【无铅电镀产品颁发日期： 2006/01/19修订日期：GU08P20P沟道增强型功率MOSFETBV】,IC型号GU08P20,GU08P20 PDF资料,GU08P20经销商,ic,电子元器件-51电子网

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无铅电镀产品

颁发日期： 2006/01/19

修订日期：

GU08P20

P沟道增强型功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

-200V

680m

-8A

该GU08P20

(TO-263

包）普遍首选的所有商业工业表面贴装应用

和适合于低电压应用，如DC / DC转换器。

*简单的驱动要求

*低导通电阻

*快速开关特性

*符合RoHS

描述

特点

包装尺寸

REF 。

A

b

L4

c

L3

L1

E

毫米

REF 。

分钟。

马克斯。

4.40

4.80

c2

0.76

1.00

b2

0.00

0.30 B D

0.36

0.5

e

1.50 REF 。

L

2.29

2.79

9.80

10.4

L2

毫米

分钟。

马克斯。

1.25

1.45

1.17

1.47

8.6

9.0

2.54 REF 。

14.6

15.8

0

8

1.27 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@10V

连续漏电流， V

GS

@10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25 :

I

D

@T

C

=100 :

I

DM

P

D

@T

C

=25 :

TJ ， TSTG

评级

-200

±20

-8

-5

-30

96

0.77

-55 ~ +150

单位

V

V

A

A

A

W

W/ :

:

热数据

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

符号

Rthj -C

Rthj -A

价值

1.3

62

单位

:

/W

: /W

GU08P20

页次： 1/4

颁发日期： 2006/01/19

修订日期：

电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

符号

BV

DSS

BV

DSS

/

Tj

分钟。

-200

-

-2.0

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-0.03

-

4

-

-

-

-

20

5

13

12

14

64

28

1210

170

45

3.6

马克斯。

-

-

-4.0

-

±100

-25

-100

680

32

-

-

-

-

-

-

-

-

-

5.4

单位

V

V/ :

V

S

nA

uA

uA

m

测试条件

V

GS

=0, I

D

=-250uA

参考25 ：我

D

=-1mA

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -10V ，我

D

=-5A

V

GS

= ±20V

V

DS

=-200V, V

GS

=0

V

DS

=-160V, V

GS

=0

V

GS

= -10V ，我

D

=-4A

I

D

=-5A

V

DS

=-160V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-100V

I

D

=-5A

V

GS

=-10V

R

G

=10

R

D

=20

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ：）

漏极 - 源极漏电流（ TJ =

150 :

)

V

GS （ TH）

g

fs

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

Q

g

Q

gs

Q

gd

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

2

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

nC

ns

pF

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

2

符号

V

SD

T

rr

Q

rr

分钟。

-

-

-

典型值。

-

165

1420

马克斯。

-1.3

-

-

单位

V

ns

nC

测试条件

I

S

= -5A ，V

GS

=0V

I

S

= -5A ，V

GS

=0V

的di / dt = 100A / S

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

GU08P20

页次：2/4

颁发日期： 2006/01/19

修订日期：

特性曲线

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

图5.正向特性

反向二极管

GU08P20

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

页次： 3/4

颁发日期： 2006/01/19

修订日期：

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

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中国：

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GU08P20

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