斯普拉格 - 古德曼
工程公告
SG-950
变容二极管
斯普拉格 - 古德曼电子公司
1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590
电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771
E-MAIL ： info@spraguegoodman.com
变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
高级中等范围的线性特性
高比例调整
=高Q
有共阴极风格
提供芯片形式（加后缀-000 ）
低电压无线锁相环的VCO
移相器
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
应用
温度补偿晶体振荡器，压控石英振荡器
低电压无线开环的VCO
总
电容
C
T
（ pF）时，在-2 V
民
最大
46
100
68
150
总
电容
C
T
（PF ）在-7 V
典型值
6.1
13.0
总
电容
C
T
（ pF）时，在-10 V
民
最大
4.2
8.6
5.2
10.6
Q分
在-2 V
（ 10兆赫）
75
50
型号
单身
GVD1401-001
GVD1404-001
常见
阴极
—
—
3
顶视图
3
0.031
典型值
0.80
0.035
典型值
0.90
500
1
2
（单）
1
2
（共阴极）
0.115
±
0.005
2.93
±
0.13
0.079
2.0
100
0.038
±
0.003
0.96
±
0.065
0.037
0.95
0.037
0.95
焊盘布局
50
0.091
±
0.008
2.3
±
0.2
0.051
±
0.004
1.3
±
0.1
C
T
（PF ）
0.021
±
0.003
0.53
±
0.08
0.075
±
0.005
1.91
±
0.13
GVD1401-001
0.040
±
0.007
1.03
±
0.18
GVD1404-001
10
0.016
±
0.002
0.41
±
0.04
典型值
0.007
±
0.003
0.18
±
0.08
0.0047
±
0.0013
0.12
±
0.033
典型值
5
0.5
1
2
3
4 5 6
10
20
30
50
反向电压
（伏）
SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004
/
0.1.
2
。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com
变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
高级中等范围的线性特性
高比例调整
=高Q
有共阴极风格
提供芯片形式（加后缀-000 ）
低电压无线锁相环的VCO
移相器
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
应用
温度补偿晶体振荡器，压控石英振荡器
低电压无线开环的VCO
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
最大
3.00
5.85
10.35
15.50
45.00
3.60
7.15
12.65
18.50
54.00
电容
比
C
T
在-1 V
C
T
在-3 V
民
最大
1.4
1.6
1.6
1.6
1.6
1.9
2.0
2.0
2.0
2.0
电容
比
C
T
在-1 V
C
T
在-6 V
民
最大
2.6
2.8
2.9
3.0
3.0
3.3
3.4
3.4
3.5
3.5
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
1500
1200
1000
900
750
型号
常见
阴极
GVD20433-004
GVD20434-004
GVD20435-004
GVD20436-004
---
单身
GVD20433-001
GVD20434-001
GVD20435-001
GVD20436-001
GVD20437-001
3
顶视图
3
0.031
典型值
0.80
0.035
典型值
0.90
100.0
50.0
1
2
（单）
1
2
（共阴极）
0.115
±
0.005
2.93
±
0.13
0.079
2.0
C
T
（PF ）
10.0
0.038
±
0.003
0.96
±
0.065
0.037
0.95
0.037
0.95
焊盘布局
0.091
±
0.008
2.3
±
0.2
0.051
±
0.004
1.3
±
0.1
5.0
GVD20436-001
3.0
2.0
GVD20434-001
GVD20435-001
0.021
±
0.003
0.53
±
0.08
0.075
±
0.005
1.91
±
0.13
0.040
±
0.007
1.03
±
0.18
1.0
0.5
0.016
±
0.002
0.41
±
0.04
典型值
0.3
0.007
±
0.003
0.18
±
0.08
0.0047
±
0.0013
0.12
±
0.033
典型值
0.5
1
2
3
4 5 6
10
20
30
50
反向电压
（伏）
SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004
/
0.1.
。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com
3
变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
高级中等范围的线性特性
高比例调整
=高Q
有共阴极风格
提供芯片形式（加后缀-000 ）
低电压无线锁相环的VCO
移相器
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
应用
温度补偿晶体振荡器，压控石英振荡器
低电压无线开环的VCO
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
13.0
13.0
17.0
17.0
26.0
26.0
36.0
36.0
总
电容
C
T
（PF ）在-2.5 V
民
最大
6.5
6.5
8.5
8.5
13.0
13.0
18.0
18.0
10.0
10.0
13.0
13.0
20.0
20.0
27.0
27.0
总
电容
C
T
（PF ）在-8 V
最大
2.7
2.7
3.2
3.2
4.7
4.7
6.2
6.2
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
750
350
600
300
500
225
400
150
型号
单身
GVD20442-001
GVD20443-001
GVD20444-001
GVD20445-001
GVD20446-001
GVD20447-001
GVD20448-001
GVD20449-001
常见
阴极
GVD20442-004
GVD20443-004
GVD20444-004
GVD20445-004
---
---
---
---
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
9.0
总
电容
C
T
（PF ）在-2.5 V
民
最大
4.5
6.5
总
电容
C
T
（PF ）为-4 V
最大
3.0
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
400
型号
单身
GVD20450-001
常见
阴极
GVD20450-004
3
顶视图
3
0.031
典型值
0.80
0.035
典型值
0.90
50.0
1
2
（单）
1
2
（共阴极）
0.115
±
0.005
2.93
±
0.13
0.079
2.0
10.0
0.038
±
0.003
0.96
±
0.065
0.037
0.95
0.037
0.95
焊盘布局
C
T
（PF ）
5.0
GVD20448-001
3.0
2.0
GVD20446-001
GVD20444-001
0.091
±
0.008
2.3
±
0.2
0.051
±
0.004
1.3
±
0.1
0.021
±
0.003
0.53
±
0.08
0.075
±
0.005
1.91
±
0.13
1.0
0.040
±
0.007
1.03
±
0.18
GVD20450-001
0.5
0.016
±
0.002
0.41
±
0.04
典型值
0.3
0.007
±
0.003
0.18
±
0.08
0.0047
±
0.0013
0.12
±
0.033
典型值
0.5
1
2
3
4 5 6
10
20
30
50
反向电压
（伏）
SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004
/
0.1.
4
。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com
变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
表面贴装低寄生封装（ SMLP- ）
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
适合足迹的SOD- 323 ， SOD- 123及更小
高频（ VHF到8GHz ）
可用的载体和卷轴
提供芯片形式（加后缀-000 ）
两种封装类型，包括更低的成本，平
顶级版
备用缺口终结版本，
请联络厂方外形图
应用
PCS
GSM
蜂窝
WANS
标签
DECT
- AMPS
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -65 ° C至+ 125°C
存储温度： -65 ° C至+ 125°C
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
36.0
26.0
17.0
13.0
9.0
4.0
1.8
1.2
0.6
总
电容
C
T
（PF ）在-2.5 V
民
最大
18.0
27.0
13.0
20.0
8.5
13.0
6.5
10.0
4.5
6.5
2.0
3.0
1.1
1.5
0.8
1.1
0.5
0.8
总
电容
C
T
（PF ）为-4 V
最大
12.0
9.0
6.0
4.5
3.0
1.5
0.8
0.6
0.4
总
电容
C
T
（PF ）在-8 V
最大
6.2
4.7
3.2
2.7
1.7
1.0
0.55
0.45
0.35
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
400
500
600
750
900
1200
1400
1600
1800
模型
号码*
GVD90001 - _
GVD90002 - _
GVD90003 - _
GVD90004 - _
GVD90005 - _
GVD90006 - _
GVD90007 - _
GVD90008 - _
GVD90009 - _
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
*对于完整的型号，从下面的图表中选择“短跑号” 。
终端（镀金）
点指示
阴极结束
B
短跑
号
- 011
A
0.10
2.5
0.12
3.0
B
C
1
C
2
D
0.015 ± 0.004
0.38 ± 0.1
0.020 ± 0.005
0.51 ± 0.1
0.020 ± 0.005
0.51 ± 0.1
0.015 ± 0.004
0.38 ± 0.1
0.011 ± 0.003
0.28 ± 0.08
K
L
M
0.050 0.035 0.050
1.3
0.89
1.3
0.030 0.070 0.112
0.76
1.8
2.84
（典型值）
底部视图
A
顶视图
- 111
- 012
- 112
C
1
0.060 0.035 0.050
1.5
0.89
1.3
0.030 0.080 0.132
0.76
2.0
3.35
TYP
环氧树脂
密封剂
- 013
L
侧面图 - 01__
0.200 0.100 0.035 0.050
5.08
2.54
0.89
1.3
0.030 0.120 0.212
0.76
3.05
5.38
- 113
- 014
0.075 0.050 0.035 0.050
1.9
1.3
0.89
1.3
0.030 0.070 0.087
0.76
1.8
2.2
M
贴装焊盘布局
环氧树脂
密封剂
C
2
- 114
- 015
0.062 0.042 0.030 0.050
1.6
1.1
0.76
1.3
0.020 0.060 0.072
0.51
1.5
1.8
侧面图 - 11__
- 115
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.003 / 0.08 。
注： SMLP-封装，尺寸适合的SOT- 23封装的焊盘布局3终端也可以。这
可用于多个二极管设计（如共阴极或共阳极）封装。联系工厂
对于三端SMLP-外形图，并用于对所述多个二极管配置的进一步信息。
。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com
5
斯普拉格 - 古德曼
工程公告
SG-950
变容二极管
斯普拉格 - 古德曼电子公司
1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590
电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771
E-MAIL ： info@spraguegoodman.com
变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
高级中等范围的线性特性
高比例调整
=高Q
有共阴极风格
提供芯片形式（加后缀-000 ）
低电压无线锁相环的VCO
移相器
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
应用
温度补偿晶体振荡器，压控石英振荡器
低电压无线开环的VCO
总
电容
C
T
（ pF）时，在-2 V
民
最大
46
100
68
150
总
电容
C
T
（PF ）在-7 V
典型值
6.1
13.0
总
电容
C
T
（ pF）时，在-10 V
民
最大
4.2
8.6
5.2
10.6
Q分
在-2 V
（ 10兆赫）
75
50
型号
单身
GVD1401-001
GVD1404-001
常见
阴极
—
—
3
顶视图
3
0.031
典型值
0.80
0.035
典型值
0.90
500
1
2
（单）
1
2
（共阴极）
0.115
±
0.005
2.93
±
0.13
0.079
2.0
100
0.038
±
0.003
0.96
±
0.065
0.037
0.95
0.037
0.95
焊盘布局
50
0.091
±
0.008
2.3
±
0.2
0.051
±
0.004
1.3
±
0.1
C
T
（PF ）
0.021
±
0.003
0.53
±
0.08
0.075
±
0.005
1.91
±
0.13
GVD1401-001
0.040
±
0.007
1.03
±
0.18
GVD1404-001
10
0.016
±
0.002
0.41
±
0.04
典型值
0.007
±
0.003
0.18
±
0.08
0.0047
±
0.0013
0.12
±
0.033
典型值
5
0.5
1
2
3
4 5 6
10
20
30
50
反向电压
（伏）
SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004
/
0.1.
2
。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com
变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
高级中等范围的线性特性
高比例调整
=高Q
有共阴极风格
提供芯片形式（加后缀-000 ）
低电压无线锁相环的VCO
移相器
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
应用
温度补偿晶体振荡器，压控石英振荡器
低电压无线开环的VCO
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
最大
3.00
5.85
10.35
15.50
45.00
3.60
7.15
12.65
18.50
54.00
电容
比
C
T
在-1 V
C
T
在-3 V
民
最大
1.4
1.6
1.6
1.6
1.6
1.9
2.0
2.0
2.0
2.0
电容
比
C
T
在-1 V
C
T
在-6 V
民
最大
2.6
2.8
2.9
3.0
3.0
3.3
3.4
3.4
3.5
3.5
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
1500
1200
1000
900
750
型号
常见
阴极
GVD20433-004
GVD20434-004
GVD20435-004
GVD20436-004
---
单身
GVD20433-001
GVD20434-001
GVD20435-001
GVD20436-001
GVD20437-001
3
顶视图
3
0.031
典型值
0.80
0.035
典型值
0.90
100.0
50.0
1
2
（单）
1
2
（共阴极）
0.115
±
0.005
2.93
±
0.13
0.079
2.0
C
T
（PF ）
10.0
0.038
±
0.003
0.96
±
0.065
0.037
0.95
0.037
0.95
焊盘布局
0.091
±
0.008
2.3
±
0.2
0.051
±
0.004
1.3
±
0.1
5.0
GVD20436-001
3.0
2.0
GVD20434-001
GVD20435-001
0.021
±
0.003
0.53
±
0.08
0.075
±
0.005
1.91
±
0.13
0.040
±
0.007
1.03
±
0.18
1.0
0.5
0.016
±
0.002
0.41
±
0.04
典型值
0.3
0.007
±
0.003
0.18
±
0.08
0.0047
±
0.0013
0.12
±
0.033
典型值
0.5
1
2
3
4 5 6
10
20
30
50
反向电压
（伏）
SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004
/
0.1.
。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com
3
变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
高级中等范围的线性特性
高比例调整
=高Q
有共阴极风格
提供芯片形式（加后缀-000 ）
低电压无线锁相环的VCO
移相器
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -55 ° C至+ 125°C
存储温度： -55°C至+ 125°C
应用
温度补偿晶体振荡器，压控石英振荡器
低电压无线开环的VCO
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
13.0
13.0
17.0
17.0
26.0
26.0
36.0
36.0
总
电容
C
T
（PF ）在-2.5 V
民
最大
6.5
6.5
8.5
8.5
13.0
13.0
18.0
18.0
10.0
10.0
13.0
13.0
20.0
20.0
27.0
27.0
总
电容
C
T
（PF ）在-8 V
最大
2.7
2.7
3.2
3.2
4.7
4.7
6.2
6.2
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
750
350
600
300
500
225
400
150
型号
单身
GVD20442-001
GVD20443-001
GVD20444-001
GVD20445-001
GVD20446-001
GVD20447-001
GVD20448-001
GVD20449-001
常见
阴极
GVD20442-004
GVD20443-004
GVD20444-004
GVD20445-004
---
---
---
---
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
9.0
总
电容
C
T
（PF ）在-2.5 V
民
最大
4.5
6.5
总
电容
C
T
（PF ）为-4 V
最大
3.0
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
400
型号
单身
GVD20450-001
常见
阴极
GVD20450-004
3
顶视图
3
0.031
典型值
0.80
0.035
典型值
0.90
50.0
1
2
（单）
1
2
（共阴极）
0.115
±
0.005
2.93
±
0.13
0.079
2.0
10.0
0.038
±
0.003
0.96
±
0.065
0.037
0.95
0.037
0.95
焊盘布局
C
T
（PF ）
5.0
GVD20448-001
3.0
2.0
GVD20446-001
GVD20444-001
0.091
±
0.008
2.3
±
0.2
0.051
±
0.004
1.3
±
0.1
0.021
±
0.003
0.53
±
0.08
0.075
±
0.005
1.91
±
0.13
1.0
0.040
±
0.007
1.03
±
0.18
GVD20450-001
0.5
0.016
±
0.002
0.41
±
0.04
典型值
0.3
0.007
±
0.003
0.18
±
0.08
0.0047
±
0.0013
0.12
±
0.033
典型值
0.5
1
2
3
4 5 6
10
20
30
50
反向电压
（伏）
SOT- 23封装 - 额外的封装配置向厂家咨询。
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.004
/
0.1.
4
。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com
变容二极管
SG-950
超级超突变调谐变容二极管
表面贴装低寄生封装（ SMLP- ）
特点
梅萨硅外延建设
二氧化硅钝化
适合足迹的SOD- 323 ， SOD- 123及更小
高频（ VHF到8GHz ）
可用的载体和卷轴
提供芯片形式（加后缀-000 ）
两种封装类型，包括更低的成本，平
顶级版
备用缺口终结版本，
请联络厂方外形图
应用
PCS
GSM
蜂窝
WANS
标签
DECT
- AMPS
特定网络阳离子
在10 μA DC反向击穿电压
（在25℃ ） ：12 V分
在-10 V最大反向漏电流
（在25℃ ） ： 0.05微安的直流
在25 ° C设备功耗： 250毫瓦（降额
线性为零在+ 125 ℃）的
工作结温范围： -65 ° C至+ 125°C
存储温度： -65 ° C至+ 125°C
总
电容
C
T
（PF ）在-1 V
民
36.0
26.0
17.0
13.0
9.0
4.0
1.8
1.2
0.6
总
电容
C
T
（PF ）在-2.5 V
民
最大
18.0
27.0
13.0
20.0
8.5
13.0
6.5
10.0
4.5
6.5
2.0
3.0
1.1
1.5
0.8
1.1
0.5
0.8
总
电容
C
T
（PF ）为-4 V
最大
12.0
9.0
6.0
4.5
3.0
1.5
0.8
0.6
0.4
总
电容
C
T
（PF ）在-8 V
最大
6.2
4.7
3.2
2.7
1.7
1.0
0.55
0.45
0.35
Q分
在-4 V
（ 50兆赫）
400
500
600
750
900
1200
1400
1600
1800
模型
号码*
GVD90001 - _
GVD90002 - _
GVD90003 - _
GVD90004 - _
GVD90005 - _
GVD90006 - _
GVD90007 - _
GVD90008 - _
GVD90009 - _
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
*对于完整的型号，从下面的图表中选择“短跑号” 。
终端（镀金）
点指示
阴极结束
B
短跑
号
- 011
A
0.10
2.5
0.12
3.0
B
C
1
C
2
D
0.015 ± 0.004
0.38 ± 0.1
0.020 ± 0.005
0.51 ± 0.1
0.020 ± 0.005
0.51 ± 0.1
0.015 ± 0.004
0.38 ± 0.1
0.011 ± 0.003
0.28 ± 0.08
K
L
M
0.050 0.035 0.050
1.3
0.89
1.3
0.030 0.070 0.112
0.76
1.8
2.84
（典型值）
底部视图
A
顶视图
- 111
- 012
- 112
C
1
0.060 0.035 0.050
1.5
0.89
1.3
0.030 0.080 0.132
0.76
2.0
3.35
TYP
环氧树脂
密封剂
- 013
L
侧面图 - 01__
0.200 0.100 0.035 0.050
5.08
2.54
0.89
1.3
0.030 0.120 0.212
0.76
3.05
5.38
- 113
- 014
0.075 0.050 0.035 0.050
1.9
1.3
0.89
1.3
0.030 0.070 0.087
0.76
1.8
2.2
M
贴装焊盘布局
环氧树脂
密封剂
C
2
- 114
- 015
0.062 0.042 0.030 0.050
1.6
1.1
0.76
1.3
0.020 0.060 0.072
0.51
1.5
1.8
侧面图 - 11__
- 115
所有尺寸都在
/
mm.
除非另外指明，在尺寸公差为± 0.003 / 0.08 。
注： SMLP-封装，尺寸适合的SOT- 23封装的焊盘布局3终端也可以。这
可用于多个二极管设计（如共阴极或共阳极）封装。联系工厂
对于三端SMLP-外形图，并用于对所述多个二极管配置的进一步信息。
。 SPRAGUE - GOODMAN ELECTRONICS ， INC。 ， 1700羞辱DRIVE ， WESTBURY ，NY 11590 电话： 516-334-8700 传真： 516-334-8771 E-MAIL ：信息@ spraguegoodman.com
5
QQ：2880707522 复制
