颁发日期： 2005年1月7日
修改日期： 2006/12 / 25B
GTS9926E
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
28m
4.6A
该GTS9926E为设计者提供了快速开关，坚固耐用的设备设计的最佳组合，
超低导通电阻和成本效益。
*低导通电阻
*有能力2.5V栅极驱动
*低驱动电流
*表面贴装封装
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
A1
b
c
D
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.05
0.19
0.09
2.90
1.20
0.15
0.30
0.20
3.10
REF 。
E
E1
e
L
S
毫米
分钟。
马克斯。
6.20
4.30
0.45
0°
6.60
4.50
0.75
8°
0.65 BSC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@ TA = 25 ：
TJ ， TSTG
评级
20
±12
4.6
3.7
20
1
0.008
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
125
单位
: /W
GTC9926E
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颁发日期： 2005年1月7日
修改日期： 2006/12 / 25B
图7.栅极电荷特性
图8.有效的瞬态热阻抗
图9.最高安全工作区
图10.栅极阈值电压V.S.连接点
温度
图11.正向特性
反向二极管
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