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产品预览
3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
8-,16- , 32兆位
闪存系列
28F008C3 , 28F016C3 , 28F032C3
28F800C3 , 28F160C3 , 28F320C3
柔性SmartVoltage技术
2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除
2.7 V或1.65 V的I / O选项可减少
整个系统的功耗
12 V的快速生产
程序设计
高性能
2.7 V - 3.6 V : 90 ns的最大访问时间
3.0 V- 3.6 V : 80 ns的最大访问时间
优化的架构代号加
数据存储
8个8 KB的块,
顶部或底部位置
达六十三个64 KB块
快速的程序挂起能力
快速擦除挂起功能
灵活的块锁定
锁定/解锁任何块
充分保护上电时
WP #引脚的硬件模块
保护
V
PP
=
GND选项
V
CC
锁定电压
低功耗
9毫安典型的念力
10 μA的典型待机功耗
自动省电功能
扩展温度操作
-40 ° C至+85°C
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易12 V
更快的生产编程
没有额外的系统逻辑
128位注册保护
64位的唯一设备标识符
64位用户可编程OTP
细胞
扩展循环能力
最低100000块擦除
周期
闪存数据集成软件
闪存管理器
系统中断管理器
支持参数存储,
流媒体数据(例如,语音)
自动字/字节编程和
块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
SRAM兼容写接口
交叉兼容命令支持
英特尔基本命令集
通用闪存接口
×16的高性能
48-Ball
μBGA *
48引脚TSOP封装
×8的I / O节省空间
48-Ball
μBGA *
40引脚TSOP封装
0.25
ETOX VI闪存技术
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在0.25微米3伏高级+引导块, Intel最新的0.25 μ技术制造的,代表了
在整体的系统成本更低的功能丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压
能力( 2.7 V的读取,编程和擦除)具有高速,低功耗运行。灵活的块锁
允许任何块被独立地锁定或解锁。再加上英特尔开发的闪存数据
集成( FDI)的软件,你有一个具有成本效益的,灵活的,单一的代码加上数据存储解决方案上
当今市场上。 3伏高级+引导块产品将在48引脚TSOP , 40引脚TSOP可用,
和48球μBGA *包。该产品系列的更多信息可以通过访问获得
英特尔的WWW页面: http://www.intel.com/design/flcomp 。
1998年5月
订单号: 290645-001
本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证,明示或暗示,禁止反言或
否则,任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供
出售此类产品,英特尔概不承担任何责任,英特尔公司不对任何明示或暗示的担保,以
英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证,或
侵犯任何专利,版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗,生活中使用
拯救或延长生命的应用。
英特尔可能随时更改规格和产品说明,在任何时候,恕不另行通知。
该28F008C3 , 28F016C3 , 28F032C3 , 28F800C3 , 28F160C3 , 28F320C3可能包含设计缺陷或错误
勘误表可能导致产品与已出版的规格有所差异。当前勘误表可在
请求。
请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商,以获取最新的规格和订购产品之前。
哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本,可能是
从获得的:
英特尔公司
P.O.箱5937
丹佛,科罗拉多80217-9808
或致电1-800-548-4725
或访问英特尔网站为http : \\\\ www.intel.com
版权所有英特尔公司1998
*
第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产。
CG-041493
E
目录
页面
1.0简介............................................. 5
1.1 3伏高级+引导块闪存
增强............................................ 5
1.2产品概述......................................... 6
2.0产品说明.............................. 6
2.1包装插脚引线.......................................... 6
2.2块组织..................................... 10
2.2.1参数块................................ 10
2.2.2主营块......................................... 10
操作3.0原理..................... 11
3.1总线操作............................................ 11
3.1.1读.............................................. ...... 11
3.1.2输出禁止..................................... 11
3.1.3待机.............................................. 0.11
3.1.4复位.............................................. ..... 12
3.1.5写.............................................. ...... 12
操作.................................... 12 3.2模式
3.2.1读阵列.......................................... 12
3.2.2读取配置.............................. 13
3.2.3读状态寄存器.......................... 13
3.2.3.1清除状态寄存器......... 13
3.2.4读取查询......................................... 13
3.2.5编程模式..................................... 14
3.2.5.1暂停和恢复
Program.......................................14
3.2.6擦除模式......................................... 14
3.2.6.1暂停和恢复Erase.15
3.3灵活的块锁定................................ 19
3.3.1锁定操作............................... 19
3.3.2锁定状态....................................... 19
3.3.3解锁状态.................................... 19
3.3.4向下锁定状态................................. 19
3.3.5读取块的锁定状态............ 20
擦除过程中3.3.6锁定操作
Suspend.............................................20
3.3.7状态寄存器错误检查........... 20
3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
页面
3.4 128位保护寄存器......................... 21
3.4.1读保护寄存器.......... 21
3.4.2编程保护注册..21
3.4.3锁定保护寄存器........... 22
3.5 V
PP
编程和擦除电压............... 22
3.5.1易- 12 V操作实现快速
制造业编程............... 22
3.5.2 V
PP
V
PPLK
为完整的保护... 22
3.5.3 V
PP
用法........................................... 22
3.6功耗................................... 23
3.6.1有功功率(编程/擦除/读) ... 23
3.6.2自动省电( APS ) ......... 23
3.6.3备用电源.................................... 23
3.6.4深度掉电模式..................... 24
3.7电/缩小操作......................... 24
3.7.1 RP #连接到系统复位........ 24
3.7.2 V
CC
, V
PP
和RP #转换............. 24
3.8电源去耦.......................... 24
4.0绝对最大额定值................ 25
4.2工作条件.................................. 25
4.3电容............................................... 26
4.4直流特性..................................... 26
4.5交流特性,读取操作 -
扩展温度.............................. 30
4.6交流特性 - 写操作 -
扩展温度.............................. 32
4.7擦除和编程时序....................... 33
4.8复位操作....................................... 35
5.0订购信息.......................... 36
6.0其他信息....................... 37
附录A : WSM电流/下一页国.......... 38
附录B :编程/擦除流程图........ 40
附录C :通用闪存接口查询
结构................................................. ..... 46
3
产品预览
3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
附录D :建筑结构图...... 52
附录E :字宽存储器映射
图................................................. .... 53
附录F :字节宽度的存储器映射
图................................................. .... 55
附录G :设备ID表.......................... 57
附录H :保护注册
解决................................................. 0.58
E
修订历史
日期
调整
05/12/98
VERSION
-001
蓝本
描述
4
产品预览
E
1.0
3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
介绍
1.1
3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
闪存增强
本文件包含的规范
3伏高级+引导块闪存系列。
这些闪存增加新的功能可以是
用于提高系统的安全性:即时
块锁定和保护寄存器。
在本文档中,术语“ 2.7 V”是指
在全电压范围2.7 V - 3.6 V (除非
另有说明)和“V
PP
= 12 V “指的是12伏
±5%。 2 ,第二节提供的概述
闪存系列包括应用程序,引脚排列,
引脚说明和记忆的组织。部分
3描述了这些产品的操作。最后,
第4节包含了操作规范。
在3伏高级+引导块闪存
产品特点:
零延迟,灵活的块锁
128位注册保护
简单的系统实现12 V
生产编程与2.7 V的场
程序设计
在2.7 V超低功耗运行
最低100000块擦除周期
对于软件查询通用闪存接口
设备规格和功能
表1. 3伏高级+引导块功能摘要
特征
V
CC
工作电压
V
PP
电压
V
CCQ
I / O电压
总线宽度
速度快(纳秒)
阻塞(顶部或底部)
8-bit
8 M
(2)
16 M
32 M
(1)
2.7 V – 3.6 V
提供完整的写保护,
可选的12V快速编程
2.7 V– 3.6 V
16-bit
8 M
(2)
16 M
32 M
参考
表8
表8
注3
表2
表11
第2.2节
附录E和F
90 , 110 @ 2.7 V和80 , 100 @ 3.0 V
8× 8 KB的参数
4 -MB : 7× 64 KB的主
8 -MB : 15× 64 KB的主
16 -MB : 31 ×64 KB的主
32 -MB : 63 ×64 KB的主
8 ×4 - K字参数
4 -MB : 7 ×32 - K字主8
MB : 15× 32 - K字主
16 -MB : 31 ×32 - K字主
32 -MB : 63 ×32 - K字主
工作温度
编程/擦除循环
套餐
块锁定
保护注册
扩展: -40°C至+85°C
100,000次
40引脚TSOP
(1)
48-Ball
μBGA *
CSP
(2)
48引脚TSOP
48-Ball
μBGA *
CSP
(2)
表8
表8
图1,图2,3,
和4
第3.3节
第3.4节
任何块的零延迟弹性锁定
64位的唯一的设备号, 64位用户可编程
注意事项:
1.在40引脚TSOP不可用32兆位密度。
2.在μBGA * CSP不可用8兆位密度。
3. V
CCQ
在1.65 V工作电压 - 2.5 V可根据要求提供。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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