无铅电镀产品
颁发日期： 2006/02/23
修订日期：
GTT3585
N和P沟道增强型功率MOSFET
描述
N-CH BV
DSS
20V
N沟道
R
DS （ ON）
75m
N沟道
I
D
3.5A
P- CH BV
DSS
-20V
N沟道
R
DS （ ON）
160m
N沟道
I
D
-2.5A
该GTT3585为设计者提供了导通电阻和最快速切换的组合，低
成本效益。
采用TSSOP - 6包装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。
特点
*低栅极变化
*低导通电阻
*符合RoHS
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大。
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF 。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF 。
0.60参考。
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF 。
1.90 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
N沟道P沟道
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
20
± 12
3.5
2.8
10
1.14
0.01
-20
± 12
-2.5
-1.97
-10
-55 ~ +150
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
110
单位
: /W
GTT3585
页： 1/7
颁发日期： 2006/02/23
修订日期：
N沟道电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
20
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
7
-
-
-
-
-
4
0.7
2
6
8
10
3
230
55
40
1.1
马克斯。
-
-
1.2
-
±100
1
10
75
125
7
-
-
-
-
-
-
370
-
-
1.7
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=3A
V
GS
= ±12V
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1.2A
I
D
=3A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
V
GS
=5V
R
G
=3.3
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
16
8
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= 3A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4板，T 5秒的铜垫; 180 ： /安装在闽当W 。铜垫。
GTT3585
页： 2/7
颁发日期： 2006/02/23
修订日期：
P沟道电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
-20
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.01
-
4.0
-
-
-
-
-
-
5
1
2
6
17
16
5
270
70
55
马克斯。
-
-
-1.2
-
±100
-1
-25
120
160
300
8
-
-
-
-
-
-
430
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
参考25 ：我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-2A
V
GS
= ±12V
V
DS
=-20V, V
GS
=0
V
DS
=-16V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.8A
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
R
DS （ ON）
-
-
m
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2A
I
D
=-2A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-10V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=-20V
f=1.0MHz
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
20
15
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= -2A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4板，T 5秒的铜垫; 180 ： /安装在闽当W 。铜垫。
GTT3585
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