1.8伏特英特尔

无线闪存

用3伏的I / O和SRAM （ W30 ）

28F6408W30 ， 28F3204W30 ， 28F320W30 ， 28F640W30

初步数据表

产品特点

闪存性能

- 70 ns的初始访问速度

- 25纳秒页面模式读取速度

- 20 ns的突发模式读取速度

- 突发模式和页模式中的所有块和

在所有的分区边界

- 增强的工厂编程：

每个字编程时间3.5微秒

- 可编程等待信号极性

s

闪光灯电源

— V

CC

= 1.70 V – 1.90 V

— V

CCQ

= 2.20 V – 3.30 V

- 待机电流= 6 μA （典型值）。

- 读取电流= 7毫安

（ 4字突发，典型值）。

s

FLASH软件

- 5/9微秒（典型值）编程/擦除挂起延时

时间

英特尔

闪存数据集成（ FDI）和

通用闪存接口（ CFI ）兼容

s

质量和可靠性

- 工作温度：

-25°C至+85°C

- 100K最小擦除周期

- 0.18微米ETOX VII过程

s

闪存架构

- 多4兆位分区

- 双操作： RWW或RWE

- 参数块大小= 4 - K字

- 主块大小= 32 ， K字

- 顶部和底部的设备参数

s

闪存安全

- 128位保护寄存器： 64唯一设备

标识符位; 64用户OTP保护

寄存器位

- 绝对的写保护与V

PP

在地面

- 计划和电源时擦除锁定

TRANSITIONS

- 个人和瞬时块锁定/

与向下锁定解锁

s

SRAM

- 70 ns的访问速度

- 16位的数据总线

- 低电压数据保留

= S-V

CC

= 2.20 V – 3.30 V

s

密度和包装

- 32 - Mbit的离散的VF BGA封装

- 64 - Mbit的离散的μBGA *包装

- 56有源矩阵球， 0.75毫米球间距

μBGA *和VF BGA封装

- 32 /4 ， 64 / 8和128 /待定？兆位（闪存+

SRAM）的80球堆积-CSP封装（ 14

毫米毫米x 8毫米）

- 16位的数据总线

s

1.8伏特英特尔

无线闪存用3伏I / O结合国家的最先进的英特尔

闪存技术

低功耗SRAM ，提供最通用和紧凑的内存解决方案的高性能，低功耗，

主板内存限制的应用。

1.8伏特英特尔无线闪存用3伏的I / O提供了多分区，双操作闪存

架构，该架构使该器件能够读取一个分区，而编程或擦除在另一个分区。

这同时读 - 写或读时擦除功能，能够实现更高的数据吞吐率

相比于单个分区的设备，它允许两个处理器来交错的代码执行，因为

编程和擦除操作，现在可以发生的后台进程。

1.8伏特英特尔无线闪存用3伏的I / O采用了新的增强型工厂编程

（ EFP ）模式，以提高12 V工厂编程的性能。这一新功能有助于消除制造

编程高密度闪存设备相关的瓶颈。对比3.5微秒的EFP节目时间

每个字，每字8.0微秒的标准厂房项目的时间和节省显著的工厂编程的时间

以提高工厂的效率。

此外， 1.8伏特英特尔无线闪存与3伏I / O包括块向下锁定，可编程

WAIT信号极性与所支持的软件工具的阵列。所有这些特点使这款产品完美

解决方案对于任何苛刻的应用程序的内存。

注意：

本文件包含的新产品在生产中的初步信息。该

规格如有变更，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处的

你有一个定案之前，设计最新的数据表。

290702-002

2001年3月

本文档中的信息均与英特尔提供的连接

产品。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，对任何知识产权

产权授予本文件。除非英特尔产品销售条款和此类产品的条件提供，英特尔不承担任何责任

无论如何，英特尔不做任何明示或暗示的担保，销售和/或使用英特尔产品，包括责任或有关的保证

适合特定目的的适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品不

设计用于医疗，救生或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

设计者不得依赖于任何功能或说明的缺失或特性标记"reserved"或"undefined."英特尔保留

今后对其定义的权利，对于因今后对其进行修改所产生的冲突或不兼容性概不负责。

1.8伏特英特尔

无线闪存（ 3伏的I / O和SRAM）可能包含勘误表，这可能会使设计缺陷或错误

产品与已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可致电1-800-得到

548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。

版权所有英特尔公司，二○○○年至2001年。

*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。

初步

28F320W30 ， 28F3204W30 ， 28F6408W30 ， 28F640W30

目录

1.0

产品介绍

.................................................................................................1

1.1

1.2

文件Purpose................................................................................................ 1

命名法........................................................................................................1

产品概述................................................ .................................................. 2

包Diagram.................................................................................................. 3

包Dimensions............................................................................................. 4

信号Descriptions................................................................................................五

框图....................................................................................................... 6

闪存存储器映射............................................... ................................................. 6

公共汽车Operations...................................................................................................... 9

Flash命令定义............................................... ................................... 9

读阵列..........................................................................................................12

4.1.1异步模式............................................. .................................. 12

4.1.2同步模式............................................. ................................... 12

设置配置寄存器（ CR ） ............................................ .............................. 13

4.2.1读取模式（ RM ） .......................................... .......................................... 14

4.2.2第一等待数（ LC2-0 ） ....................................... ........................... 14

4.2.3等待信号极性（ WT ） ......................................... ............................ 16

4.2.4 WAIT信号功能............................................ ................................. 17

4.2.5数据输出配置（ DOC ） ......................................... ................. 17

4.2.6 WAIT配置（ WC ） .......................................... ............................. 18

4.2.7突发序列（ BS） .......................................... .................................... 19

4.2.8时钟配置（ CC ） .......................................... ............................. 20

4.2.9突发包裹（ BW ） .......................................... .......................................... 21

4.2.10突发长度（ BL2-0 ） ........................................ ..................................... 21

阅读查询Register...........................................................................................21

读取ID Register.................................................................................................21

读状态寄存器............................................... ........................................... 22

4.5.1清除状态寄存器............................................ ................................. 24

Read-While-Write/Erase......................................................................................24

工厂编程模式............................................... ......................................... 24

编程电压保护（ VPP ） ............................................ .................. 25

增强工厂编程（ EFP ） ............................................ .................. 25

5.3.1 EFP要求和注意事项........................................... ...... 26

5.3.2安装阶段............................................. .............................................. 26

5.3.3项目阶段............................................. ......................................... 26

5.3.4验证阶段............................................. .............................................. 27

5.3.5退出阶段............................................. ................................................. 27

写保护（V

PP

＆ LT ; V

PPLK

) ...........................................................................27

2.0

产品说明

.................................................................................................. 2

2.1

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

3.0

产品运营

................................................................................................... 9

3.1

3.2

4.0

闪存读取模式

...................................................................................................12

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

5.0

编程和擦除电压

...............................................................................24

5.1

5.2

5.3

5.4

初步

iii

28F320W30 ， 28F3204W30 ， 28F6408W30 ， 28F640W30

6.0

闪存擦除模式

.................................................................................................... 27

6.1

6.2

块擦除......................................................................................................... 27

擦除保护（V

PP

＆ LT ; V

PPLK

) .......................................................................... 28

编程/擦除挂起.............................................. ....................................... 28

编程/擦除恢复.............................................. ........................................ 28

块Lock........................................................................................................... 29

块解锁.......................................................................................................三十

锁定降挡.............................................. ..................................................三十

擦除时块锁定操作暂停............................................ ........ 30

WP ＃锁断控制............................................ ......................................... 30

保护寄存器读............................................... ..................................... 32

程序保护注册............................................... ................................ 32

保护寄存器锁定............................................... ...................................... 33

上电/下特性............................................ ............................. 34

电源去耦............................................... .................................... 34

闪存复位特性............................................... ................................. 34

绝对最大额定值............................................... ................................. 35

扩展温度操作............................................... ........................ 35

直流特性................................................ .............................................. 36

离散电容（ 32 - Mbit的VF BGA封装） ........................................ ..... 38

堆叠电容（ 32/4和64/8堆积-CSP封装） ........................... 39

Flash读操作............................................... ........................................ 40

闪存写入操作............................................... ........................................ 49

闪存编程和擦除操作............................................. .................... 51

复位操作................................................ ................................................ 51

SRAM读操作............................................... ........................................ 53

SRAM写操作............................................... ......................................... 55

SRAM数据保持操作.............................................. .......................... 56

7.0

闪存挂起/恢复模式

.......................................................................... 28

7.1

7.2

8.0

闪存安全模式

............................................................................................. 29

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

9.0

Flash保护注册

..................................................................................... 32

9.1

9.2

9.3

10.0

电源和复位注意事项

...................................................................... 34

10.1

10.2

10.3

11.0

电气规格

........................................................................................ 35

11.1

11.2

11.3

11.4

11.5

12.0

FLASH交流特性

...................................................................................... 40

12.1

12.2

12.3

12.4

13.0

SRAM交流特性

..................................................................................... 53

13.1

13.2

13.3

14.0

订购信息

.............................................................................................. 58

闪存写入状态机（ WSM ）

................................................................ 59

流程图

............................................................................................................. 61

通用闪存接口

................................................................................. 68

附录A

附录B

附录C

iv

初步

28F320W30 ， 28F3204W30 ， 28F6408W30 ， 28F640W30

修订历史

日期

调整

09/19/00

03/14/01

VERSION

-001

-002

蓝本

删除28F3208W30产品引用（产品已经停产）

28F640W30产品附加值

经修订的表2中，

信号说明（ DQ

15–0

， ADV ＃ ，等待， S- UB ＃ ， S- LB ＃ ，V

CCQ

)

经修订的第3.1节，

巴士业务

修订后的表5 ，

命令总线定义，

注1和2

修订后的第4.2.2节

第一等待计数（ LC

2–0

);

修订后的图6 ，

数据输出

与LC设定在3码;

加到图7中，

首先访问延迟配置

修订后的第4.2.3节

等待信号极性（ WT ）

增加了4.2.4节，

等待信号功能

修订后的第4.2.5节

数据输出配置（ DOC ）

添加图8 ，

数据输出配置与等待信号延迟

修订后的表13 ，

状态寄存器DWS和PWS说明

修订后的整个第5.0节，

编程和擦除电压

修订后的整个第5.3节，

增强工厂编程（ EFP ）

修订后的整个第8.0节，

闪存安全模式

修订后的整个第9.0节，

Flash保护寄存器;

加入表15

simulta-

neous允许的操作与保护注册

修订后的第10.1节，

上电/下特性

修订后的第11.3节，

直流特性。变

I

CCS ，

I

CCWS ，

I

CCES

从规格

18 μA至21μA ;改变了我

CCR

规格为12 mA至15毫安（突发长度= 4 ）

补充图20 ，

在同步未读数组运算波形等待信号

形式

补充图21 ，

在异步页模式读操作等待信号

波形

补充图22 ，

在异步单字读操作等待信号

波形

经修订的数字23 ，

写波形

修订后的第12.4节，

复位操作

澄清13.2节，

SRAM写操作时，

注2

修订后的第14.0节，

订购信息

次要文本编辑

描述

初步

v