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GT25G101(SM)
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT25G101(SM)
频闪闪光灯应用
高输入阻抗
低饱和电压
增强型
12V栅极驱动器
: V
CE (SAT)
= 8V (最大) (我
C
= 170A)
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 发射极电压
极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
1ms
TA = 25°C
TC = 25°C
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
400
±25
25
170
1.3
75
150
55~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量:1.4g
210S2C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
关断时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE ( OFF )
V
CE (SAT)
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
R
日(J -C )
测试条件
V
GE
= ±25V, V
CE
= 0
V
CE
= 400V, V
GE
= 0
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
I
C
= 170A ,V
GE
= 20V (脉冲)
V
CE
= 10V, V
GE
= 0中,f = 1MHz的
4
典型值。
5
5
2000
0.1
0.15
4.0
4.5
最大
±100
10
7
8
0.5
0.5
6.0
7.0
1.66
C / W
μs
单位
nA
μA
V
V
pF
1
2006-11-02
GT25G101(SM)
2
2006-11-02
GT25G101(SM)
3
2006-11-02
GT25G101(SM)
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-02
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