【Ennn初步智能3高级启动块字宽4 - MBIT （ 256K ×16 ），8 - MBIT （ 5】,IC型号GT28F800B3-T150,GT28F800B3-T150 PDF资料,GT28F800B3-T150经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

智能3高级启动块

字宽

4 - MBIT （ 256K ×16 ），8 - MBIT （ 512K ×16 ），

16兆位（ 1024K ×16 ）

闪存系列

28F400B3 ， 28F800B3 ， 28F160B3

柔性SmartVoltage技术

2.7V - 3.6V编程/擦除

2.7V - 3.6V读操作

12V V

快速生产

程序设计

2.7V或1.8V的I / O选项

降低整体系统功耗

优化的块大小

8个4 -KW块数据，

顶部或底部位置

多达32个32 - KW块

CODE

高性能

2.7V - 3.6V ： 120 ns的最大访问时间

块锁定

通过WP ＃ -Level控制

低功耗

最大20 mA电流读

绝对的硬件保护

= GND选项

锁定电压

扩展温度操作

-40 ° C至+ 85°C

支持代码和数据存储

优化外商直接投资，闪存数据

集成软件

快速的程序挂起能力

快速擦除挂起功能

扩展循环能力

万块擦除周期

自动化Word程序和块

抹去

命令的用户界面

状态寄存器

SRAM兼容写接口

自动省电功能

复位/深度掉电

1 μA我

典型

误写锁定

标准表面贴装包装

48-Ball

μBGA *

包

48引脚TSOP封装

足迹升级

从2-，4-和8-兆位升级

BOOT BLOCK

ETOX V （ 0.4

)

闪存技术

新的智能3高级启动块， Intel最新的0.4μ技术制造的，代表了一种功能 -

在整体的系统成本更低丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压能力

（ 2.7V读取，编程和擦除）高速，低功耗运行。几个新的功能已经

增加了，包括用于驱动所述的I / O在1.8V ，这显著降低了系统的有功功率和能力

接口1.8V控制器。一种新的分块机制允许代码和数据存储在单个设备内。

再加上英特尔开发的闪存数据集成（ FDI）的软件，你最有成本效益的，

目前市场上的单片码加数据存储解决方案。智能3高级启动块字宽

产品将在48引脚TSOP和48球μBGA *封装。更多相关信息

http://www.intel.com/design/flcomp ：产品系列可通过访问英特尔的WWW页面获得。

1997年5月

订单号： 290580-002

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F400B3 ， 28F800B3 ， 28F160B3可能包含勘误表的设计缺陷或错误，这可能导致产品

已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱7641

山展望， IL 60056-7641

或致电1-800-879- 4683

或访问英特尔网站为http ： \\\\ www.intel.com

第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产

CG-041493

智能3高级启动块，字宽

页面

1.0简介............................................. 5

1.1智能3高级启动块闪存

记忆增强.............................. 5

1.2产品概述......................................... 6

2.0产品说明.............................. 6

2.1包装插脚引线.......................................... 7

2.2块组织..................................... 11

2.2.1参数块................................ 11

2.2.2主要模块......................................... 11

操作3.0原理..................... 14

3.1总线操作............................................ 14

3.1.1读.............................................. ...... 15

3.1.2 。输出禁止.................................... 15

3.1.3待机.............................................. 0.15

3.1.4深度掉电/复位.................. 15

3.1.5写.............................................. ...... 15

操作.................................... 15 3.2模式

3.2.1读阵列.......................................... 16

3.2.2读取智能标识..................... 17

3.2.3读状态寄存器.......................... 17

3.2.4编程模式..................................... 18

3.2.5擦除模式......................................... 19

3.3块锁定............................................. 26

3.3.1 V

= V

为完整的保护....... 26

3.3.2 WP ＃ = V

对于块锁定................ 26

3.3.3 WP ＃ = V

座解锁............ 26

3.4 V

编程和擦除电压.............. 26

页面

3.5功耗................................... 26

3.5.1有功功率....................................... 26

3.5.2自动省电（ APS ） ......... 27

3.5.3备用电源.................................... 27

3.5.4深度掉电模式..................... 27

3.6电/缩小操作......................... 27

3.6.1 RP ＃连接到系统复位........ 27

3.6.2 V

, V

和RP ＃转换............. 27

3.7电源去耦.......................... 28

3.7.1 V

跟踪印刷电路板... 28

4.0绝对最大额定值................ 29

5.0工作条件（ V

CCQ

= 2.7V–

3.6V) .............................................................29

5.1直流特性： V

CCQ

= 2.7V–3.6V.......30

6.0工作条件（ V

CCQ

= 1.8V–

2.2V) .............................................................34

6.1直流特性： V

CCQ

= 1.8V–2.2V.......34

7.0交流特性............................... 39

7.1复位操作....................................... 43

附录A ：订购信息................. 45

附录B ：写状态机

当前/下一个国家..................................... 46

附录C ：访问速度与电容

负载................................................. ............ 47

附录D ：建筑结构图...... 48

附录E ：其他信息............... 49

初步

智能3高级启动块，字宽

修订历史

数

-001

-002

蓝本

第3.4节，

编程和擦除电压，

额外

更新图9 ：自动块擦除流程图

更新图10 ：（由程序运算表）擦除挂起/恢复流程

更新图16 ： AC波形：编程和擦除操作（更新注意事项）

PPR

从± 25最大规格变更

±50

编程和擦除挂起延迟规格变更

更新附录A ：订购信息（包括8M和4M信息）

更新图，附录D ：建筑结构图（块信息中不言

字节）

轻微的措辞变化

描述

初步

1.0

智能3高级启动块，字宽

从和/或兼容性升级方便

以前的4 Mbit与8 - Mbit的引导块的产品。

智能3产物的功能是相似的，以降低

在这两个命令集密度的产品和

操作，提供类似引脚缓解密度

升级。

智能3高级启动区块快闪记忆体

特点

增强的阻挡用于容易分割

代码和数据或附加的设计灵活性

节目暂停命令允许

计划暂停阅读

WP ＃引脚锁定和解锁上面的两个（或

下部2 ，根据地点） -4-千字

块

CCQ

输入的所有I / O 1.8V - 2.2V 。看

图1-4为引脚排列图和V

CCQ

位置

最高纲领的时间

改进的数据存储。

规范

为

介绍

这

初步

数据表

包含

该

规格为高级启动区块快闪

内存的家庭，这是针对低功耗进行了优化，

便携式系统。该系列产品的特点

1.8V - 2.2V或2.7V - 3.6V的I / O和低V

2.7V - 3.6V的工作范围和读取

编程/擦除操作。此外，该系列是

能快速编程，在12V的。始终

本文件中， “ 2.7V ”一词指的是满

电压范围为2.7V - 3.6V （除非另有说明

否则）和“V

= 12V “指的是12V ±5％。

部分1和2提供了快速的概览

内存系列，包括应用程序，引脚和

引脚说明。第3节介绍的内存

组织和运作这些产品。

最后，第4，第5 ，第6和7包含

操作规范。

1.1

智能3高级启动块

闪存增强

新的4兆， 8兆和16兆的智能3

高级启动区块快闪记忆体提供了一个

表1.智能3高级启动块功能摘要

特征

读取电压

CCQ

I / O电压

编程/擦除电压

总线宽度

速度

内存布局

阻塞（顶部或底部）

2.7V– 3.6V

1.8V - 2.2V或2.7V 3.6V

2.7V 3.6V或12.6V 11.4V-

16位

120纳秒

256 - Kbit的×16 （ 4兆位）， 512 - Kbit的×16 （ 8兆位）

1024千位×16 （ 16兆位）

8个4 - K字参数块（ 4/8/16 ） &

7个32 - K字块（ 4兆位）

十五32 K字块（ 8兆位）

三十一32 - K字主块（ 16兆位）

WP ＃锁定/解锁参数块

使用V所有其他块保护

开关

扩展： -40 ° C至+ 85°C

10000次

48引脚TSOP ， 48球

μBGA *

CSP

第2.2节

图5和图6

28F160B3

参考

表9 ，表12中

表2

表15

锁定

工作温度

编程/擦除循环

套餐

第3.3节

表8

表9 ，表12中

图1，图2，3，

和4

初步

初步

智能3高级启动块

字宽

4 - MBIT （ 256K ×16 ），8 - MBIT （ 512K ×16 ），

16兆位（ 1024K ×16 ）

闪存系列

28F400B3 ， 28F800B3 ， 28F160B3

柔性SmartVoltage技术

2.7V - 3.6V编程/擦除

2.7V - 3.6V读操作

12V V

快速生产

程序设计

2.7V或1.8V的I / O选项

降低整体系统功耗

优化的块大小

8个4 -KW块数据，

顶部或底部位置

多达32个32 - KW块

CODE

高性能

2.7V - 3.6V ： 120 ns的最大访问时间

块锁定

通过WP ＃ -Level控制

低功耗

最大20 mA电流读

绝对的硬件保护

= GND选项

锁定电压

扩展温度操作

-40 ° C至+ 85°C

支持代码和数据存储

优化外商直接投资，闪存数据

集成软件

快速的程序挂起能力

快速擦除挂起功能

扩展循环能力

万块擦除周期

自动化Word程序和块

抹去

命令的用户界面

状态寄存器

SRAM兼容写接口

自动省电功能

复位/深度掉电

1 μA我

典型

误写锁定

标准表面贴装包装

48-Ball

μBGA *

包

48引脚TSOP封装

足迹升级

从2-，4-和8-兆位升级

BOOT BLOCK

ETOX V （ 0.4

)

闪存技术

新的智能3高级启动块， Intel最新的0.4μ技术制造的，代表了一种功能 -

在整体的系统成本更低丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压能力

（ 2.7V读取，编程和擦除）高速，低功耗运行。几个新的功能已经

增加了，包括用于驱动所述的I / O在1.8V ，这显著降低了系统的有功功率和能力

接口1.8V控制器。一种新的分块机制允许代码和数据存储在单个设备内。

再加上英特尔开发的闪存数据集成（ FDI）的软件，你最有成本效益的，

目前市场上的单片码加数据存储解决方案。智能3高级启动块字宽

产品将在48引脚TSOP和48球μBGA *封装。更多相关信息

http://www.intel.com/design/flcomp ：产品系列可通过访问英特尔的WWW页面获得。

1997年5月

订单号： 290580-002

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F400B3 ， 28F800B3 ， 28F160B3可能包含勘误表的设计缺陷或错误，这可能导致产品

已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱7641

山展望， IL 60056-7641

或致电1-800-879- 4683

或访问英特尔网站为http ： \\\\ www.intel.com

第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产

CG-041493

智能3高级启动块，字宽

页面

1.0简介............................................. 5

1.1智能3高级启动块闪存

记忆增强.............................. 5

1.2产品概述......................................... 6

2.0产品说明.............................. 6

2.1包装插脚引线.......................................... 7

2.2块组织..................................... 11

2.2.1参数块................................ 11

2.2.2主要模块......................................... 11

操作3.0原理..................... 14

3.1总线操作............................................ 14

3.1.1读.............................................. ...... 15

3.1.2 。输出禁止.................................... 15

3.1.3待机.............................................. 0.15

3.1.4深度掉电/复位.................. 15

3.1.5写.............................................. ...... 15

操作.................................... 15 3.2模式

3.2.1读阵列.......................................... 16

3.2.2读取智能标识..................... 17

3.2.3读状态寄存器.......................... 17

3.2.4编程模式..................................... 18

3.2.5擦除模式......................................... 19

3.3块锁定............................................. 26

3.3.1 V

= V

为完整的保护....... 26

3.3.2 WP ＃ = V

对于块锁定................ 26

3.3.3 WP ＃ = V

座解锁............ 26

3.4 V

编程和擦除电压.............. 26

页面

3.5功耗................................... 26

3.5.1有功功率....................................... 26

3.5.2自动省电（ APS ） ......... 27

3.5.3备用电源.................................... 27

3.5.4深度掉电模式..................... 27

3.6电/缩小操作......................... 27

3.6.1 RP ＃连接到系统复位........ 27

3.6.2 V

, V

和RP ＃转换............. 27

3.7电源去耦.......................... 28

3.7.1 V

跟踪印刷电路板... 28

4.0绝对最大额定值................ 29

5.0工作条件（ V

CCQ

= 2.7V–

3.6V) .............................................................29

5.1直流特性： V

CCQ

= 2.7V–3.6V.......30

6.0工作条件（ V

CCQ

= 1.8V–

2.2V) .............................................................34

6.1直流特性： V

CCQ

= 1.8V–2.2V.......34

7.0交流特性............................... 39

7.1复位操作....................................... 43

附录A ：订购信息................. 45

附录B ：写状态机

当前/下一个国家..................................... 46

附录C ：访问速度与电容

负载................................................. ............ 47

附录D ：建筑结构图...... 48

附录E ：其他信息............... 49

初步

智能3高级启动块，字宽

修订历史

数

-001

-002

蓝本

第3.4节，

编程和擦除电压，

额外

更新图9 ：自动块擦除流程图

更新图10 ：（由程序运算表）擦除挂起/恢复流程

更新图16 ： AC波形：编程和擦除操作（更新注意事项）

PPR

从± 25最大规格变更

±50

编程和擦除挂起延迟规格变更

更新附录A ：订购信息（包括8M和4M信息）

更新图，附录D ：建筑结构图（块信息中不言

字节）

轻微的措辞变化

描述

初步

1.0

智能3高级启动块，字宽

从和/或兼容性升级方便

以前的4 Mbit与8 - Mbit的引导块的产品。

智能3产物的功能是相似的，以降低

在这两个命令集密度的产品和

操作，提供类似引脚缓解密度

升级。

智能3高级启动区块快闪记忆体

特点

增强的阻挡用于容易分割

代码和数据或附加的设计灵活性

节目暂停命令允许

计划暂停阅读

WP ＃引脚锁定和解锁上面的两个（或

下部2 ，根据地点） -4-千字

块

CCQ

输入的所有I / O 1.8V - 2.2V 。看

图1-4为引脚排列图和V

CCQ

位置

最高纲领的时间

改进的数据存储。

规范

为

介绍

这

初步

数据表

包含

该

规格为高级启动区块快闪

内存的家庭，这是针对低功耗进行了优化，

便携式系统。该系列产品的特点

1.8V - 2.2V或2.7V - 3.6V的I / O和低V

2.7V - 3.6V的工作范围和读取

编程/擦除操作。此外，该系列是

能快速编程，在12V的。始终

本文件中， “ 2.7V ”一词指的是满

电压范围为2.7V - 3.6V （除非另有说明

否则）和“V

= 12V “指的是12V ±5％。

部分1和2提供了快速的概览

内存系列，包括应用程序，引脚和

引脚说明。第3节介绍的内存

组织和运作这些产品。

最后，第4，第5 ，第6和7包含

操作规范。

1.1

智能3高级启动块

闪存增强

新的4兆， 8兆和16兆的智能3

高级启动区块快闪记忆体提供了一个

表1.智能3高级启动块功能摘要

特征

读取电压

CCQ

I / O电压

编程/擦除电压

总线宽度

速度

内存布局

阻塞（顶部或底部）

2.7V– 3.6V

1.8V - 2.2V或2.7V 3.6V

2.7V 3.6V或12.6V 11.4V-

16位

120纳秒

256 - Kbit的×16 （ 4兆位）， 512 - Kbit的×16 （ 8兆位）

1024千位×16 （ 16兆位）

8个4 - K字参数块（ 4/8/16 ） &

7个32 - K字块（ 4兆位）

十五32 K字块（ 8兆位）

三十一32 - K字主块（ 16兆位）

WP ＃锁定/解锁参数块

使用V所有其他块保护

开关

扩展： -40 ° C至+ 85°C

10000次

48引脚TSOP ， 48球

μBGA *

CSP

第2.2节

图5和图6

28F160B3

参考

表9 ，表12中

表2

表15

锁定

工作温度

编程/擦除循环

套餐

第3.3节

表8

表9 ，表12中

图1，图2，3，

和4

初步