【GT25G101东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBTGT25G101频闪闪光灯应用高输入阻抗低饱和电】,IC型号GT25G101,GT25G101 PDF资料,GT25G101经销商,ic,电子元器件-51电子网

GT25G101

东芝绝缘栅双极晶体管

硅N沟道IGBT

GT25G101

频闪闪光灯应用

高输入阻抗

低饱和电压

增强型

20V栅极驱动器

: V

CE （SAT）

= 8V （最大）（我

=170A)

以毫米单位

绝对最大额定值

(Ta=25

°C

)

特征

集电极 - 发射极电压

极 - 发射极电压

集电极电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

1ms

Ta=25°C

Tc=25°C

符号

CES

GES

英镑

等级

400

±25

170

1.3

150

55~150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

重量：1.5g

―

210S1C

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品

减少在可靠性显著即使操作条件（即操作

温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

电气特性

(Ta=25

°C

)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开关时间

开启时间

下降时间

关断时间

热阻

符号

GES

CES

GE （ OFF ）

CE （SAT）

IES

关闭

日（J -C ）

―

测试条件

=±25V, V

=400V, V

= 1mA时， V

=5V

= 170A ，V

= 20V （脉冲）

=10V, V

= 0中，f = 1MHz的

分钟。

―

典型值。

―

2000

0.1

0.15

4.0

4.5

―

马克斯。

±100

―

0.5

6.0

7.0

1.66

C / W

μs

单位

μA

2006-11-02

GT25G101

2006-11-02

GT25G101

2006-11-02

GT25G101

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2006-11-02

GT25G101

东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBT

GT25G101

频闪闪光灯应用

高输入阻抗

低饱和电压

增强型

20V栅极驱动器

: V

CE （SAT）

= 8V （最大）（我

=170A)

以毫米单位

最大额定值

(Ta=25

°C

)

特征

集电极 - 发射极电压

极 - 发射极电压

集电极电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

1ms

Ta=25°C

Tc=25°C

符号

CES

GES

英镑

等级

400

±25

170

1.3

150

55~150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

重量：1.5g

―

210S1C

电气特性

(Ta=25

°C

)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

上升时间

开关时间

开启时间

下降时间

关断时间

热阻

符号

GES

CES

GE （ OFF ）

CE （SAT）

IES

关闭

日（J -C ）

―

测试条件

=±25V, V

=400V, V

= 1mA时， V

=5V

= 170A ，V

= 20V （脉冲）

=10V, V

= 0中，f = 1MHz的

分钟。

―

典型值。

―

2000

0.1

0.15

4.0

4.5

―

马克斯。

±100

―

0.5

6.0

7.0

1.66

C / W

单位

2002-02-06

GT25G101

2002-02-06

GT25G101

2002-02-06

GT25G101

限制产品使用

000707EAA

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

2002-02-06