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GUR5H60 , GURF5H60 & GURB5H60
威世通用半导体
超快整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
玻璃钝化结
超快恢复时间
低开关损耗,效率高
高正向浪涌能力
2
1
2
GUR5H60
销1
销2
1
GURF5H60
销1
销2
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 ,
245 ° C(用于TO- 263AB LF最大峰值
包)
浸焊260 ° C, 40秒(对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装)
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
TO-263AB
K
2
1
GURB5H60
销1
销2
K
散热器
典型应用
对于在高电压和高频率功率使用
因数校正器,续流二极管和二级
直流到直流整流的应用。
机械数据
案例:
TO- 220AC , ITO - 220AC , TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须测试, HE3后缀为高可靠性等级
( AEC Q101标准) ,符合JESD 201 2级
晶须测试
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
5.0 A
600 V
90 A
30纳秒
1.6 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大工作电压反向
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
逆向能源
工作结存储温度范围
隔离电压( ITO - 220AC只)
从终端到散热片T = 1分
符号
V
RRM
V
RWM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
E
R
T
J
, T
英镑
V
AC
价值
600
480
420
600
5
90
10
- 55至+ 150
1500
单位
V
V
V
V
A
A
mJ
°C
V
文档编号: 88650
修订: 06 - 8 - 07
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
GUR5H60 , GURF5H60 & GURB5H60
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大正向电压
(1)
反向电流最大DC
最大反向恢复时间
注意:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
测试条件
I
F
= 5 A
V
RWM
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
符号
V
F
I
R
t
rr
价值
1.8
1.6
20
400
30
单位
V
A
ns
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
结点的典型热阻到外壳
符号
R
θJC
GUR
2.0
GURF
3.0
GURB
2.0
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
GUR5H60-E3/45
GURF5H60-E3/45
GURB5H60-E3/45
GURB5H60-E3/81
GUR5H60HE3/45
(1)
GURF5H60HE3/45
(1)
GURB5H60HE3/45
(1)
GURB5H60HE3/81
(1)
单位重量(g )
1.80
1.95
1.33
1.33
1.80
1.95
1.33
1.33
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
磁带和卷轴
磁带和卷轴
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2
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文档编号: 88650
修订: 06 - 8 - 07
GUR5H60 , GURF5H60 & GURB5H60
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
6
100
5
GUR5H60
GURB5H60
正向电流(A )
平均正向电流( A)
10
T
J
= 100 °C
1
T
J
= 150 °C
4
3
GURF5H60
2
T
J
= 25 °C
0.1
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
外壳温度( ° C)
正向
电压
(V)
图1.正向电流降额曲线
图4.典型正向电压
100
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
峰值正向浪涌电流( A)
80
60
40
结电容(pF )
10
20
0
1
10
100
1
0.1
1
10
100
环,在60赫兹的
反向
电压
(V)
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
图5.典型结电容
1000
瞬时反向电流( μA )
100
T
J
= 150 °C
10
1
T
J
= 100 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
20
40
60
80
100
峰值反向百分比
电压
(%)
图3.典型的反向电流
文档编号: 88650
修订: 06 - 8 - 07
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3
GUR5H60 , GURF5H60 & GURB5H60
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
TO-220AC
0.415 ( 10.54 ) MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 ( 3.91 ) DIA 。
0.148 ( 3.74 ) DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
ITO-220AC
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.404
0.384
0.076
(1.93)
45 ° REF 。
(10.26)
(9.75)
REF 。
REF 。
见注
见注
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7 ° REF 。
0.076参考。
( 1.93 )参考。 0.140 ( 3.56 ) DIA 。
0.125 ( 3.17 ) DIA 。
0.671 (17.04)
7 ° REF 。
0.651 (16.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.135 ( 3.43 ) DIA 。
0.122 ( 3.08 ) DIA 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
2
1
铜曝光
0.010 (0.25 )最大。
2
7 ° REF 。
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
注意:
铜接触是允许的0.005 ( 0.13 )最大。从
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 ( 3.81 )最低。
0.08 ( 2.032 ) MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 ( 8.38 )最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 ( 10.66 ) MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 ( 0 0.254 )
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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日前,Vishay
放弃
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GURB5H60-E3/81
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
GURB5H60-E3/81
Vishay
2025+
26820
TO-263-3
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
GURB5H60-E3/81
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
16000
TO-263AB(D2PAK)
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
GURB5H60-E3/81
VISHAY/威世
2018+/2017
50000
TO-263AB
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
GURB5H60-E3/81
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
10000
TO-263AB(D2PAK)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877805 复制

电话:171-4729-0036(微信同号)
联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
GURB5H60-E3/81
VISHAY
21+
3675
TO-263
14¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:14元
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
GURB5H60-E3/81
Vishay Semiconductors
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8541
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