GT40T321
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT40T321
消费者的应用
电压谐振逆变器开关的应用
第六代IGBT
FRD包括发射极和集电极之间
增强型模式
高速
低饱和电压
高结温
IGBT :吨
f
=
0.24
μs
( TYP。) (我
C
=
40 A)
FRD :吨
rr
=
0.7
μs
( TYP。) ( di / dt的
= 20
A / μs)内
V
CE (SAT)
=2.15
V( TYP。) (我
C
=
40 A)
T
j
= 175℃ (最大)
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FP
P
C
T
j
T
英镑
等级
1500
±
25
40
80
30
80
230
175
-55至175
单位
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
2-16C1C
二极管的正向电流
集电极耗散功率
( TC
=
25°C)
结温
储存温度
A
重4.6克(典型值)
W
°C
°C
注1 :确保通道温度不超过175 ℃,使用该设备的过程中。
注2 :在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。请在审查东芝半导体设计适当的可靠性
可靠性手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性
(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
在一般情况下, IGBT的损耗增加更多时,它具有正温度系数,并得到更高的
温度。在的情况下的温度上升,由于IGBT的损耗超过一个热释放能力
设备,其导致热失控而导致破坏。因此,请设计的装置的热释放
适当考虑到IGBT的温度上升。
1
2009-12-04
GT40T321
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
热电阻(IGBT)
热电阻(二极管)
符号
I
GES
I
CES
V
GE ( OFF )
V
CE (SAT)
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
RTH (J -C )
RTH (J -C )
测试条件
V
GE
= ±
25 V, V
CE
=
0
V
CE
=
1500 V, V
GE
=
0
I
C
=40
毫安,V
CE
=
5 V
I
C
=
5 A,V
GE
=
15 V
I
C
=
40 A,V
GE
=
15 V
V
CE
=
10 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
民
4.0
典型值。
1.25
2.15
2400
0.15
0.24
0.24
0.54
1.7
0.7
最大
±
100
1
7.0
1.90
2.50
单位
nA
mA
V
V
pF
见注3电路图。
V
CC
= 600 V,I
C
= 40A
V
GG
= ± 15 V ,R
G
= 51
Ω
I
F
=
30 A,V
GE
=
0
I
F
=
30 A,V
GE
=
0 , di / dt的
=
20 A / μs的
0.40
μs
2.3
0.65
1.25
V
s
° C / W
° C / W
注3 :切换时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
0
10Ω
15Ω
R
G
0
V
CC
0
V
CE
t
f
t
关闭
90%
10%
I
C
90%
10%
10%
t
r
t
on
90%
记号
等效电路
集热器
东芝
40T321
产品型号(或缩写代码)
LOT号
注4
门
辐射源
注4 :根据批号的行标识产品标签的指示。
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27个理事会2003年1月就
限制在电子电器设备中使用某些有害物质。
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2009-12-04