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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第15页 > GT20J101
GT20J101
初步
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT20J101
高功率开关应用
单位：mm
第三代
增强型
高速：吨
f
= 0.30微秒（最大值）
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 2.7 V （最大值）
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
（ TC
=
25°C)
结温
存储温度范围
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±20
20
40
130
150
55~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 4.6克
―
―
2-16C1C
1
2002-01-18
GT20J101
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
R
日（J -C ）
测试条件
V
GE
= ±20
V, V
CE
=
0
V
CE
=
600 V, V
GE
=
0
I
C
=
2毫安，V
CE
=
5 V
I
C
=
20 A，V
GE
=
15 V
V
CE
=
20 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
感性负载
V
CC
=
300 V，I
C
=
20 A
V
GG
= ±15
V ，R
G
=
56
(Note1)
民
5.0
典型值。
2.1
1450
0.12
0.40
0.15
0.50
最大
±500
1.0
8.0
2.7
单位
nA
mA
V
V
pF
0.30
s
0.96
° C / W
注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
GT20J301
V
GE
I
C
R
G
L
V
CC
V
CE
0
I
C
90%
V
CE
10%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
t
on
10%
10%
t
D（上）
t
r
90%
10%
0
90%
10%
注2 ：开关损耗测量波形
V
GE
0
90%
10%
I
C
0
V
CE
10%
E
关闭
E
on
2
2002-01-18
GT20J101
I
C
– V
CE
50
15
13
20
V
CE
– V
GE
共发射极
40
(V)
共发射极
Tc
=
25°C
20
Tc
= 40°C
16
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
I
C
30
12
集电极电流
12
20
8
10
4
IC
=
5 A
20
40
10
VGE
=
10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
20
共发射极
20
共发射极
V
CE
– V
GE
(V)
Tc
=
125°C
16
(V)
Tc
=
25°C
16
集电极 - 发射极电压V
CE
集电极 - 发射极电压V
CE
12
12
8
10
20
4
IC
=
5 A
40
8
20
10
4
IC
=
5 A
40
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
I
C
– V
GE
50
共发射极
4
VCE
=
5 V
40
共发射极
V
CE （SAT）
TC =
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
VGE
=
15 V
3
40
30
2
20
10
1
IC
=
5 A
I
C
30
集电极电流
(A)
20
25
10
Tc
=
125°C
0
0
40
4
8
12
16
20
0
60
20
20
60
100
140
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
壳温度
(°C)
3
2002-01-18
GT20J101
开关时间t
on
, t
r
– R
G
3
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
3
吨
开关时间t
on
, t
r
– I
C
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
吨
0.1
0.05
0.03
tr
0.01
(s)
1
0.5
0.3
(s)
t
on
, t
r
开关时间
tr
1
0.5
0.3
开关时间
t
on
, t
r
0.1
0.05
0.03
3
10
30
100
300
1000
0
4
8
12
16
20
门阻抗R
G
()
集电极电流
I
C
(A)
开关时间t
关闭
, t
f
– R
G
3
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
3
开关时间t
关闭
, t
f
– I
C
(s)
1
0.5
0.3
(s)
1
0.5
0.3
花花公子
花花公子
t
关闭
, t
f
开关时间
开关时间
tf
t
关闭
, t
f
0.1
0.05
0.03
tf
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
4
8
12
16
20
0.1
0.05
0.03
3
10
30
100
300
1000
0.01
0
门阻抗R
G
()
集电极电流
I
C
(A)
开关损耗
10
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– R
G
10
开关损耗
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– I
C
（兆焦耳）
（兆焦耳）
3
3
1
宙
宙
E
on
, E
关闭
E
on
, E
关闭
1
EOFF
0.3
开关损耗
开关损耗
EOFF
0.1
0.3
0.03
0.1
1
10
100
1000
0.01
0
4
8
12
16
20
门阻抗R
G
()
集电极电流
I
C
(A)
4
2002-01-18
GT20J101
- V
CE
5000
3000
500
V
CE
, V
GE
– Q
G
20
共发射极
RL
=
15
Tc
=
25°C
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
1000
资本投资者入境计划
400
16
（PF ）
300
100
C
200
VCE
=
100 V
200
8
30
共发射极
10
VGE
=
0
f
=
1兆赫
5
0.5
Tc
=
25°C
1
3
10
30
100
300
卓越中心
100
4
CRES
1000
3000
0
0
20
40
60
80
0
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极电荷
Q
G
（ NC ）
安全工作区
100
50
30
集成电路最大值（脉冲） *
100
10毫秒*
100
s*
50
s*
50
30
反向偏置SOA
(A)
I
C
1毫秒*
DC
手术
集电极电流
集电极电流
5
3
I
C
IC最大
图10（续）
(A)
10
5
3
1
0.5
*:
单非重复性
脉冲锝
=
25°C
0.3曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.1
1
3
10
30
1
0.5
0.3
Tj
＆ LT ;
125°C
=
VGE
= ±15
V
RG
=
56
1
3
10
30
100
300
1000
3000
0.1
100
300
1000
3000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
R
日（T ）
– t
w
10
2
瞬态热阻抗
R
日（T ）
（ ° C / W）
10
1
10
0
10
1
2
3
Tc
=
25°C
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
10
10
10
4
10
脉冲宽度
t
w
(s)
5
2002-01-18
栅极 - 发射极电压
300
300
12
电容
V
GE
(V)
GT20J101
初步
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT20J101
高功率开关应用
单位：mm
第三代
增强型
高速：吨
f
= 0.30微秒（最大值）
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 2.7 V （最大值）
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
（ TC
=
25°C)
结温
存储温度范围
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±20
20
40
130
150
55~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 4.6克
―
―
2-16C1C
1
2002-01-18
GT20J101
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
R
日（J -C ）
测试条件
V
GE
= ±20
V, V
CE
=
0
V
CE
=
600 V, V
GE
=
0
I
C
=
2毫安，V
CE
=
5 V
I
C
=
20 A，V
GE
=
15 V
V
CE
=
20 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
感性负载
V
CC
=
300 V，I
C
=
20 A
V
GG
= ±15
V ，R
G
=
56
(Note1)
民
5.0
典型值。
2.1
1450
0.12
0.40
0.15
0.50
最大
±500
1.0
8.0
2.7
单位
nA
mA
V
V
pF
0.30
s
0.96
° C / W
注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
GT20J301
V
GE
I
C
R
G
L
V
CC
V
CE
0
I
C
90%
V
CE
10%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
t
on
10%
10%
t
D（上）
t
r
90%
10%
0
90%
10%
注2 ：开关损耗测量波形
V
GE
0
90%
10%
I
C
0
V
CE
10%
E
关闭
E
on
2
2002-01-18
GT20J101
I
C
– V
CE
50
15
13
20
V
CE
– V
GE
共发射极
40
(V)
共发射极
Tc
=
25°C
20
Tc
= 40°C
16
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
I
C
30
12
集电极电流
12
20
8
10
4
IC
=
5 A
20
40
10
VGE
=
10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
20
共发射极
20
共发射极
V
CE
– V
GE
(V)
Tc
=
125°C
16
(V)
Tc
=
25°C
16
集电极 - 发射极电压V
CE
集电极 - 发射极电压V
CE
12
12
8
10
20
4
IC
=
5 A
40
8
20
10
4
IC
=
5 A
40
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
I
C
– V
GE
50
共发射极
4
VCE
=
5 V
40
共发射极
V
CE （SAT）
TC =
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
VGE
=
15 V
3
40
30
2
20
10
1
IC
=
5 A
I
C
30
集电极电流
(A)
20
25
10
Tc
=
125°C
0
0
40
4
8
12
16
20
0
60
20
20
60
100
140
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
壳温度
(°C)
3
2002-01-18
GT20J101
开关时间t
on
, t
r
– R
G
3
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
3
吨
开关时间t
on
, t
r
– I
C
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
吨
0.1
0.05
0.03
tr
0.01
(s)
1
0.5
0.3
(s)
t
on
, t
r
开关时间
tr
1
0.5
0.3
开关时间
t
on
, t
r
0.1
0.05
0.03
3
10
30
100
300
1000
0
4
8
12
16
20
门阻抗R
G
()
集电极电流
I
C
(A)
开关时间t
关闭
, t
f
– R
G
3
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
3
开关时间t
关闭
, t
f
– I
C
(s)
1
0.5
0.3
(s)
1
0.5
0.3
花花公子
花花公子
t
关闭
, t
f
开关时间
开关时间
tf
t
关闭
, t
f
0.1
0.05
0.03
tf
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
4
8
12
16
20
0.1
0.05
0.03
3
10
30
100
300
1000
0.01
0
门阻抗R
G
()
集电极电流
I
C
(A)
开关损耗
10
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– R
G
10
开关损耗
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– I
C
（兆焦耳）
（兆焦耳）
3
3
1
宙
宙
E
on
, E
关闭
E
on
, E
关闭
1
EOFF
0.3
开关损耗
开关损耗
EOFF
0.1
0.3
0.03
0.1
1
10
100
1000
0.01
0
4
8
12
16
20
门阻抗R
G
()
集电极电流
I
C
(A)
4
2002-01-18
GT20J101
- V
CE
5000
3000
500
V
CE
, V
GE
– Q
G
20
共发射极
RL
=
15
Tc
=
25°C
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
1000
资本投资者入境计划
400
16
（PF ）
300
100
C
200
VCE
=
100 V
200
8
30
共发射极
10
VGE
=
0
f
=
1兆赫
5
0.5
Tc
=
25°C
1
3
10
30
100
300
卓越中心
100
4
CRES
1000
3000
0
0
20
40
60
80
0
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
栅极电荷
Q
G
（ NC ）
安全工作区
100
50
30
集成电路最大值（脉冲） *
100
10毫秒*
100
s*
50
s*
50
30
反向偏置SOA
(A)
I
C
1毫秒*
DC
手术
集电极电流
集电极电流
5
3
I
C
IC最大
图10（续）
(A)
10
5
3
1
0.5
*:
单非重复性
脉冲锝
=
25°C
0.3曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.1
1
3
10
30
1
0.5
0.3
Tj
＆ LT ;
125°C
=
VGE
= ±15
V
RG
=
56
1
3
10
30
100
300
1000
3000
0.1
100
300
1000
3000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
R
日（T ）
– t
w
10
2
瞬态热阻抗
R
日（T ）
（ ° C / W）
10
1
10
0
10
1
2
3
Tc
=
25°C
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
10
10
10
4
10
脉冲宽度
t
w
(s)
5
2002-01-18
栅极 - 发射极电压
300
300
12
电容
V
GE
(V)
GT20J101
东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBT
GT20J101
高功率开关应用
单位：mm
第三代IGBT的
增强型模式
高速：吨
f
= 0.30
μs
（最大）
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 2.7 V （最大值）
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
（ TC
=
25°C)
结温
存储温度范围
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±20
20
40
130
150
55~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
―
―
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
东芝
2-16C1C
温度/电流/电压和在显著变化
重量： 4.6克
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
记号
东芝
GT20J101
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
1
2006-11-01
GT20J101
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
R
日（J -C ）
测试条件
V
GE
= ±20
V, V
CE
=
0
V
CE
=
600 V, V
GE
=
0
I
C
=
2毫安，V
CE
=
5 V
I
C
=
20 A，V
GE
=
15 V
V
CE
=
20 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
感性负载
V
CC
=
300 V，I
C
=
20 A
V
GG
= ±15
V ，R
G
=
56
Ω
(Note1)
民
5.0
典型值。
2.1
1450
0.12
0.40
0.15
0.50
最大
±500
1.0
8.0
2.7
单位
nA
mA
V
V
pF
0.30
μs
0.96
° C / W
注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
GT20J301
V
GE
I
C
R
G
L
V
CC
V
CE
0
I
C
90%
V
CE
10%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
t
on
10%
10%
t
D（上）
t
r
90%
10%
0
90%
10%
注2 ：开关损耗测量波形
V
GE
0
90%
10%
I
C
0
V
CE
10%
E
关闭
E
on
2
2006-11-01
GT20J101
I
C
– V
CE
50
15
13
20
共发射极
Tc
=
25°C
40
20
共发射极
V
CE
– V
GE
V
CE
(V)
Tc
= 40°C
16
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压
30
12
12
20
8
10
4
IC
=
5 A
20 40
10
VGE
=
10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
20
共发射极
20
共发射极
V
CE
– V
GE
V
CE
(V)
16
V
CE
(V)
Tc
=
25°C
Tc
=
125°C
16
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
12
12
8
10
20
4
IC
=
5 A
40
8
20
10
4
IC
=
5 A
40
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
I
C
– V
GE
50
共发射极
4
共发射极
V
CE （SAT）
TC =
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
VCE
=
5 V
(A)
40
VGE
=
15 V
3
40
30
2
20
10
1
IC
=
5 A
集电极电流I
C
30
20
25
10
Tc
=
125°C
0
0
40
4
8
12
16
20
0
60
20
20
60
100
140
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
壳温度（ ° C）
3
2006-11-01
GT20J101
开关时间
3
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
t
on
, t
r
– R
G
3
吨
开关时间
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
Ω
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
吨
0.1
0.05
0.03
tr
0.01
t
on
, t
r
– I
C
(μs)
1
0.5
0.3
(μs)
开关时间t
on
, t
r
tr
1
0.5
0.3
开关时间t
on
, t
r
0.1
0.05
0.03
3
10
30
100
300
1000
0
4
8
12
16
20
栅极电阻
R
G
(Ω)
集电极电流I
C
(A)
开关时间
3
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
t
关闭
, t
f
– R
G
3
开关时间
t
关闭
, t
f
– I
C
开关时间t
关闭
, t
f
(μs)
1
0.5
0.3
开关时间t
关闭
, t
f
(μs)
1
0.5
0.3
花花公子
花花公子
tf
0.1
0.05
0.03
tf
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
Ω
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
4
8
12
16
20
0.1
0.05
0.03
3
10
30
100
300
1000
0.01
0
栅极电阻
R
G
(Ω)
集电极电流I
C
(A)
开关损耗
10
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
IC
=
20 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– R
G
10
开关损耗
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
= ±15
V
RG
=
56
Ω
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– I
C
E
on
, E
关闭
（兆焦耳）
E
on
, E
关闭
（兆焦耳）
3
3
1
宙
宙
1
EOFF
0.3
开关损耗
开关损耗
EOFF
0.1
0.3
0.03
0.1
1
10
100
1000
0.01
0
4
8
12
16
20
栅极电阻
R
G
(Ω)
集电极电流I
C
(A)
4
2006-11-01
GT20J101
- V
CE
5000
3000
500
V
CE
, V
GE
– Q
G
20
共发射极
RL
=
15
Ω
Tc
=
25°C
V
CE
(V)
1000
资本投资者入境计划
400
16
集电极 - 发射极电压
300
100
电容C
200
VCE
=
100 V
200
8
30
共发射极
10
VGE
=
0
f
=
1兆赫
5
0.5
Tc
=
25°C
1
3
10
30
100
300
卓越中心
100
4
CRES
1000
3000
0
0
20
40
60
80
0
100
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
栅极电荷q
G
（ NC ）
安全工作区
100
50
30
集成电路最大值（脉冲） *
100
10毫秒*
100
μs*
50
μs*
50
30
反向偏置SOA
(A)
集电极电流I
C
1毫秒*
DC
手术
5
3
集电极电流I
C
IC最大
图10（续）
(A)
10
5
3
1
0.5
*:
单非重复性
脉冲锝
=
25°C
0.3曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.1
1
3
10
30
1
0.5
0.3
Tj
＆ LT ;
125°C
=
VGE
= ±15
V
RG
=
56
Ω
1
3
10
30
100
300
1000
3000
0.1
100
300
1000
3000
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
R
日（T ）
– t
w
10
2
瞬态热阻抗
R
日（T ）
（ ° C / W）
10
1
10
0
10
1
2
3
Tc
=
25°C
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
10
10
10
4
10
脉冲宽度
t
w
(s)
5
2006-11-01
栅极 - 发射极电压
300
300
12
V
GE
(V)
（PF ）
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G690H293T73
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GDB-6.3A
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G65SC02E-6
GEE99F-A-C
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GHBW53V08
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