【GT8G134东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBTGT8G134频闪闪光灯应用小型，薄型（ TSSO】,IC型号GT8G134,GT8G134 PDF资料,GT8G134经销商,ic,电子元器件-51电子网

GT8G134

东芝绝缘栅双极晶体管

硅N沟道IGBT

GT8G134

频闪闪光灯应用

小型，薄型（ TSSOP - 8 ）封装

增强型

峰值集电极电流：I

= 150 A（最大值）

(@V

=2.5V(min))/

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

脉冲

（注1 ）

（注2A ）

（注2B ）

符号

CES

GES

(1)

(2)

英镑

等级

400

±4

±5

150

1.1

0.6

150

55~150

单位

集电极电流

集电极电源

耗散（T = 10秒）

结温

存储温度范围

°C

1,2

辐射源

发射极（栅极驱动器的连接）

门

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ /降级的概念和方法）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，

等）。

5,6,7,8集热器

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 0.035克（典型值）。

―

－

电路CON组fi guration

8 7 6 5

热特性

特征

热阻，结到

环境

（T = 10秒）

(Note2a)

热阻，结到

环境

（T = 10秒）

(Note2b)

符号

号（j -a）的

(1)

号（j -a）的

(2)

等级

114

208

单位

° C / W

记号

（注3）

注意：对于（注1），（注2a）中，（注2b）与（注3），请参考

产品型号（或缩写代码）

下页。

8G134

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2007-07-23

GT8G134

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

关闭

符号

GES

CES

GE （ OFF ）

CE （SAT）

IES

测试条件

= ± 4

V, V

400 V, V

1毫安，V

5 V

150 A，V

2.5 V

10 V, V

0, f

1兆赫

2Ω

民

0.65

典型值。

1.0

3.4

4560

0.6

0.8

1.2

1.8

最大

1.35

单位

μA

≒300V

μs

: t

＆ LT ;

100纳秒

＆ LT ;

100纳秒

占空比

＆ LT ;

记

注1 ：请在使用条件下器件的结温低于150 ℃。

重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。

注2A ：设备安装

玻璃环氧基板（一）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

注意2B ：设备安装

玻璃环氧基板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

集热

用于发射

对于GATE

集热

用于发射

注3 ：

○

较低的标记权表示引脚1 。

※

每周的代码：

（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（一低位日历年的数字）

※

无铅表面处理（仅涂层引线端子）：

它标志着大约下划线一周的制造标记。

2007-07-23

GT8G134

注意事项处理

此设备是MOS栅极型。因此，请小心静电放电在处理一个保护。

注意在设计

你应该在ICP = 150A设计的dV / dt值低于400 V /μs的下大= 70 ℃时， IGBT关断。

你应该设计为不通过终端号码3流向集电极电流。

定义

的dv / dt的

V的斜率

从30V到90V （附图一）

的dv / dt = （ 90V - 30V ） / （ ⊿T ）

= 60V /

⊿t

Waveform

（扩展）

C（开始）

90V

30V

0V ， 0A

（结束）

dv / dt的

期

⊿t

-GATE

驱动器连接

5,6,7,8

司机

1,2

2007-07-23

GT8G134

– V

200

160

2.7

2.5

2.3

200

– V

2.7

2.5

2.3

120

(A)

集电极电流Ic

120

VGE

2 V

集电极电流Ic

(A)

160

VGE

2 V

共发射极

= 40°C

共发射极

25°C

集电极 - 发射极电压

VCE （ V）

集电极 - 发射极电压Vce （ V）

– V

200

2.7

2.5

2.3

120

CE （ SAT ）

- TA

150 A

120

集电极电流Ic

(A)

160

VGE

2 V

共发射极

70°C

集电极 - 发射极饱和电压

CE （ SAT ）

(V)

共发射极

VGE

2.5 V

100

150

集电极 - 发射极电压

VCE （ V）

环境温度Ta （C ）

– V

160

1.6

GE （关闭）

- TA

120

= 40°C

栅极 - 发射极截止电压

GE （关闭）

(V)

(A)

1.2

集电极电流Ic

0.8

共发射极

VCE

5 V

0.4

共发射极

VCE

5 V

1毫安

100

150

栅极 - 发射极电压

(V)

环境温度Ta （C ）

2007-07-23

GT8G134

– V

VCE （ V）

集电极 - 发射极电压

VCE （ V）

集电极 - 发射极电压

150 A

120

150 A

120

共发射极

= 40°C

共发射极

25°C

栅极 - 发射极电压

(V)

栅极 - 发射极电压

(V)

– V

400

, V

– Q

VCE （ V）

共发射极

VCC

300 V

25°C

VCE （ V）

300

150 A

120

共发射极

70°C

集电极 - 发射极电压

200

VGE

100

栅极 - 发射极电压

(V)

栅极电荷Qg （ NC ）

开关时间 - R的

开关时间 - 我

切换时间（ μS ）

花花公子

吨

共发射极

VCC

300 V

VGE

3 V

150 A

25°C

100

1000

吨

共发射极

VCC

300 V

VGE

3 V

25°C

100

150

200

0.1

栅极电阻

RG（ Ω ）

集电极电流Ic

(A)

2007-07-23

栅极 - 发射极电压

VCE

(V)

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