无铅电镀产品
颁发日期： 2006/01/16
修订日期：
GT2622
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
50V
1.8
520mA
该GT2622采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极
效率和成本效益的设备。
采用SOT -26封装普遍适用于所有商业工业应用。
描述
*低栅极电荷
*表面贴装封装
*符合RoHS
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
2.70
2.60
1.40
0.30
0
0°
马克斯。
3.10
3.00
1.80
0.55
0.10
10°
REF 。
G
H
I
J
K
L
尺寸
毫米
1.90 REF 。
1.20参考。
0.12 REF 。
0.37 REF 。
0.60参考。
0.95 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
3
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
符号
Rthj -A
评级
50
±20
520
410
1.5
0.8
0.006
-55 ~ +150
价值
150
单位
V
V
mA
mA
A
W
W/ :
:
单位
:
/W
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
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颁发日期： 2006/01/16
修订日期：
电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
50
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
600
-
-
-
-
-
1
0.5
0.5
12
10
56
29
32
8
6
马克斯。
-
-
3.0
-
D
30
10
100
1.8
3.2
1.6
-
-
-
-
-
-
50
-
-
单位
V
V/ :
V
mS
uA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= ±20V
V
DS
=50V, V
GS
=0
V
DS
=40V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=200mA
I
D
=500mA
V
DS
=40V
V
GS
=4.5V
V
DS
=25V
I
D
=500mA
V
GS
=10V
R
G
=3.3
R
D
=50
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.3
单位
V
测试条件
I
S
= 600毫安，V
GS
=0V
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4板，T 5秒的铜垫; 250 ： /安装在闽当W 。铜垫。
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颁发日期： 2006/01/16
修订日期：
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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中国：
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