【GT60M323东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBTGT60M323电压谐振逆变器开关的应用增强型模】,IC型号GT60M323,GT60M323 PDF资料,GT60M323经销商,ic,电子元器件-51电子网

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GT60M323

东芝绝缘栅双极晶体管

硅N沟道IGBT

GT60M323

电压谐振逆变器开关的应用

增强型模式

高速

: t

f

= 0.09

μs

（ TYP。）（我

C

= 60 A)

低饱和电压： V

CE （SAT）

= 2.3 V （典型值）。（我

C

= 60 A)

FRD包括发射极和集电极之间

TO- 3P （ LH ）（东芝包名）

单位：mm

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

连续集电极

当前

集电极电流脉冲

二极管的正向电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

DC

脉冲

@锝

=

100°C

@锝

=

25°C

@锝

=

100°C

@锝

=

25°C

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

I

F

I

FP

P

C

T

j

T

英镑

等级

900

±25

31

60

120

15

120

80

200

150

55

150

单位

V

V

A

A

A

W

°C

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

―

2-21F2C

重量： 9.75克（典型值）。

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

热特性

特征

热电阻（IGBT）

热电阻（二极管）

符号

R

日（J -C ）

R

日（J -C ）

最大

0.625

4.0

单位

° C / W

° C / W

等效电路

集热器

记号

产品型号（或缩写代码）

东芝

门

辐射源

GT60M323

LOT号

日本

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

1

2006-11-01

GT60M323

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开关时间

开启时间

下降时间

打开-O FF时间

二极管的正向电压

反向恢复时间

符号

I

GES

I

CES

V

GE （ OFF ）

V

CE （SAT）

C

IES

t

r

t

on

t

f

t

关闭

V

F

t

rr

I

F

= 15 A，V

GE

= 0

I

F

= 60 A， di / dt的=

20

A / μs的

测试条件

V

GE

= ±25 V, V

CE

= 0

V

CE

= 900 V, V

GE

= 0

I

C

= 60 mA时， V

CE

= 5 V

I

C

= 60 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 10 V, V

GE

= 0中，f = 1 MHz的

阻性负载

V

CC

= 600 V，I

C

= 60 A

V

GG

= ± 15 V ，R

G

= 51

Ω

（注1 ）

民

―

―

4.0

―

―

―

―

―

―

―

―

典型值。

―

―

―

2.3

4200

0.25

0.37

0.09

0.40

1.1

1.4

最大

±500

0.1

7.0

2.8

―

―

―

0.20

―

1.9

3.0

V

s

μs

单位

nA

mA

V

V

pF

注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形

V

GE

0

R

G

0

V

CC

0

V

CE

t

D（关闭）

R

L

I

C

90%

90%

10%

90%

10%

t

f

t

关闭

10%

t

r

t

on

2

2006-11-01

GT60M323

I

C

– V

CE

120

常见

辐射源

100锝

=

-40°C

10

15

120

9

8

常见

辐射源

100锝

=

25°C

I

C

– V

CE

10

15

9

(A)

(A)

集电极电流Ic

VGE

=

20 V

60

7

集电极电流Ic

80

80

VGE

=

20 V

8

60

7

40

40

20

6

1

2

3

4

5

20

6

0

0

1

2

3

4

5

0

0

集电极 - 发射极电压

VCE （ V）

集电极 - 发射极电压

VCE （ V）

I

C

– V

CE

120

常见

辐射源

100锝

=

125°C

15

VGE

=

20 V

9

80

8

10

80

常见

辐射源

VCE

=

5V

I

C

– V

GE

(A)

(A)

集电极电流Ic

60

集电极电流Ic

60

7

40

40

20

20

Tc

=

125°C

25

40

6

0

0

0

0

1

2

3

4

5

2

4

6

8

10

集电极 - 发射极电压

VCE （ V）

栅极 - 发射极电压

VGE （ V）

V

CE （SAT）

TC =

4

常见

辐射源

VGE

=

15 V

3

80

60

集电极 - 发射极饱和电压

VCE （饱和）（Ⅴ）

2

30

IC

=

10 A

1

0

60

20

20

60

100

140

壳温度（ ° C）

3

2006-11-01

GT60M323

V

CE

, V

GE

– Q

G

200

20

共发射极

RL

=

2.5

Ω

Tc

=

25°C

150

15

10000

- V

CE

常见

辐射源

VGE

=

0

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

VCE （ V）

VGE （ V）

资本投资者入境计划

（PF ）

电容C

1000

集电极 - 发射极电压

100

VCE

=

150 V

50

100

10

栅极 - 发射极电压

100

卓越中心

CRES

10

1

50

5

0

0

60

120

180

0

240

10

100

1000

10000

栅极电荷Qg

（ NC ）

集电极 - 发射极电压

VCE （ V）

开关时间 - R的

G

10

共发射极

VCC

=

600 V

IC

=

60 A

VGG

=

±

15 V

Tc

=

25°C

10

开关时间 - 我

C

共发射极

VCC

=

600 V

RG

=

51

Ω

VGG

=

±

15 V

Tc

=

25°C

切换时间（ μS ）

1

切换时间（ μS ）

1

花花公子

吨

tf

tr

0.1

吨

花花公子

tr

tf

0.1

0.01

1

10

100

1000

0.01

0

10

20

30

40

50

60

70

栅极电阻

RG （

Ω

)

集电极电流Ic

(A)

安全工作区

1000

*

单非重复

脉冲锝

=

25°C

曲线必须降低

线性地增加

温度。

1000

反向偏置SOA

Tj

＆ LT ;

125°C

=

VGG = 20 V

RG

=

10

Ω

(A)

集成电路最大值（脉冲） *

100

IC最大

（连续）

1毫秒*

100 s*

(A)

集电极电流Ic

100

10

集电极电流Ic

10 s*

10

DC

手术

10毫秒

*

1

1

10

100

1000

10000

1

1

10

100

1000

10000

集电极 - 发射极电压VCE （ V）

集电极 - 发射极电压

VCE （ V）

4

2006-11-01

GT60M323

I

C

马克斯 - 锝

（ ° C / W）

(A)

70

60

50

40

30

20

10

0

25

共发射极

VGE

=

15 V

10

2

R

日（T ）

– t

w

Tc

=

25°C

最大直流集电极电流I

C

最大

瞬态热阻抗的Rth （T ）

10

1

二极管阶段

10

0

IGBT阶段

10

1

50

75

100

125

150

10

2

10

5

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

1

10

2

外壳温度

Tc

(°C)

脉冲宽度

TW （S ）

I

F

– V

F

100

常见

集热器

80

1.6

共集电极

的di / dt

= 20

A / μs的

Tc

=

25°C

1.4

t

rr

, I

rr

– I

F

18

TRR （微秒）

(A)

t

rr

16

60

I

rr

1.2

14

40

Tc

=

125°C

20

25

0

0

40

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

1.0

12

0.8

0

20

40

60

10

80

正向电压VF

(V)

正向电流IF

(A)

t

rr

, I

rr

- di / dt的

1.6

t

rr

共集电极

IF

=

60 A

Tc

=

25°C

60

80

TRR （微秒）

1.2

0.8

40

0.4

I

rr

20

0.0

0

40

80

120

160

0

180

的di / dt （ A / μS ）

峰值反向恢复电流

反向恢复时间

IRR

(A)

5

2006-11-01

峰值反向恢复电流

正向电流IF

反向恢复时间

IRR

(A)

GT60M323

东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBT

GT60M323

电压谐振逆变器开关的应用

单位：mm

增强型模式

高速

: t

f

= 0.09微秒（典型值）。（我

C

= 60 A)

低饱和电压： V

CE （SAT）

= 2.3 V （典型值）。（我

C

= 60 A)

FRD包括发射极和集电极之间

TO- 3P （ LH ）（东芝包名）

最大额定值

（大

=

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

连续集电极

当前

集电极电流脉冲

二极管的正向电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

DC

脉冲

@锝

=

100°C

@锝

=

25°C

@锝

=

100°C

@锝

=

25°C

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

I

F

I

FP

P

C

T

j

T

英镑

等级

900

±25

31

60

120

15

120

80

200

150

55

150

单位

V

V

A

A

A

JEDEC

JEITA

东芝

―

―

2-21F2C

W

°C

°C

重量： 9.75克（典型值）。

热特性

特征

热电阻（IGBT）

热电阻（二极管）

符号

R

日（J -C ）

R

日（J -C ）

最大

0.625

4.0

单位

° C / W

° C / W

等效电路

集热器

记号

产品型号（或缩写代码）

门

辐射源

东芝

GT60M323

LOT号

日本

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

1

2004-07-06

GT60M323

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开关时间

开启时间

下降时间

打开-O FF时间

二极管的正向电压

反向恢复时间

符号

I

GES

I

CES

V

GE （ OFF ）

V

CE （SAT）

C

IES

t

r

t

on

t

f

t

关闭

V

F

t

rr

I

F

= 15 A，V

GE

= 0

I

F

= 60 A， di / dt的=

20

A / μs的

测试条件

V

GE

= ±25 V, V

CE

= 0

V

CE

= 900 V, V

GE

= 0

I

C

= 60 mA时， V

CE

= 5 V

I

C

= 60 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 10 V, V

GE

= 0中，f = 1 MHz的

阻性负载

V

CC

= 600 V，I

C

= 60 A

V

GG

= ± 15 V ，R

G

= 51

（注1 ）

民

―

―

4.0

―

―

―

―

―

―

―

―

典型值。

―

―

―

2.3

4200

0.25

0.37

0.09

0.40

1.1

1.4

最大

±500

0.1

7.0

2.8

―

―

―

0.20

―

1.9

3.0

V

s

s

单位

nA

mA

V

V

pF

注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形

V

GE

0

R

G

0

V

CC

0

V

CE

t

D（关闭）

R

L

I

C

90%

90%

10%

90%

10%

t

f

t

关闭

10%

t

r

t

on

2

2004-07-06

GT60M323

I

C

– V

CE

120

常见

辐射源

100锝

=

-40°C

10

15

120

9

8

常见

辐射源

100锝

=

25°C

I

C

– V

CE

10

15

9

(A)

(A)

集电极电流Ic

VGE

=

20 V

集电极电流

IC

80

80

VGE

=

20 V

8

60

7

60

7

40

40

20

6

1

2

3

4

5

20

6

0

0

1

2

3

4

5

0

0

集电极 - 发射极电压

VCE

(V)

集电极 - 发射极电压

VCE

(V)

I

C

– V

CE

120

常见

辐射源

100锝

=

125°C

15

VGE

=

20 V

9

80

8

10

80

常见

辐射源

VCE

=

5V

I

C

– V

GE

(A)

(A)

集电极电流

IC

60

集电极电流

IC

60

7

40

40

20

20

Tc

=

125°C

25

40

6

0

0

0

0

1

2

3

4

5

2

4

6

8

10

集电极 - 发射极电压

VCE

(V)

栅极 - 发射极电压

VGE

(V)

V

CE （SAT）

TC =

4

常见

辐射源

VGE

=

15 V

3

80

60

集电极 - 发射极饱和电压

VCE （饱和）（Ⅴ）

2

30

IC

=

10 A

1

0

60

20

20

60

100

140

外壳温度

Tc

(°C)

3

2004-07-06

GT60M323

V

CE

, V

GE

– Q

G

200

共发射极

20

RL

=

2.5

Tc

=

25°C

150

15

10000

- V

CE

常见

资本投资者入境计划

辐射源

VGE

=

0

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

VCE （ V）

(V)

VGE

（PF ）

电容

C

1000

集电极 - 发射极电压

100

VCE

=

150 V

50

100

10

栅极 - 发射极电压

100

卓越中心

CRES

10

1

50

5

0

0

60

120

180

0

240

10

100

1000

10000

栅极电荷

QG

（ NC ）

集电极 - 发射极电压

VCE

(V)

开关时间 - R的

G

10

共发射极

VCC

=

600 V

IC

=

60 A

10

VCC

=

600 V

RG

=

51

开关时间 - 我

C

共发射极

(s)

1

(s)

VGG

=

±

15 V

Tc

=

25°C

1

VGG

=

±

15 V

Tc

=

25°C

开关时间

开关时间

花花公子

吨

tf

tr

0.1

吨

花花公子

tr

tf

0.1

0.01

1

10

100

1000

0.01

0

10

20

30

40

50

60

70

栅极电阻

RG

(

)

集电极电流Ic

(A)

安全工作区

1000

*

单非重复

脉冲锝

=

25°C

曲线必须降低

线性地增加

温度。

1000

反向偏置SOA

Tj

＆ LT ;

125°C

=

VGG = 20 V

RG

=

10

(A)

集成电路最大值（脉冲） *

100

IC最大

（连续）

1毫秒*

100

s*

(A)

集电极电流

IC

100

10

集电极电流

IC

10

s*

10

DC

手术

10毫秒

*

1

1

10

100

1000

10000

1

1

10

100

1000

10000

集电极 - 发射极电压

VCE

(V)

集电极 - 发射极电压

VCE

(V)

4

2004-07-06

GT60M323

I

C

马克斯 - 锝

（ ° C / W）

(A)

70

60

50

40

30

20

10

0

25

共发射极

VGE

=

15 V

10

2

R

日（T ）

– t

w

Tc

=

25°C

I

C

最大

RTH （T ）

10

1

最大直流集电极电流

二极管阶段

瞬态热阻抗

10

0

IGBT阶段

10

1

50

75

100

125

150

10

2

10

5

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

1

10

2

外壳温度

Tc

(°C)

脉冲宽度

tw

(s)

I

F

– V

F

100

常见

集热器

80

1.6

共集电极

的di / dt

= 20

A / μs的

Tc

=

25°C

1.4

t

rr

, I

rr

– I

F

18

(s)

(A)

t

rr

16

TRR

60

I

rr

1.2

14

40

Tc

=

125°C

20

25

0

0

40

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

1.0

12

0.8

0

20

40

60

10

80

正向电压

VF

(V)

正向电流

IF

(A)

t

rr

, I

rr

- di / dt的

1.6

t

rr

共集电极

IF

=

60 A

Tc

=

25°C

60

80

(s)

1.2

TRR

0.8

40

0.4

I

rr

20

0.0

0

40

80

120

160

0

180

的di / dt

（ A / μs）内

峰值反向恢复电流

反向恢复时间

IRR

(A)

5

2004-07-06

峰值反向恢复电流

正向电流IF

反向恢复时间

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