125 ％
H11A817C ：
H11A617C ： 100 ％ -200 ％
H11A817D ：
H11A617D ： 160 ％ -320 ％
最小BV
首席执行官
70V的保证
50-600%
80-160%
130-260%
200-400%
300-600%
阴极2
3发射器
应用
H11AA814系列
AC在线监测仪
未知极性直流传感器
电话线接口
H11A617和H11A817系列
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
2003仙童半导体公司
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4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗（ -55°C至50 ° C）
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗（ 25 ° C的环境）
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
连续集电极电流
探测器功耗（ 25 ° C的环境）
减免上述25℃
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
D
所有
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
所有
所有
70
6
7
6
50
150
2.0
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
所有
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
所有
所有
50
6
5
1.0
100
1.33
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
所有
所有
所有
所有
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
200
°C
°C
°C
mW
H11A617系列
符号
设备
H11A817系列
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
测试条件符号
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 20 mA）的
(I
F
= -20毫安）
(V
R
= 6.0 V)
(V
R
= 5.0 V)
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
I
R
V
F
设备
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
民
典型*
1.35
1.2
1.2
.001
最大
1.65
1.5
1.5
10
A
V
单位
BV
首席执行官
BV
ECO
所有
H11AA814/A
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
H11AA814 / A ， H11A817 / A / B / C / D ，
H11A617C/D
H11A617A/B
所有
70
6
7
6
100
V
10
V
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
*在T典型值
A
= 25°C.
(V
CE
= 10V ，我
F
= 0)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
I
首席执行官
C
CE
1
8
100
50
nA
pF
2003仙童半导体公司
第2 9
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4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
H11A617系列
H11A817系列
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
(I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V） （注1 ）
(I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V） （注1 ）
符号
设备
H11AA814
H11AA814A
H11A617A
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A617B
H11A617C
H11A617D
电流传输
比
(I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A817
CTR
H11A817A
H11A817B
H11A817C
H11A817D
H11A617A
(I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A617B
H11A617C
H11A617D
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
上升时间
下降时间
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 2 V ，R
L
= 100V ） （注2 ）
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 2 V ，R
L
= 100V ） （注2 ）
t
r
t
f
所有
所有
2.4
2.4
18
18
s
s
(I
C
= 1毫安，我
F
= -20毫安）
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 1毫安，我
F
= 20 mA）的
H11AA814/A
V
CE （SAT）
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
民
20
50
40
63
100
160
50
80
130
200
300
13
22
34
56
0.2
0.4
0.2
V
典型*
最大
300
150
80
125
200
320
600
160
260
400
600
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
隔离特性
特征
输入输出隔离电压（注3 ）
绝缘电阻
隔离电容
*在T典型值
A
= 25°C.
笔记
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.对于测试电路的设置和波形，请参阅图8 。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
测试条件
F = 60Hz的， T = 1分
(V
我-O
= 500 VDC）
(V
我-O
= 0中，f = 1 MHz）的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
10
11
0.5
典型*
最大
单位
VAC （ RMS）
pf
2003仙童半导体公司
第3 9
4/24/03
QQ：2880707522 复制
