GALVANTECH
公司
异步
SRAM
特点
快速存取时间： 10，12， 15and 20ns的
快速OE ＃访问时间： 5 ， 6 ， 7和为8ns
单+ 5V + 10 ％电源
全静态 - 无时钟或定时选通脉冲必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
中心的电源和接地引脚更大的抗噪声能力
易内存扩展与CE ＃和OE ＃选项
自动CE＃断电
高性能，低功耗的CMOS
双层多晶硅，双金属工艺
封装采用44引脚， 400万SOJ和44引脚， 400密耳
TSOP
GVT7264A16
革命引脚64K ×16
64K ×16的SRAM
与单芯片使能
革命引脚
一般DESCRIPTIO
该GVT7264A16是作为一个65,536 ×16 SRAM
使用四晶体管存储器单元具有高的性能，
硅栅，低功耗的CMOS工艺。 Galvantech的SRAM
使用双层多晶硅，双层被制造
金属技术。
该器件提供中心的电源和地引脚
改进的性能和抗干扰能力。静态设计
省去了外部时钟或定时选通信号。为
增加了系统的灵活性和消除总线争
的问题，此设备提供芯片使能（ CE ＃ ） ，独立字节
使能控制（BLE ＃和BHE ＃）和输出使能（OE ＃ ）
这个组织。
该器件提供低功耗待机模式，当芯片
没有被选中。这使得系统设计人员能够满足低
待机功耗要求。
选项
定时
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
套餐
44引脚SOJ （ 400万）
44针TSOP （ 400万）
耗电量
标准
低
温度
广告
产业
记号
-10
-12
-15
-20
引脚分配
44引脚SOJ
44针TSOP
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
VSS
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
WE＃
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
J
TS
无
L
无
I
(
0°C
to
70°C)
(
-40°C
to
85°C)
A5
A6
A7
OE ＃
BHE ＃
BLE ＃
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
VSS
VCC
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
Galvantech ，公司3080 Oakmead村道，圣克拉拉，加利福尼亚州95051
电话：（ 408 ） 566-0688传真：（ 408 ） 566-0699网址： http://www.galvantech.com
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e
产品或规格，恕不另行通知
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GALVANTECH
股份有限公司。
功能框图
VCC
VSS
GVT7264A16
革命引脚64K ×16
BLE ＃
A0
DQ1
行解码器
I / O控制
地址缓冲器
存储阵列
512行× 128× 16
柱
DQ8
DQ9
DQ16
A15
列解码器
动力
下
CE＃
BHE ＃
WE＃
OE ＃
1月22日， 199 9
2
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真值表
动模式
低字节读（ DQ1 - DQ8 ）
高字节读（ DQ9 - DQ16 ）
字的读（ DQ1 - DQ16 ）
低字节写（ DQ1 - DQ8 ）
高字节写（ DQ9 - DQ16 ）
WORD写（ DQ1 - DQ16 ）
输出禁用
待机
CE＃
L
L
L
L
L
L
L
L
H
WE＃
H
H
H
L
L
L
X
H
X
GVT7264A16
革命引脚64K ×16
OE ＃
L
L
L
X
X
X
X
H
X
BLE ＃
L
H
L
L
H
L
H
X
X
BHE ＃
H
L
L
H
L
L
H
X
X
DQ1-
DQ8
Q
高-Z
Q
D
高-Z
D
高-Z
高-Z
高-Z
DQ9-
DQ16
高-Z
Q
Q
高-Z
D
D
高-Z
高-Z
高-Z
POWE
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
待机
PIN描述S
SOJ & TSOP
引脚数S
5, 4, 3, 2, 1, 44, 43,
42, 27, 26, 25, 24,
21, 20, 19, 18
17
6
Symbo升
A0-A15
TYPE
输入
DESCRIPTIO
地址输入：这些输入确定哪些单元格地址。
WE＃
CE＃
输入
写使能：此输入确定的周期是读或写周期。 WE＃为低
对于写周期，高表示读周期。
芯片使能：此低电平输入用于启动设备。当CE ＃为低电平时，
芯片被选中。当CE＃为高电平时，芯片将被禁用，自动进入
备用电源模式。
字节使能：这些低电平输入允许单个字节写入或读取。当
BLE ＃是低电平时，数据被写入或从低字节（ DQ1 - DQ8 ）读取。当BHE ＃是
低电平时，数据被写入或从高字节（ DQ9 - DQ16 ）读取。
输出使能：此低电平输入使能输出驱动器。
输入
39, 40
BLE ＃ ， BHE ＃
输入
41
7, 8, 9, 10, 13, 14,
15, 16, 29, 30, 31,
32, 35, 36, 37, 38
11, 33
12, 34
OE ＃
DQ1-DQ16
输入
输入/输出SRAM数据I / O ：数据输入和数据输出。低字节是DQ1 - DQ8和高字节
DQ9-DQ16.
供应
供应
电源： 5V
+
10%
地
VCC
VSS
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绝对最大额定值*
电压VCC电源相对于VSS ........- 0.5V至+ 7.0V
V
IN
.................................................. ........- 0.5V至VCC + 0.5V
存储温度（塑料） ..........................- 55
o
C至+ 125
o
结温................................................ ..... + 125
o
功耗................................................ ........... 1.2W
短路输出电流....................................... 50毫安
GVT7264A16
革命引脚64K ×16
*强调高于绝对最大的“上市
评级“可能对device.This永久性损坏是一种应激
值仅为器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性
.
DC电气特性和推荐使用的条件S
（全温度范围; VCC = 5V ±10 ％，除非另有说明）
DESCRIPTIO
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用，
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
条件S
Symbo升
V
IH
V
Il
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
VCC
民
2.2
-0.5
-5
-5
2.4
最大
VCC+1
0.8
5
5
单位为s
V
V
uA
uA
V
注释
1, 2
1, 2
1
1
1
0.4
4.5
5.5
V
V
DESCRIPTIO
电源
当前位置：工作
TTL待机
CMOS待机
条件S
设备选择; CE＃ < V
IL
; VCC = MAX ;
f=f
最大
;输出开路
CE＃ >V
IH
; VCC = MAX ; F = F
最大
CE1 ＃ >VCC -0.2 ; VCC = MAX ;
所有其它输入< VSS 0.2或>VCC -0.2 ;
所有输入静态的; F = 0
符号
ICC
I
SB1
I
SB2
典型值
120
25
0.02
POWE
-10
260
240
60
50
10
1.0
-12
220
200
55
45
10
1.0
-15
190
170
50
40
10
1.0
-20
150
130
45
35
10
1.0
单位
笔记
mA
mA
mA
3, 14
14
14
标准
低
标准
低
标准
低
电容
DESCRIPTIO
输入电容
输入/输出电容（ DQ ）
条件S
T
A
= 25
o
℃; F = 1 MHz的
VCC = 5V
Symbo升
C
I
C
I / O
最大
6
8
单位为s
pF
pF
注释
4
4
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AC电气特性
（注5 ） （全温度范围; VCC = 5V
DESCRIPTIO
阅读CYCL ê
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址嫦娥输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁止在高Z输出
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出使能到输出高-Z
字节使能存取时间
字节使能输出在低Z
字节禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电添é
写CYCL ê
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效的写操作结束，与OE ＃
高
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
写脉冲宽度，以OE ＃ HIG
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高Z输出
字节使能，以结束写的
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP2
t
WP1
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
t
t
t
t
t
t
GVT7264A16
革命引脚64K ×16
+10%
)
- 10
- 12
民
最大
- 15
民
最大
- 20
民
MAN
单位备注
符号
民
最大
RC
AA
10
10
10
3
3
5
5
0
5
6
0
5
0
10
10
8
8
0
0
10
8
6
0
3
5
8
12
12
12
4
4
6
6
0
6
7
0
6
0
12
12
8
8
0
0
10
8
6
0
4
6
8
15
15
15
4
4
7
7
0
7
8
0
7
0
15
15
9
9
0
0
11
9
7
0
5
7
9
20
20
20
4
4
8
8
0
8
9
0
8
0
20
20
10
10
0
0
12
10
8
0
5
8
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 7
4, 6, 7
4, 7
4, 6, 7
4
4
4, 6
4, 7
4, 6, 7
t
t
ACE
t
OH
LZCE
t
t
HZCE
AOE
LZOE
t
HZOE
ABE
LZBE
t
HZBE
PU
PD
t
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5
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