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GT80J101B
东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBT
GT80J101B
高功率开关应用
增强型模式
高速：吨
f
= 0.40微秒（最大值） （我
C
= 80 A)
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 2.9 V（最大值） （我
C
= 80 A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极
当前
@TC
=
100°C
@TC
=
25°C
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
等级
600
±20
33
80
160
80
P
C
200
3.5
T
j
T
英镑
150
55~150
0.8
°C
°C
N·m的
W
A
单位
V
V
A
集电极电流脉冲（注1 ）
@TC
=
100°C
集电极电源
耗散
结温
储存温度
螺杆转矩
@TC
=
25°C
@Ta
=
25°C
JEDEC
JEITA
东芝
?
?
2-21F2C
重量： 9.75克（典型值）。
注1：我的最大额定值
CP
= 160A是由脉冲（ 1毫秒）的限制。
参阅安全工作区的曲线图中的细节。
热特性
特征
热阻，结到管壳
符号
等级
单位
（ TC
=
25°C)
热阻，结点到空气
R
日（J -C ）
0.625
° C / W
（大
=
25°C)
R
号（j -a）的
35.7
° C / W
记号
产品型号（或缩写代码）
东芝
80J101B
LOT号
日本
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
1
2006-06-05
GT80J101B
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
t
f
（注2 ）
t
关闭
0.7
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
(1)
V
CE （SAT）
(2)
C
IES
t
r
t
on
测试条件
V
GE
= ±25
V, V
CE
=
0
V
CE
=
600 V, V
GE
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
80毫安
I
C
=
10 A，V
GE
=
15 V
I
C
=
80 A，V
GE
=
15 V
V
CE
=
10 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
阻性负载
V
CC
=
300 V，I
C
=
80 A
V
GG
= ±15
V ，R
G
=
33
民
3.0
典型值。
2.4
5500
0.3
0.5
0.25
最大
±500
1.0
6.0
2.0
2.9
pF
单位
nA
mA
V
V
0.40
s
注2 ：切换时间测量电路和输入/输出波形。
V
GE
90%
0
R
G
R
L
0
V
CC
0
V
CE
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
t
r
t
on
I
C
90%
10%
10%
90%
10%
注意事项处理
此设备是MOS栅极型。因此，请关心ESD时使用。
2
2006-06-05
GT80J101B
I
C
V
CE
100
8
Tc
=
25 °C
10
V
CE
V
GE
集电极 - 发射极电压Vce （ V）
共发射极
共发射极
Tc
= 40°C
8
10
20
6
40
4
60
我知道了
=
80 A
15
20
10
集电极电流Ic （ A）
80
60
6
40
20
5
VGE
=
4 V
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
24
集电极 - 发射极电压Vce （ V）
栅极 - 发射极间电压VGE （V）的
V
CE
V
GE
10
10
Tc
=
25°C
8
10
6
20
40
4
60
我知道了
=
80 A
V
CE
V
GE
集电极 - 发射极电压Vce （ V）
共发射极
共发射极
Tc
=
125°C
8
10
6
20
40
4
60
我知道了
=
80 A
集电极 - 发射极电压Vce （ V）
2
2
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
4
8
12
16
20
24
栅极 - 发射极间电压VGE （V）的
栅极 - 发射极间电压VGE （V）的
I
C
V
GE
100
共发射极
VCE
=
5 V
4
共发射极
VGE
=
15 V
3
V
CE （SAT）
Tc
集电极电流Ic （ A）
80
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （饱和） （Ⅴ）
60
80
2
50
30
我知道了
=
10 A
40
20
Tc
=
125°C
25
40
1
0
0
2
4
6
8
10
12
0
40
0
40
80
120
160
栅极 - 发射极间电压VGE （V）的
壳温度（ ° C）
3
2006-06-05
GT80J101B
V
CE
, V
GE
Q
G
集电极 - 发射极电压VCE （ V） （ '10 V）
栅极 - 发射极间电压VGE （V）的
20
共发射极
16
R L
=
1.88
Tc
=
25°C
5
3
10
开关时间 - R的
G
共发射极
VCC
=
300 V
我知道了
=
80 A
VGG
= ±15
V
Tc
=
25°C
吨关闭
T ON
12
VCE
=
150 V
8
100
50
切换时间（ μS ）
1
tr
tf
0.5
0.3
4
0
0
80
160
240
320
0.1
3
5
10
30
50
100
300 500
栅极电荷Qg
（ NC ）
栅极电阻R（
)
G
开关时间 - 我
C
5
共发射极
3
VCC
=
300 V
R G
=
33
10000
30000
C
V
CE
切换时间（ μS ）
电容C （PF ）
VGG
= ±15
V
Tc
=
25°C
1
5000
3000
IES
0.5
0.3
吨关闭
1000
500
300
共发射极
VGE
=
0 V
f
=
1兆赫
OES
T ON
tf
tr
10
20
30
40
50
60
70
80
0.1
0
100
50
1
Tc
=
25°C
3
5
10
30 50
RES
100
300 500
集电极电流I（A ）
C
集电极 - 发射极电压Vce （ V）
安全工作区
*
单一不重复脉冲锝
=
25°C
曲线必须呈线性增加会减小
温度。
集电极电流Ic （ A）
200
R
日（T ）
t
w
瞬态热阻抗
RTH （ T） （ ° C / W）
1
s
*
10
s
*
100
s
*
2
10
1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
5
10
Tc
=
25 °C
我的Cmax
100（脉冲）
我的Cmax
（连续）
DC
手术
30
10
3
10毫秒
*
1毫秒
*
1
1
3
10
30
100
300
1000
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
10
集电极 - 发射极电压Vce （ V）
脉冲宽度t
w
(s)
4
2006-06-05
GT80J101B
反向偏置SOA
300
100
集电极电流Ic （ A）
30
10
3
1
0.3
0.1
0
Tj
＆ LT ;
125°C
=
VGE
= +15
V
0
R G
=
33
100
200
300
400
500
600
700
集电极 - 发射极电压Vce （ V）
5
2006-06-05
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