无铅电镀产品
颁发日期： 2006/10/31
修订日期：
GTT3434
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
34m
6.1A
该GTT3434采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻和低栅极电荷。
采用TSSOP - 6包装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用。
描述
特点
*低导通电阻
*有能力2.5V栅极驱动
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大。
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF 。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF 。
0.60参考。
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF 。
1.90 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
30
±12
6.1
4.9
30
1.14
0.01
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
110
单位
: /W
GTT3434
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颁发日期： 2006/10/31
修订日期：
电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
分钟。
30
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
20
-
-
-
-
-
8
1.9
2.6
21
45
40
30
马克斯。
-
-
-
±100
1
5
34
50
12
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=1mA
V
DS
= 10V ，我
D
=6.1A
V
GS
= ±12V
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.1A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.0A
I
D
=6.1A
V
DS
=15V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
V
GS
=4.5V
R
G
=6
R
L
=15
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
nC
ns
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
符号
V
SD
T
rr
分钟。
-
-
典型值。
-
40
马克斯。
1.2
-
单位
V
ns
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 1.7A ，的di / dt = 100A / S
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4板，T 5秒的铜垫; 180 ： /安装在闽当W 。铜垫。
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图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.阈值电压
图10.单脉冲功率
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
图11.归最大瞬态热阻抗
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