GT40Q321
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
I
F
= 10 A，V
GE
= 0
I
F
= 10 A， di / dt的=
20
A / μs的
测试条件
V
GE
= ±25 V, V
CE
= 0
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0
I
C
= 40 mA时， V
CE
= 5 V
I
C
= 40 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0中，f = 1 MHz的
阻性负载
V
CC
= 600 V，I
C
= 40 A
V
GG
= ± 15 V ，R
G
= 39
W
（注1 ）
民
―
―
4.0
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
2.8
3200
0.19
0.25
0.41
0.57
―
0.6
最大
±500
5.0
7.0
3.6
―
―
―
0.72
―
2.0
―
V
s
s
单位
nA
mA
V
V
pF
注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
0
R
G
0
V
CC
0
V
CE
t
D（关闭）
R
L
I
C
90%
90%
10%
90%
10%
t
f
t
关闭
10%
t
r
t
on
一般安全注意事项和使用注意事项
·
·
该GT40Q321仅用于在感应加热单晶体管电压谐振电路（ 1H）
设备。对于其他应用程序，请联系距您最近的东芝销售办事处。
在他们的最大额定值将超过条件下不使用的设备。设备可以打破
向下或它的性能可能会下降，从而导致着火或爆炸导致使用者受伤。这是
因此，有必要把设备降级到电路设计。
在所有的IGBT元件，最大集电极 - 发射极电压（V
CES
）减小时，结温
变低。因此，有必要把设备降级成电路设计。
最大集电极电流从Tj最高计算的（ 150℃ ）时，热敏电阻和正向直流电源
耗散。然而，在实际应用中被其他因素，如开关损耗，限制限制
内键合线等。
·
·
2
2003-02-05
GT40Q321
东芝注塑增强栅晶体管硅N通道IEGT
GT40Q321
电压谐振逆变器开关的应用
第五代IGBT
增强型模式
高速：吨
f
= 0.41
μs
（ TYP。） （我
C
= 40A)
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 2.8 V（典型值）。 （我
C
= 40A)
FRD包括发射极和集电极之间
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极
当前
集电极电流脉冲
二极管的正向电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
脉冲
@锝
=
100°C
@锝
=
25°C
@锝
=
100°C
@锝
=
25°C
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FP
P
C
T
j
T
英镑
等级
1200
±25
23
42
80
10
80
68
170
150
55
150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-16C1C
重4.6克（典型值）
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
热特性
特征
热电阻（IGBT）
热电阻（二极管）
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
最大
0.74
1.79
单位
° C / W
° C / W
等效电路
集热器
记号
东芝
门
辐射源
GT40Q321
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
1
2006-11-01
GT40Q321
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
I
F
= 10 A，V
GE
= 0
I
F
= 10 A， di / dt的=
20
A / μs的
测试条件
V
GE
= ±25 V, V
CE
= 0
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0
I
C
= 40 mA时， V
CE
= 5 V
I
C
= 40 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0中，f = 1 MHz的
阻性负载
V
CC
= 600 V，I
C
= 40 A
V
GG
= ± 15 V ，R
G
= 39
Ω
（注1 ）
民
―
―
4.0
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
2.8
3200
0.19
0.25
0.41
0.57
―
0.6
最大
±500
5.0
7.0
3.6
―
―
―
0.72
―
2.0
―
V
s
μs
单位
nA
mA
V
V
pF
注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
0
R
G
0
V
CC
0
V
CE
t
D（关闭）
R
L
I
C
90%
90%
10%
90%
10%
t
f
t
关闭
10%
t
r
t
on
一般安全注意事项和使用注意事项
该GT40Q321仅用于在感应加热单晶体管电压谐振电路（ 1H）
设备。对于其他应用程序，请联系距您最近的东芝销售办事处。
在他们的最大额定值将超过条件下不使用的设备。设备可以打破
向下或它的性能可能会下降，从而导致造成伤害使用者的热失控或爆炸。
因此，有必要把设备降级成电路设计。
在所有的IGBT元件，最大集电极 - 发射极电压（V
CES
）减小时，结温
变低。因此，有必要把设备降级成电路设计。
最大集电极电流从Tj最高计算的（ 150℃ ）时，热敏电阻和正向直流电源
耗散。然而，在实际应用中被其他因素的限制，如开关损耗，限制
内键合线等。
2
2006-11-01
GT40Q321
V
CE
, V
GE
– Q
G
400
- V
CE
20
50000
30000
集电极 - 发射极volgate VCE （ V）
VGE （ V）
共发射极
RL
=
7.5
Ω
Tc
=
25°C
10000
5000
3000
1000
500
300
100
（PF ）
300
15
资本投资者入境计划
200
VCE
=
300 V
10
栅极 - 发射极电压
电容C
100 V
100
200 V
5
卓越中心
0
0
50
100
150
0
200
共发射极
50 V
GE
=
0
30 f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
0.3
1
CRES
3
10
30
100
300
1000
栅极电荷Qg
（ NC ）
集电极 - 发射极电压
VCE （ V）
开关时间 - 我
C
10
5
3
共发射极
VCC
=
600 V
RG
=
39
Ω
VGG
=
±15 V
Tc
=
25°C
花花公子
tf
吨
tr
5
开关时间 - R的
G
共发射极
3 VCC
=
600 V
IC
=
40 A
VGG
=
±15 V
Tc
=
25°C
1
0.5
0.3
花花公子
tf
吨
tr
切换时间（ μS ）
1
0.5
0.3
切换时间（ μS ）
20
30
40
50
0.1
0.05
0.03
0.1
0.05
0.03
0.01
0
10
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
集电极电流Ic
(A)
栅极电阻
RG（ Ω ）
安全工作区
5000
3000
1000
*单非重复脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性增加
温度。
5000
3000
1000
反向偏置SOA
Tj
≤
125°C
VGG
=
20 V
RG
=
10
Ω
(A)
集电极电流I
C
100最大的IC （脉冲） *
50
30
10
5
3
1
1
DC
手术
1毫秒*
IC最大
（连续）
100
μs*
10
μs*
集电极电流I
C
3000 10000
500
300
(A)
500
300
100
50
30
10
5
3
1
1
10毫秒*
3
10
30
100
300
1000
3
10
30
100
300
1000 3000 10000
集电极 - 发射极电压
VCE （ V）
集电极 - 发射极电压
VCE （ V）
4
2006-11-01
GT40Q321
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
I
F
= 10 A，V
GE
= 0
I
F
= 10 A， di / dt的=
20
A / μs的
测试条件
V
GE
= ±25 V, V
CE
= 0
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0
I
C
= 40 mA时， V
CE
= 5 V
I
C
= 40 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0中，f = 1 MHz的
阻性负载
V
CC
= 600 V，I
C
= 40 A
V
GG
= ± 15 V ，R
G
= 39
W
（注1 ）
民
―
―
4.0
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
2.8
3200
0.19
0.25
0.41
0.57
―
0.6
最大
±500
5.0
7.0
3.6
―
―
―
0.72
―
2.0
―
V
s
s
单位
nA
mA
V
V
pF
注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
0
R
G
0
V
CC
0
V
CE
t
D（关闭）
R
L
I
C
90%
90%
10%
90%
10%
t
f
t
关闭
10%
t
r
t
on
一般安全注意事项和使用注意事项
·
·
该GT40Q321仅用于在感应加热单晶体管电压谐振电路（ 1H）
设备。对于其他应用程序，请联系距您最近的东芝销售办事处。
在他们的最大额定值将超过条件下不使用的设备。设备可以打破
向下或它的性能可能会下降，从而导致着火或爆炸导致使用者受伤。这是
因此，有必要把设备降级到电路设计。
在所有的IGBT元件，最大集电极 - 发射极电压（V
CES
）减小时，结温
变低。因此，有必要把设备降级成电路设计。
最大集电极电流从Tj最高计算的（ 150℃ ）时，热敏电阻和正向直流电源
耗散。然而，在实际应用中被其他因素，如开关损耗，限制限制
内键合线等。
·
·
2
2003-02-05
QQ：2880707522 复制
