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GT40T321
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT40T321
消费者的应用
电压谐振逆变器开关的应用
第六代IGBT
FRD包括发射极和集电极之间
增强型模式
高速
低饱和电压
高结温
IGBT :吨
f
=
0.24
μs
( TYP。) (我
C
=
40 A)
FRD :吨
rr
=
0.7
μs
( TYP。) ( di / dt的
= 20
A / μs)内
V
CE (SAT)
=2.15
V( TYP。) (我
C
=
40 A)
T
j
= 175℃ (最大)
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FP
P
C
T
j
T
英镑
等级
1500
±
25
40
80
30
80
230
175
-55至175
单位
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
2-16C1C
二极管的正向电流
集电极耗散功率
( TC
=
25°C)
结温
储存温度
A
重4.6克(典型值)
W
°C
°C
注1 :确保通道温度不超过175 ℃,使用该设备的过程中。
注2 :在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。请在审查东芝半导体设计适当的可靠性
可靠性手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性
(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
在一般情况下, IGBT的损耗增加更多时,它具有正温度系数,并得到更高的
温度。在的情况下的温度上升,由于IGBT的损耗超过一个热释放能力
设备,其导致热失控而导致破坏。因此,请设计的装置的热释放
适当考虑到IGBT的温度上升。
1
2009-12-04
GT40T321
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
热电阻(IGBT)
热电阻(二极管)
符号
I
GES
I
CES
V
GE ( OFF )
V
CE (SAT)
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
RTH (J -C )
RTH (J -C )
测试条件
V
GE
= ±
25 V, V
CE
=
0
V
CE
=
1500 V, V
GE
=
0
I
C
=40
毫安,V
CE
=
5 V
I
C
=
5 A,V
GE
=
15 V
I
C
=
40 A,V
GE
=
15 V
V
CE
=
10 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
4.0
典型值。
1.25
2.15
2400
0.15
0.24
0.24
0.54
1.7
0.7
最大
±
100
1
7.0
1.90
2.50
单位
nA
mA
V
V
pF
见注3电路图。
V
CC
= 600 V,I
C
= 40A
V
GG
= ± 15 V ,R
G
= 51
Ω
I
F
=
30 A,V
GE
=
0
I
F
=
30 A,V
GE
=
0 , di / dt的
=
20 A / μs的
0.40
μs
2.3
0.65
1.25
V
s
° C / W
° C / W
注3 :切换时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
0
10Ω
15Ω
R
G
0
V
CC
0
V
CE
t
f
t
关闭
90%
10%
I
C
90%
10%
10%
t
r
t
on
90%
记号
等效电路
集热器
东芝
40T321
产品型号(或缩写代码)
LOT号
注4
辐射源
注4 :根据批号的行标识产品标签的指示。
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27个理事会2003年1月就
限制在电子电器设备中使用某些有害物质。
2
2009-12-04
GT40T321
I
C
– V
CE
80
80
共发射极
Tc
= 40°C
10
15
9
8.5
共发射极
Tc
=
25°C
I
C
– V
CE
10
15
9
8.5
8
(A)
60
20
8
(A)
60
20
集电极电流Ic
集电极电流Ic
40
7.5
20
VGE
=
7 V
0
0
1
2
3
4
5
40
7.5
20
VGE
=
7 V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压
VCE ( V)
集电极 - 发射极电压Vce ( V)
I
C
– V
CE
80
共发射极
Tc
=
150°C
15
10
9
8
80
共发射极
VGE
=
15 V
I
C
– V
CE
150
(A)
60
(A)
20
7.5
60
25
集电极电流Ic
集电极电流Ic
40
40
Tc=-40℃
VGE
=
7 V
20
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压
VCE ( V)
集电极发射极电压
VCE ( V)
V
CE (SAT)
TC =
5
共发射极
VGE
=
15 V
80
共发射极
VCE
=
5 V
I
C
– V
GE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
( SAT ) (V )
(A)
集电极电流Ic
4
80
3
60
40
2
20
60
40
25
20
Tc
=
150°C
40
1
IC
=10
A
0
75
25
25
75
125
175
0
2
4
6
8
10
壳温度( ° C)
栅极 - 发射极电压
VGE ( V)
3
2009-12-04
GT40T321
V
CE,
V
GE
– Q
G
400
共发射极
RL
=
3.75
Ω
Tc
=
25°C
300
20
10000
5000
3000
资本投资者入境计划
- V
CE
V
CE
(V)
(PF )
电容C
15
V
GE
(V)
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
1
0.1
1
10
100
1000
共发射极
VGE = 0
F = 1MHz的
TC = 25°C
CRES
卓越中心
集电极 - 发射极电压
200
VCE
=
300 V
10
100
100
200
5
0
0
50
100
150
0
200
栅极电荷q
G
( NC )
栅极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
开关时间 - R的
G
10
5
3
共发射极
VCC
=
600 V
IC
=40
A
VGG
= ±15
V
Tc
=
25°C
10
5
3
花花公子
开关时间 - 我
C
共发射极
VCC
=
600 V
RG
=
51
Ω
VGG
= ±15
V
Tc
=
25°C
花花公子
tf
0.1
0.05
0.03
0.01
tr
切换时间( μS )
1
0.5
0.3
切换时间( μS )
tr
tf
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
栅极电阻
R
G
(Ω)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
500
300
100
r
日(J -C )
– t
w
瞬态热阻抗(结案件)
RTH (J -C ) ( ° C / W)
10
1000
*:
单一不重复脉冲锝
=
25°C
曲线必须线性降额
温度的升高。
IC MAX (脉冲)
*
10
μs*
100
μs*
IC最大
10毫秒*
1毫秒*
(连续)
二极管阶段
1
IGBT阶段
10
1
(A)
集电极电流I
C
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
直流操作
10毫秒*
10
2
Tc
=
25°C
10
3
VCE最大
0.1
1
10
100
1000
10000
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
脉冲宽度
t
w
(s)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2009-12-04
GT40T321
I
F
– V
F
100
I
rr
, t
rr
– I
F
20
2.5
共发射极
的di / dt =
20
A / μs的
TC = 25°C
I
rr
(A)
80
16
2
(A)
峰值反向恢复电流
正向电流I
F
60
12
1.5
IRR
8
1
40
125
20
共发射极
VGE = 0
0
0
1
2
3
4
5
4
TRR
0.5
0
0
20
40
60
80
100
0
正向电压V
F
(V)
正向电流I
F
(A)
50
I
rr
, t
rr
- di / dt的
共发射极
IF = 30 A
TC = 25°C
1
(A)
IRR
40
0.8
峰值反向恢复电流
30
TRR
20
0.4
10
IRR
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
0
的di / dt ( A / μS )
反向恢复时间
0.6
t
rr
(μs)
5
2009-12-04
反向恢复时间
Tc
=
40°C
25
t
rr
(μs)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GT40T321
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
GT40T321
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
TO-3P(N)
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
GT40T321
TOSHIBA/东芝
24+
9634
TO-3P
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
GT40T321
TOS
21+22+
27000
TO3P
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
GT40T321
TOS
16+/15+
1253
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
GT40T321
TOSHIBA
25+23+
15393
TO-247
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
GT40T321
TOSHIBA/东芝
2024
20918
TO3P
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
GT40T321
东芝-TOSHIBA
22+
25200
TO-3P
原装现货 量大可订货 欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
GT40T321
TOSHIBA/东芝
2024
20918
TO3P
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
GT40T321
TOSHIBA
22+
32570
TO-247
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:474618840 复制 点击这里给我发消息 QQ:1091508947 复制
电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
GT40T321
TOSHIBA
21+
6000
原装国内现货
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