无铅电镀产品
颁发日期： 2005年5月6日
修订日期：
GT2602
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
34m
6.3A
该GT2602采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极
效率和成本效益的设备。
该GT2602是普遍适用于所有商业工业应用。
描述
*有能力2.5V栅极驱动
*低导通电阻
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
2.70
2.60
1.40
0.30
0
0°
马克斯。
3.10
3.00
1.80
0.55
0.10
10°
REF 。
G
H
I
J
K
L
尺寸
毫米
1.90 REF 。
1.20参考。
0.12 REF 。
0.37 REF 。
0.60参考。
0.95 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
1,2
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
符号
Rthj -A
评级
20
f 12
6.3
5
30
2
0.016
-55 ~ +150
评级
62.5
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
单位
/W
1/4
颁发日期： 2005年5月6日
修订日期：
电气特性（ TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编）
分钟。
20
-
0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
13
-
-
-
-
-
-
-
8.7
1.5
3.6
6
14
18.4
2.8
603
144
111
马克斯。
-
-
-
-
D
100
1
10
30
34
50
90
16
-
-
-
-
-
-
1085
-
-
pF
ns
nC
m
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=5.3A
12V
V
GS
= D
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=5.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.3A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.6A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=1.0A
I
D
=5.3A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
G
=2
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 55 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
R
DS （ ON）
-
-
-
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
符号
V
SD
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
分钟。
-
-
-
典型值。
-
16.8
11
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= 5A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
T
rr
Q
rr
反向恢复电荷
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 156 ： /安装在闽当W 。铜垫。
2/4
颁发日期： 2005年5月6日
修订日期：
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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4/4
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