33
初步
CY7C1041AV33/
GVT73256A16
256K ×16静态RAM
特点
快速访问次数： 10 ， 12纳秒
快速OE访问时间： 5 ，6和7纳秒
单+ 3.3V ± 0.3V电源
完全静态的，没有时钟或定时选通脉冲必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
中心的电源和接地引脚的噪音较大
免疫
易内存扩展CE和OE选项
CE自动断电
高性能，低功耗的CMOS
双层多晶硅，双金属工艺
封装采用44引脚， 400万SOJ和44引脚， 400密耳
TSOP
功能说明
该CY7C1049AV33 \\ GVT73512A8是作为一个262,144
×16 SRAM的使用与四晶体管存储器单元的高per-
formance ，硅栅，低功耗的CMOS工艺。柏
SRAM是采用双层多晶硅， dou-制造
BLE -层金属工艺。
该器件提供中心电源和接地引脚，以提高
性能和抗干扰能力。静电设计，消除了
无需外部时钟或定时选通。为了提高系
统的灵活性和消除总线争用问题是，本设计
副提供芯片使能（ CE ） ，独立的字节使能控制
（ BLE和BHE）和输出使能（ OE ）与该组织。
该器件提供了一个低功耗待机模式时，芯片不
选择。这使得系统设计人员能够满足低待机
功率要求。
功能框图
VCC
VSS
BLE ＃
引脚配置
SOJ / TSOP II
顶视图
A0
DQ1
地址缓冲器
存储阵列
512行×256× 16
柱
DQ8
DQ9
DQ16
A16
列解码器
动力
下
CE＃
BHE ＃
WE＃
OE ＃
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
CC
V
SS
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
CC
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
选购指南
CY7C1049AV33-10/
GVT73512A8-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
Com'l / Ind'l
Com'l
L
10
240
10
3.0
CY7C1049AV33-12/
GVT73512A8-12
12
210
10
3.0
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
I / O控制
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年6月15日
初步
真值表
模式
低字节读（ DQ
1
-DQ
8
)
高字节读取（ DQ
9
-DQ
16
)
字读（ DQ
1
-DQ
16
)
低字节写入（ DQ
1
-DQ
8
)
高字节写入（ DQ
9
-DQ
16
)
字写（ DQ
1
-DQ
16
)
输出禁用
待机
CE
L
L
L
L
L
L
L
L
H
WE
H
H
H
L
L
L
X
H
X
OE
L
L
L
X
X
X
X
H
X
BLE
L
H
L
L
H
L
H
X
X
BHE
H
L
L
H
L
L
H
X
X
DQ
1
–D
8
Q
高-Z
Q
D
高-Z
D
高-Z
高-Z
高-Z
CY7C1041AV33/
GVT73256A16
DQ
9
–D
16
高-Z
Q
Q
高-Z
D
D
高-Z
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
待机
引脚说明
SOJ & TSOP
PIN号码
1, 2, 3, 4, 5, 18, 19,
20, 21, 22, 23, 24, 25,
26, 27, 42, 43, 44
17
6
引脚名称
A
0
–A
17
TYPE
输入
描述
地址输入：这些输入确定哪些单元格地址。
WE
CE
输入
输入
写使能：此输入确定的周期是读或写周期。 WE
是低表示写周期和高表示读周期。
芯片使能：此低电平输入用于启动设备。当CE是
低时，该芯片被选中。当CE为高电平时，芯片将被禁用并自动
美云进入备用电源模式。
字节使能：这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当BLE为低时，数据被写入或从低字节读（DQ
1
-DQ
8
).
当BHE为低电平时，数据被写入或从高字节读（DQ
9
-DQ
16
).
输出使能：此低电平输入使能输出驱动器。
SRAM的数据I / O ：数据输入和数据输出。低字节是DQ
1
-DQ
8
和上
字节是DQ
9
-DQ
16
.
电源： 3.3V ± 0.3V ％ 。
地面上。
功耗................................................ ......... 1.0W
短路输出电流....................................... 50毫安
39, 40
BLE ， BHE
输入
41
7, 8, 9, 10, 13, 14,
15, 16, 29, 30, 31, 32,
35, 36, 37, 38
11, 33
12, 34
OE
DQ
1
-DQ
16
输入
输入/
产量
供应
供应
V
CC
V
SS
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
在V电压
CC
供应相对于V
SS
......... -0.5V至+ 4.6V
V
IN
.................................................. .........- 0.5V至V
CC
+0.5V
存储温度（塑料） ........................- 55 ° C至+ 125 °
结温................................................ .. + 125 °
注意：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[1]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
2
初步
电气特性
在整个工作范围
参数
V
IH
V
Il
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
V
CC
参数
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
[2, 3]
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
[2]
输出低电压
[2]
电源电压
[2]
[2, 3]
CY7C1041AV33/
GVT73256A16
条件
分钟。
2.2
–0.5
马克斯。
V
CC
+0.5
0.8
5
5
0.4
单位
V
V
A
A
V
V
V
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用， 0V < V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
–5
–5
2.4
3.0
3.6
描述
条件
动力
标准。
低
标准。
低
标准。
低
典型值。
90
25
0.1
-10
240
240
70
70
10
3.0
-12
210
210
60
60
10
3.0
单位
mA
mA
mA
电源
设备选择; CE < V
IL
; V
CC
=最大;
当前位置：工作
[4, 5]
f = f
最大
;输出开路
TTL待机
[5]
CMOS待机
[5]
CE > V
IH
; V
CC
=最大; F = F
最大
CE1 > V
CC
– 0.2; V
CC
=最大;
所有其它输入< V
SS
+ 0.2 ＆ GT ; V
CC
– 0.2;
所有输入静态的; F = 0
电容
[6]
参数
C
I
C
I / O
描述
输入电容
输入/输出电容
（DQ）
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
2.所有电压参考V
SS
（GND）。
3.过冲： V
IH
＆ LT ; + 6.0V为T＆ LT ;吨
RC
/2.
冲： V
IL
＆ LT ; -2.0V的T＆ LT ;吨
RC
/2
4. I
CC
给出无输出电流。我
CC
增加了与更大的输出负载和更快的循环时间。
5，典型值在3.3V测量， 25 ° C和20 ns的周期时间。
6.该参数进行采样。
交流测试负载和波形
3.3V
DQ
Z
0
= 50
50
VT = 1.5V
30 pF的
所有的输入脉冲
3.3V
90%
90%
10%
≤1.5
ns
下降时间：
1V/ns
0V
10%
317
DQ
351
5 pF的
上升时间：
1V/ns
(a)
(b)
3
初步
开关特性
[5]
在整个工作范围
7C1041AV33-10/
GVT73256A16-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
ABE
t
LZBE
t
HZBE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP2
t
WP1
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束，用OE HIGH
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
写脉冲宽度，以OE HIGH
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
字节使能，以结束写的
[6, 7]
CY7C1041AV33/
GVT73256A16
7C1041AV33-12/
GVT73256A16-12
分钟。
12
马克斯。
单位
ns
102
12
3
3
ns
ns
ns
ns
6
6
0
6
6
0
6
0
12
12
8
8
0
0
10
8
6
0
4
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
8
ns
ns
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
[6, 7]
芯片禁用输出高阻
[6, 7, 8]
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出使能到输出高-Z
[6, 8]
字节使能存取时间
字节使能输出在低Z
[6, 7]
分钟。
10
马克斯。
10
10
3
3
5
5
0
5
5
0
5
0
10
10
8
8
0
0
10
8
5
0
3
5
8
字节禁用输出高阻
[6, 7, 8]
芯片使能上电时间
[6]
芯片禁用断电时间
[6]
写使能在高阻输出
[6, 7, 8]
数据保持特性
在整个工作范围（ L型专用）
参数
V
DR
I
CCDR[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 2V
CE > V
CC
– 0.2V;
所有其它输入< V
SS
+ 0.2
V
CC
= 3V
＆ GT ; V
CC
- 0.2 ;所有输入静态的; F = 0
0
t
RC
条件
分钟。
2.0
0.2
0.3
1.6
2.4
典型值。
马克斯。
单位
V
mA
mA
ns
ns
t
CDR[6]
t
R[6, 10]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
注意事项：
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
.
8.输出负载被指定为C
L
= 5 pF的在交流测试负载。转变是从稳态电压测量± 500mV的。
9.电容降额适用于电容从AC测试负载所示的负载电容的不同。
10. t
RC
=读周期时间。
4
初步
低V
CC
数据保存波形
数据保持方式
CY7C1041AV33/
GVT73256A16
V
CC
CE＃
V
IH
V
IL
t
，D R
3.0V
V
DR
3.0V
t
R C
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
ADDR
t
AA
t
OH
有效
Q
以前的数据有效
数据有效
读周期2号
[7, 11, 13, 14]
t
RC
CE＃
t
ABE
t
HZCE
BLE ＃
BHE ＃
t
t
LZOE
AOE
t
HZBE
OE ＃
t
LZBE
t
ACE
t
LZCE
t
HZOE
Q
高Z
数据有效
不关心
未定义
注意事项：
11.我们是高读周期。
12.设备被连续地选择。芯片使能和输出使能在其活动状态举行。
13.地址有效之前或与最新的芯片的出现使重合。
14.芯片使能和写使能可以启动和终止一个写周期。
5
QQ：2881677436 复制
