【Ennnn初步智能3高级启动块4-， 8-，16- ， 32兆位闪存系列28F400B3 ， 28F】,IC型号GT28F016B3BA110,GT28F016B3BA110 PDF资料,GT28F016B3BA110经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

智能3高级启动块

4-， 8-，16- ， 32兆位

闪存系列

28F400B3 ， 28F800B3 ， 28F160B3 ， 28F320B3

28F008B3 ， 28F016B3 ， 28F032B3

柔性SmartVoltage技术

2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除

12 V V

快速生产

程序设计

2.7 V或1.65 V的I / O选项

降低整体系统功耗

高性能

2.7 V - 3.6 V ： 90 ns的最大访问时间

3.0 V- 3.6 V ： 80 ns的最大访问时间

优化的块大小

8个8 KB的块数据，

顶部或底部位置

达六十三个64 -KB的块

CODE

块锁定

通过WP ＃ -Level控制

低功耗

10毫安典型读取电流

绝对的硬件保护

= GND选项

锁定电压

扩展温度操作

-40 ° C至+85°C

闪存数据集成软件

闪存管理器

系统中断管理器

支持参数存储，

流媒体数据（例如，语音）

自动编程和块擦除

状态寄存器

扩展循环能力

最低100000块擦除

循环保证

自动省电功能

典型的我

CCS

公交车不活动后

标准表面贴装包装

48-Ball

μBGA *

包

48引脚TSOP封装

40引脚TSOP封装

足迹升级

升级为4位，8位，16位和32位

兆位密度

ETOX VI （ 0.25

)

闪存技术

智能3高级启动块， Intel最新的0.25 μ技术制造的，代表了一种功能 -

在整体的系统成本更低丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压能力

（ 2.7 V的读取，编程和擦除）具有高速，低功耗运行。几个新的功能已经

增加了，包括用于驱动所述的I / O的能力，在1.65伏，显著降低了系统的有功功率和

接口为1.65 V控制器。一种新的分块机制允许代码和数据存储在一个单一的

装置。再加上英特尔开发的闪存数据集成（ FDI）的软件，并且你有一个符合成本效益的，

单片代码和数据存储解决方案。智能3高级启动块产品将提供40

铅和48引脚TSOP和48球μBGA *包。该产品系列的更多信息可

http://www.intel.com/design/flash ：通过访问英特尔的WWW页面获得。

1998年7月

订单号： 290580-005

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F400B3 ， 28F800 / 008B3 ， 28F160 / 016B3 ， 38F320 / 032B3可能包含设计缺陷或错误勘误表了解到哪些

可能导致产品与已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站http://www.intel.com

第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产

CG-041493

页面

1.0简介............................................. 5

1.1智能3高级启动块闪存

记忆增强.............................. 5

1.2产品概述......................................... 6

2.0产品说明.............................. 6

2.1包装插脚引线.......................................... 6

2.2块组织..................................... 11

2.2.1参数块................................ 11

2.2.2主要模块......................................... 11

操作3.0原理..................... 11

3.1总线操作............................................ 12

3.1.1读.............................................. ...... 13

3.1.2输出禁止..................................... 13

3.1.3待机.............................................. 0.13

3.1.4深度掉电/复位.................. 13

3.1.5写.............................................. ...... 13

操作.................................... 14 3.2模式

3.2.1读阵列.......................................... 14

3.2.2读取识别..................................... 15

3.2.3读状态寄存器.......................... 16

3.2.4编程模式..................................... 16

3.2.5擦除模式......................................... 17

3.3块锁定............................................. 20

3.3.1 WP ＃ = V

对于块锁定................ 20

3.3.2 WP ＃ = V

座解锁............ 20

3.4 V

编程和擦除电压.............. 20

3.4.1 V

= V

为完整的保护....... 20

智能3高级启动块

页面

3.5功耗................................... 20

3.5.1有功功率....................................... 21

3.5.2自动省电（ APS ） ......... 21

3.5.3备用电源.................................... 21

3.5.4深度掉电模式..................... 21

3.6电/缩小操作......................... 21

3.6.1 RP ＃连接到系统复位........ 21

3.6.2 V

, V

和RP ＃转换............. 21

3.7电源去耦.......................... 22

4.0电气特性.................. 23

4.1绝对最大额定值........................ 23

4.2工作条件.................................. 24

4.3电容............................................... 24

4.4直流特性..................................... 25

4.5交流特性读取操作....... 28

4.6交流特性 - 写操作........ 30

4.7编程和擦除时序....................... 31

5.0复位操作.................................. 33

6.0订购信息.......................... 34

7.0其他信息....................... 36

附录A ：写状态机

当前/下一个国家..................................... 37

附录B ：访问时间 -

容性负载........................................... 38

附录C ：建筑结构图...... 39

附录D ：字宽存储器映射

Diagrams......................................................40

附录E ：字节宽度的存储器映射

Diagrams......................................................43

附录F ：编程和擦除流程图0.45

初步

智能3高级启动块

描述

修订历史

数

-001

-002

蓝本

第3.4节，

编程和擦除电压，

额外

更新图9 ：

自动块擦除流程图

更新图10 ：

擦除挂起/恢复流程

（添加程序表）

更新图16 ：

AC波形：编程和擦除操作

（更新注意事项）

PPR

从± 25最大规格变更

±50

编程和擦除挂起延迟规格变更

更新附录A ：

订购信息

（包括8 M和4M的信息）

更新图，附录D ：

体系结构框图

（块的信息。在不言

字节）

轻微的措辞变化

结合字节宽规格（以前290605 ）本文件

提高速度规格，以80纳秒（ 3.0 V）和90纳秒（ 2.7 V ）

提高了1.8 VI / O选项，以最低1.65 V （ 3.4节）

改进的几个直流特性（ 4.4节）

改进的几个AC特性（第4.5和4.6 ）

结合2.7 V和1.8 V直流特性（ 4.4节）

加入5 V V

读取规格（ 3.4节）

除去120纳秒至150纳秒的速度发行

移动

订购信息

从附录第6.0节;最新信息

移动

附加信息

从附录第7.0节

更新图附录B ，

访问时间 - 容性负载

更新图附录C ，

体系结构框图

移动编程和擦除流程图附录E.

更新

程序流程图

更新

程序挂起/恢复流程

整个次要的文字编辑。

增加了32兆位密度

加入98H为一个保留命令（表4）

–A

= 0时读取识别模式（第3.2.2节）

状态寄存器的澄清SR3 （表7 ）

和V

CCQ

绝对最大规格= 3.7 V（ 4.1节）

结合我

PPW

我

CCW

在一个规范（第4.4节）

结合我

PPE

我

CCE

在一个规范（第4.4节）

最大参数块擦除时间（t

WHQV2

EHQV2

）减少到4秒（ 4.7节）

最大主块擦除时间（t

WHQV3

EHQV3

）减少到5秒（ 4.7节）

擦除挂起时间@ 12 V （T

WHRH2

EHRH2

）更改为5微秒典型和20微秒

最大（ 4.7节）

订购信息

更新（第6.0节）

写状态机当前/下一个状态表更新（附录A ）

程序挂起/恢复流程更新（附录F ）

擦除挂起/恢复流程更新（附录F ）

文字说明整个

μBGA

校正的包图（图3和4）

PPD

测试条件校正（第4.4节）

修正32 - Mbit的订购信息（第6章）

μBGA

补充包顶部标记信息（第6章）

-003

-004

-005

初步

1.0

智能3高级启动块

介绍

1.1

智能3高级启动块

闪存增强

该数据表包含了规格为

高级启动区块快闪记忆体系列，这是

低功耗，便携式系统进行了优化。这

系列产品拥有1.65 V - 2.5 V或2.7 V -

3.6 V的I / O和低V

经营范围

2.7 V - 3.6 V的读取，编程和擦除

操作。此外，该系列能够快速

12五，编程整篇文档中，

术语“ 2.7 V ”指的是全电压范围

2.7 V - 3.6 V （除非另有说明），并

“V

= 12 V “指的是12伏±5％。第1.0节和

2.0提供的闪速存储器系列的概述

包括应用程序，引脚和引脚说明。

第3.0节描述了记忆的组织和

操作这些产品。部分4.0和5.0

包含的操作规范。最后，

部分6.0和7.0提供订货等

参考信息。

智能3高级启动区块快闪记忆体

特点

增强的阻挡用于容易分割

代码和数据或附加的设计灵活性

程序挂起读取命令

CCQ

1.65 V- 2.5 V的所有I / O输入。看

图1至图4的引脚排列图和

CCQ

位置

最高纲领和擦除时间规范

对于改进的数据存储。

表1.智能3高级启动块功能摘要

特征

读取电压

CCQ

I / O电压

编程/擦除电压

总线宽度

速度

内存布局

28F008B3 ， 28F016B3 ，

28F032B3

(1)

28F400B3

(2),

28F800B3,

28F160B3 ， 28F320B3

参考

第4.2节， 4.4

表3

第4.5节

第2.2节

2.7 V– 3.6 V

1.65 V - 2.5 V或2.7 V - 3.6 V

2.7 V- 3.6 V或11.4 V- 12.6 V

8-bit

16位

80纳秒， 90纳秒，为100 ns ， 110 ns的

1024千位×8 （ 8兆比特），

2048千位×8 （ 16兆），

4096千位×8 （ 32兆位）

256千×16 （ 4兆位）

512千位×16 （ 8兆比特），

1024千位×16 （ 16兆位）

2048千位×16 （ 32兆）

阻塞（顶部或底部）

8个8字节的参数块

和

七64千字节块（ 4兆位）或

十五个64字节块（ 8兆位）或

三十一64 KB的主块（ 16兆位）

六十三的64 KB的主块（ 32兆位）

WP ＃锁定/解锁参数块

使用V所有其他块保护

扩展： -40

°C

+85

°C

100,000次

40引脚TSOP

(1)

， 48球

μBGA *

CSP

(2)

48引脚TSOP ， 48球

μBGA

CSP

(2)

第2.2节

附录D

锁定

工作温度

编程/擦除循环

套餐

第3.3节

表8

第4.2节， 4.4

图3，图4

注意事项：

在40引脚TSOP不可用4 Mbit与32 Mbit的密度。

在没有可用的4兆位密度

μBGA *

CSP 。

初步

3伏高级启动块闪存

内存

28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3

初步数据表

产品特点

柔性SmartVoltage技术

- 2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除

— 12 V V

快速生产编程

2.7 V或1.65 V的I / O选项

- 降低整体系统功耗

高性能

- 2.7 V - 3.6 V ： 70 ns的最大访问时间

优化的块大小

- 8个8 KB的块数据，或顶

底部位置

- 高达一百二十七个64

KB块码

块锁定

— V

通过WP ＃ -Level控制

低功耗

- 9 mA典型读取电流

绝对的硬件保护

— V

= GND选项

— V

锁定电压

扩展温度操作

= -40 ° C至+85°C

自动编程和块擦除

=状态寄存器

英特尔

闪存数据集成软件

- 闪存管理器

- 系统管理中断

- 支持参数存储，流媒体

数据（例如，语音）

扩展循环能力

最低100000块擦除周期

保证

自动省电功能

典型I

CCS

公交车不活动后

标准表面贴装包装

- 48球CSP封装

- 40 - 和48引脚TSOP封装

密度和尺寸进行升级

常见的包

- 4-， 8-，16- ， 32-和64 - Mbit的密度

ETOX VII （ 0.18

)

闪存技术

- 28F160 / 320 / 640B3xC

- 4-， 8-，16-和32 - Mbit的还存在于

ETOX V （ 0.4μ ）和/或ETOX VI

（ 0.25μ ）闪存技术

X8不推荐用于新设计

4兆位密度不推荐用于新

设计

在3伏高级启动区块快闪记忆体， Intel最新的0.18制造

技术，代表了在整体系统成本更低一款功能丰富的解决方案。 3伏高级

在X16引导块闪存产品将在48引脚TSOP和48球CSP提供

包。该产品系列的X8选项将只提供40引脚TSOP和48-

球μBGA *包。该产品系列的更多信息可以通过获得

访问英特尔网站： http://www.intel.com/design/flash 。

注意：

本文件包含的新产品在生产中的初步信息。该

规格如有变更，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处的

你有一个定案之前，设计最新的数据表。

订单号： 290580-012

2000年10月

本文档中的信息均与英特尔产品提供。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何

知识产权被授予此文档。除非英特尔产品销售条款和此类产品的条件提供，英特尔不承担任何

承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，销售和/或使用英特尔产品包括责任或担保

有关适用于某特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其它知识产权的担保。英特尔产品

不用于医疗，救生或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

设计者不得依赖于任何功能或说明的缺失或特性标记"reserved"或"undefined."英特尔保留

今后对其定义的权利，对于因今后对其进行修改所产生的冲突或不兼容性概不负责。

该28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3可能包含勘误表可能导致设计缺陷或错误

该产品与已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可致电1-800-得到

548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。

*其他品牌和名称是其各自所有者的财产。

3UHOLPLQDU\

28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3

1.0

2.0

介绍

.................................................................................................................. 1

1.1

2.1

2.2

产品概述................................................ .................................................. 2

封装引脚分配................................................ .................................................. 3

块组织................................................ ................................................ 7

2.2.1参数块............................................. ........................................ 7

2.2.2主要模块............................................. ................................................. 7

总线操作....................................................................................................... 7

3.1.1 Read......................................................................................................... 8

3.1.2输出禁止............................................. ............................................. 8

3.1.3待机.............................................. .................................................. 8 ....

3.1.4深度掉电/复位......................................... .............................. 8

3.1.5写......................................................................................................... 9

模式Operation............................................................................................... 9

3.2.1读阵列............................................. .................................................. 9

3.2.2读取识别............................................. ........................................... 11

3.2.3读状态寄存器............................................ ................................. 11

3.2.4编程模式............................................. ........................................... 12

3.2.5擦除模式............................................. ............................................... 12

块锁定......................................................................................................14

3.3.1 WP ＃ = V

对于块锁定............................................... ................... 14

3.3.2 WP ＃ = V

座解锁............................................... ............... 15

编程和擦除电压.............................................. ......................... 15

3.4.1 V

= V

为完整的保护............................................... .......... 15

功耗................................................ ............................................ 15

3.5.1有功功率............................................. ............................................. 16

3.5.2自动省电（ APS ） ......................................... ................... 16

3.5.3备用电源............................................. .......................................... 16

3.5.4深度掉电模式.......................................... ............................. 16

上电/下运行............................................ ..................................... 16

3.6.1 RP ＃连接到系统复位......................................... .................. 17

3.6.2 V

, V

和RP ＃转换.............................................. ................. 17

电源去耦............................................... .................................... 17

绝对最大额定值............................................... .................................. 18

操作Conditions...........................................................................................19

电容........................................................................................................19

直流特性................................................ .............................................. 20

交流特性 - 读取操作............................................. .................. 23

AC特性-Write操作............................................. .................. 27

编程和擦除时序.............................................. .................................. 31

产品说明

.................................................................................................. 3

3.0

操作原理

............................................................................................ 7

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

4.0

电气规格

........................................................................................18

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

4.7

3UHOLPLQDU\

iii

28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3

5.0

6.0

7.0

复位操作

..................................................................................................... 33

订购信息

.............................................................................................. 34

附加信息

........................................................................................... 36

写状态机当前/下一个国

................................................. 37

体系结构框图

........................................................................... 38

字宽存储器映射DIAGRAMS

............................................................. 39

字节宽度的存储器映射DIAGRAMS

.............................................................. 45

编程和擦除流程图

.................................................................... 48

附录A

附录B

附录C

附录D

附录E

3UHOLPLQDU\

28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3

修订历史

数

-001

蓝本

第3.4节，

编程和擦除电压，

额外

更新图9 ：

自动块擦除流程图

更新图10 ：

擦除挂起/恢复流程

（添加程序表）

更新图16 ：

AC波形：编程和擦除操作

（更新注意事项）

PPR

从± 25最大规格变更

±50

编程和擦除挂起延迟规格变更

更新附录A ：

订购信息

（包括8 M和4M的信息）

更新图，附录D ：

体系结构框图

（块的信息。在口头上而不是字节）

轻微的措辞变化

结合字节宽规格（以前290605 ）本文件

提高速度规格，以80纳秒（ 3.0 V）和90纳秒（ 2.7 V ）

提高了1.8 VI / O选项，以最低1.65 V （ 3.4节）

改进的几个直流特性（ 4.4节）

改进的几个AC特性（第4.5和4.6 ）

结合2.7 V和1.8 V直流特性（ 4.4节）

加入5 V V

读取规格（ 3.4节）

除去120纳秒至150纳秒的速度发行

移动

订购信息

从附录第6.0节;最新信息

移动

附加信息

从附录第7.0节

更新图附录B ，

访问时间 - 容性负载

更新图附录C ，

体系结构框图

移动编程和擦除流程图附录E.

更新

程序流程图

更新

程序挂起/恢复流程

整个少量文字编辑

增加了32兆位密度

加入98H为一个保留命令（表4）

–A

= 0时读取识别模式（第3.2.2节）

状态寄存器的澄清SR3 （表7 ）

和V

CCQ

绝对最大规格= 3.7 V（ 4.1节）

结合我

PPW

我

CCW

在一个规范（第4.4节）

结合我

PPE

我

CCE

在一个规范（第4.4节）

最大参数块擦除时间（t

WHQV2

EHQV2

）减少到4秒（ 4.7节）

最大主块擦除时间（t

WHQV3

EHQV3

）减少到5秒（ 4.7节）

擦除挂起时间@ 12 V （T

WHRH2

EHRH2

）更改为5微秒典型和20 μs的最大

（第4.7条）

订购信息

更新（第6.0节）

写状态机当前/下一个状态表更新（附录A ）

程序挂起/恢复流程更新（附录F ）

擦除挂起/恢复流程更新（附录F ）

文字说明整个

μBGA

校正的包图（图3和4）

PPD

测试条件校正（第4.4节）

修正32 - Mbit的订购信息（第6章）

μBGA

补充包顶部标记信息（第6章）

和V

规格变化（ 4.4节）

CCS

测试条件说明（第4.4节）

增加的命令序列错误注（表7 ）

从数据表改名

智能3高级启动块4兆，8兆， 16兆闪存

存储器系列。

添加的设备ID信息4兆位X8设备

除去32兆位X8 ，以反映产品组合

次要文本更改

纠正RP ＃引脚说明如表2 ，

3伏高级启动区块引脚说明

固定在纠正拼写错误

订购信息

描述

-002

-003

-004

-005

-006

-007

3UHOLPLQDU\

初步

智能3高级启动块

4-， 8-，16- ， 32兆位

闪存系列

28F400B3 ， 28F800B3 ， 28F160B3 ， 28F320B3

28F008B3 ， 28F016B3 ， 28F032B3

柔性SmartVoltage技术

2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除

12 V V

快速生产

程序设计

2.7 V或1.65 V的I / O选项

降低整体系统功耗

高性能

2.7 V - 3.6 V ： 90 ns的最大访问时间

3.0 V- 3.6 V ： 80 ns的最大访问时间

优化的块大小

8个8 KB的块数据，

顶部或底部位置

达六十三个64 -KB的块

CODE

块锁定

通过WP ＃ -Level控制

低功耗

10毫安典型读取电流

绝对的硬件保护

= GND选项

锁定电压

扩展温度操作

-40 ° C至+85°C

闪存数据集成软件

闪存管理器

系统中断管理器

支持参数存储，

流媒体数据（例如，语音）

自动编程和块擦除

状态寄存器

扩展循环能力

最低100000块擦除

循环保证

自动省电功能

典型的我

CCS

公交车不活动后

标准表面贴装包装

48-Ball

μBGA *

包

48引脚TSOP封装

40引脚TSOP封装

足迹升级

升级为4位，8位，16位和32位

兆位密度

ETOX VI （ 0.25

)

闪存技术

智能3高级启动块， Intel最新的0.25 μ技术制造的，代表了一种功能 -

在整体的系统成本更低丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压能力

（ 2.7 V的读取，编程和擦除）具有高速，低功耗运行。几个新的功能已经

增加了，包括用于驱动所述的I / O的能力，在1.65伏，显著降低了系统的有功功率和

接口为1.65 V控制器。一种新的分块机制允许代码和数据存储在一个单一的

装置。再加上英特尔开发的闪存数据集成（ FDI）的软件，并且你有一个符合成本效益的，

单片代码和数据存储解决方案。智能3高级启动块产品将提供40

铅和48引脚TSOP和48球μBGA *包。该产品系列的更多信息可

http://www.intel.com/design/flash ：通过访问英特尔的WWW页面获得。

1998年7月

订单号： 290580-005

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F400B3 ， 28F800 / 008B3 ， 28F160 / 016B3 ， 38F320 / 032B3可能包含设计缺陷或错误勘误表了解到哪些

可能导致产品与已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站http://www.intel.com

第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产

CG-041493

页面

1.0简介............................................. 5

1.1智能3高级启动块闪存

记忆增强.............................. 5

1.2产品概述......................................... 6

2.0产品说明.............................. 6

2.1包装插脚引线.......................................... 6

2.2块组织..................................... 11

2.2.1参数块................................ 11

2.2.2主要模块......................................... 11

操作3.0原理..................... 11

3.1总线操作............................................ 12

3.1.1读.............................................. ...... 13

3.1.2输出禁止..................................... 13

3.1.3待机.............................................. 0.13

3.1.4深度掉电/复位.................. 13

3.1.5写.............................................. ...... 13

操作.................................... 14 3.2模式

3.2.1读阵列.......................................... 14

3.2.2读取识别..................................... 15

3.2.3读状态寄存器.......................... 16

3.2.4编程模式..................................... 16

3.2.5擦除模式......................................... 17

3.3块锁定............................................. 20

3.3.1 WP ＃ = V

对于块锁定................ 20

3.3.2 WP ＃ = V

座解锁............ 20

3.4 V

编程和擦除电压.............. 20

3.4.1 V

= V

为完整的保护....... 20

智能3高级启动块

页面

3.5功耗................................... 20

3.5.1有功功率....................................... 21

3.5.2自动省电（ APS ） ......... 21

3.5.3备用电源.................................... 21

3.5.4深度掉电模式..................... 21

3.6电/缩小操作......................... 21

3.6.1 RP ＃连接到系统复位........ 21

3.6.2 V

, V

和RP ＃转换............. 21

3.7电源去耦.......................... 22

4.0电气特性.................. 23

4.1绝对最大额定值........................ 23

4.2工作条件.................................. 24

4.3电容............................................... 24

4.4直流特性..................................... 25

4.5交流特性读取操作....... 28

4.6交流特性 - 写操作........ 30

4.7编程和擦除时序....................... 31

5.0复位操作.................................. 33

6.0订购信息.......................... 34

7.0其他信息....................... 36

附录A ：写状态机

当前/下一个国家..................................... 37

附录B ：访问时间 -

容性负载........................................... 38

附录C ：建筑结构图...... 39

附录D ：字宽存储器映射

Diagrams......................................................40

附录E ：字节宽度的存储器映射

Diagrams......................................................43

附录F ：编程和擦除流程图0.45

初步

智能3高级启动块

描述

修订历史

数

-001

-002

蓝本

第3.4节，

编程和擦除电压，

额外

更新图9 ：

自动块擦除流程图

更新图10 ：

擦除挂起/恢复流程

（添加程序表）

更新图16 ：

AC波形：编程和擦除操作

（更新注意事项）

PPR

从± 25最大规格变更

±50

编程和擦除挂起延迟规格变更

更新附录A ：

订购信息

（包括8 M和4M的信息）

更新图，附录D ：

体系结构框图

（块的信息。在不言

字节）

轻微的措辞变化

结合字节宽规格（以前290605 ）本文件

提高速度规格，以80纳秒（ 3.0 V）和90纳秒（ 2.7 V ）

提高了1.8 VI / O选项，以最低1.65 V （ 3.4节）

改进的几个直流特性（ 4.4节）

改进的几个AC特性（第4.5和4.6 ）

结合2.7 V和1.8 V直流特性（ 4.4节）

加入5 V V

读取规格（ 3.4节）

除去120纳秒至150纳秒的速度发行

移动

订购信息

从附录第6.0节;最新信息

移动

附加信息

从附录第7.0节

更新图附录B ，

访问时间 - 容性负载

更新图附录C ，

体系结构框图

移动编程和擦除流程图附录E.

更新

程序流程图

更新

程序挂起/恢复流程

整个次要的文字编辑。

增加了32兆位密度

加入98H为一个保留命令（表4）

–A

= 0时读取识别模式（第3.2.2节）

状态寄存器的澄清SR3 （表7 ）

和V

CCQ

绝对最大规格= 3.7 V（ 4.1节）

结合我

PPW

我

CCW

在一个规范（第4.4节）

结合我

PPE

我

CCE

在一个规范（第4.4节）

最大参数块擦除时间（t

WHQV2

EHQV2

）减少到4秒（ 4.7节）

最大主块擦除时间（t

WHQV3

EHQV3

）减少到5秒（ 4.7节）

擦除挂起时间@ 12 V （T

WHRH2

EHRH2

）更改为5微秒典型和20微秒

最大（ 4.7节）

订购信息

更新（第6.0节）

写状态机当前/下一个状态表更新（附录A ）

程序挂起/恢复流程更新（附录F ）

擦除挂起/恢复流程更新（附录F ）

文字说明整个

μBGA

校正的包图（图3和4）

PPD

测试条件校正（第4.4节）

修正32 - Mbit的订购信息（第6章）

μBGA

补充包顶部标记信息（第6章）

-003

-004

-005

初步

1.0

智能3高级启动块

介绍

1.1

智能3高级启动块

闪存增强

该数据表包含了规格为

高级启动区块快闪记忆体系列，这是

低功耗，便携式系统进行了优化。这

系列产品拥有1.65 V - 2.5 V或2.7 V -

3.6 V的I / O和低V

经营范围

2.7 V - 3.6 V的读取，编程和擦除

操作。此外，该系列能够快速

12五，编程整篇文档中，

术语“ 2.7 V ”指的是全电压范围

2.7 V - 3.6 V （除非另有说明），并

“V

= 12 V “指的是12伏±5％。第1.0节和

2.0提供的闪速存储器系列的概述

包括应用程序，引脚和引脚说明。

第3.0节描述了记忆的组织和

操作这些产品。部分4.0和5.0

包含的操作规范。最后，

部分6.0和7.0提供订货等

参考信息。

智能3高级启动区块快闪记忆体

特点

增强的阻挡用于容易分割

代码和数据或附加的设计灵活性

程序挂起读取命令

CCQ

1.65 V- 2.5 V的所有I / O输入。看

图1至图4的引脚排列图和

CCQ

位置

最高纲领和擦除时间规范

对于改进的数据存储。

表1.智能3高级启动块功能摘要

特征

读取电压

CCQ

I / O电压

编程/擦除电压

总线宽度

速度

内存布局

28F008B3 ， 28F016B3 ，

28F032B3

(1)

28F400B3

(2),

28F800B3,

28F160B3 ， 28F320B3

参考

第4.2节， 4.4

表3

第4.5节

第2.2节

2.7 V– 3.6 V

1.65 V - 2.5 V或2.7 V - 3.6 V

2.7 V- 3.6 V或11.4 V- 12.6 V

8-bit

16位

80纳秒， 90纳秒，为100 ns ， 110 ns的

1024千位×8 （ 8兆比特），

2048千位×8 （ 16兆），

4096千位×8 （ 32兆位）

256千×16 （ 4兆位）

512千位×16 （ 8兆比特），

1024千位×16 （ 16兆位）

2048千位×16 （ 32兆）

阻塞（顶部或底部）

8个8字节的参数块

和

七64千字节块（ 4兆位）或

十五个64字节块（ 8兆位）或

三十一64 KB的主块（ 16兆位）

六十三的64 KB的主块（ 32兆位）

WP ＃锁定/解锁参数块

使用V所有其他块保护

扩展： -40

°C

+85

°C

100,000次

40引脚TSOP

(1)

， 48球

μBGA *

CSP

(2)

48引脚TSOP ， 48球

μBGA

CSP

(2)

第2.2节

附录D

锁定

工作温度

编程/擦除循环

套餐

第3.3节

表8

第4.2节， 4.4

图3，图4

注意事项：

在40引脚TSOP不可用4 Mbit与32 Mbit的密度。

在没有可用的4兆位密度

μBGA *

CSP 。

初步