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无铅电镀产品
颁发日期： 2006年8月8日
修订日期：
GTT8209E
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
21m
7A
所使用的GTT8209E先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻非常有效和
成本效益的设备。
该GTT8209E普遍适用于所有商业工业应用。
描述
*低栅极电荷
*小包装外形
*符合RoHS
特点
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大。
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF 。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF 。
0.60参考。
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF 。
1.90 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
1,2
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
符号
Rthj -A
工作结存储温度范围
评级
20
±12
7
5.7
30
1.2
0.01
-55 ~ +150
价值
110
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
单位
:
/W
热数据
参数
3
热阻结到环境
马克斯。
GTT8209E
页次： 1/4
颁发日期： 2006年8月8日
修订日期：
电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 55 ： ）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
分钟。
20
0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
24
-
-
-
-
-
-
-
9.3
0.6
3.6
5.7
11.5
31.5
9.7
630
164
137
1.5
马克斯。
-
1.0
-
±10
1
5
21
24
32
50
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
S
uA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
V
GS
= ±10V
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=7.0A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
-
-
-
m
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2.0A
I
D
=7A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
V
GS
=5V
R
G
=3
R
L
=1.4
V
GS
=0V
V
DS
=10V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
符号
V
SD
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
-
-
-
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
15.2
6.3
-
马克斯。
1.0
-
-
2.5
单位
V
ns
nC
A
测试条件
I
S
= 1.0A ，V
GS
=0V
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.0V
T
rr
Q
rr
I
S
反向恢复电荷
连续源电流（
体二极管
)
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
2
3.表面装在1的FR4电路板吨铜垫
5秒; 180 ： /安装在闽当W 。铜垫。
GTT8209E
页次：2/4
颁发日期： 2006年8月8日
修订日期：
特性曲线
图1.典型的输出特性
如图2传输特性
图3.导通电阻V.S.漏
电流和栅极电压
10
图4.导通电阻V.S.
结温
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
图5.导通电阻
V.S.栅源电压
图6.体二极管特性
GTT8209E
页次： 3/4
颁发日期： 2006年8月8日
修订日期：
图7.最大安全工作区
图8.单脉冲功率额定值
结到环境
V.S.结温
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图11.归最大瞬态热阻抗
曲线
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GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 4传真： 86-21-38950165
GTT8209E
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