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首字符G的型号第35页
> GT15J331
GT15J331
东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBT
GT15J331
高功率开关应用
电机控制应用
单位:mm
·
·
·
·
·
第4代
增强型
高速:吨
f
= 0.10微秒(典型值)。
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 1.75 V (典型值)。
FRD包括发射极和集电极之间。
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极 - 集电极前进
当前
集电极耗散功率
( TC
=
25°C)
结温
存储温度范围
DC
1毫秒
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±20
15
30
15
30
70
150
-55~150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 1.5克
―
―
2-10S1C
等效电路
集热器
门
辐射源
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 1.4克
―
―
2-10S2C
1
2002-01-18
GT15J331
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
峰值正向电压
反向恢复时间
热电阻(IGBT)
热电阻(二极管)
符号
I
GES
I
CES
V
GE ( OFF )
V
CE (SAT)
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
R
日(J -C )
R
日(J -C )
I
F
=
15 A,V
GE
=
0
I
F
=
15 A , di / dt的
= -100
A / MS
测试条件
V
GE
= ±20
V, V
CE
=
0
V
CE
=
600 V, V
GE
=
0
I
C
=
1.5毫安,V
CE
=
5 V
I
C
=
15 A,V
GE
=
15 V
V
CE
=
20 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
感性负载
V
CC
=
300 V,I
C
=
15 A
V
GG
=
15 V ,R
G
=
43
W
(Note1)
民
4.5
典型值。
1.75
2400
0.04
0.22
0.10
0.37
最大
±500
1.0
7.5
2.3
单位
nA
mA
V
V
pF
0.23
ms
2.0
200
1.79
3.45
V
ns
° C / W
° C / W
注1 :开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
0
-V
GE
I
C
R
G
V
CE
0
V
CE
10%
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
t
on
10%
10%
t
D(上)
t
r
10%
L
V
CC
I
C
90%
90%
90%
10%
注2 :开关损耗测量波形
V
GE
0
90%
10%
I
C
V
CE
5%
0
E
关闭
E
on
2
2002-01-18
GT15J331
I
C
– V
CE
50
20
共发射极
Tc
=
25°C
40
共发射极
V
CE
– V
GE
(V)
Tc
= -40°C
16
(A)
I
C
集电极 - 发射极电压
30
20
15
10
V
CE
12
30
集电极电流
15
8
20
9
10
4
VGE
=
8 V
IC
=
6 A
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
20
共发射极
20
共发射极
Tc
=
25°C
16
V
CE
– V
GE
(V)
(V)
Tc
=
125°C
16
V
CE
集电极 - 发射极电压
12
30
集电极 - 发射极电压
V
CE
12
30
15
8
15
8
4
IC
=
6 A
4
IC
=
6 A
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
– V
GE
30
4
共发射极
VCE
=
5 V
共发射极
V
CE (SAT)
TC =
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
VGE
=
15 V
3
30 A
(A)
集电极电流
I
C
20
2
15 A
IC
=
6 A
10
-40
1
Tc
=
125°C
25
0
0
4
8
12
16
20
0
-60
-20
20
60
100
140
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
壳温度
(°C)
3
2002-01-18
GT15J331
开关时间t
on
, t
r
– R
G
3
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
15 A
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
吨
3
开关时间t
on
, t
r
– I
C
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
43
W
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
吨
0.1
0.05
0.03
tr
(女士)
(女士)
t
on
, t
r
开关时间
1
0.5
0.3
1
0.5
0.3
开关时间
t
on
, t
r
0.1
0.05
0.03
tr
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
0.01
0
3
6
9
12
15
门阻抗R
G
(9)
集电极电流
I
C
(A)
开关时间t
关闭
, t
f
– R
G
3
3
开关时间t
关闭
, t
f
– I
C
(女士)
(女士)
1
0.5
0.3
花花公子
tf
0.1
0.05
0.03
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
15 A
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
3
10
30
100
300
1000
1
0.5
0.3
花花公子
tf
t
关闭
, t
f
开关时间
开关时间
t
关闭
, t
f
0.1
0.05
0.03
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
43
W
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
0
3
6
9
12
15
0.01
1
0.01
门阻抗R
G
(9)
集电极电流
I
C
(A)
开关损耗
10
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
15 A
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– R
G
10
开关损耗
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
43
W
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– I
C
(兆焦耳)
3
E
on
, E
关闭
E
on
, E
关闭
宙
EOFF
(兆焦耳)
1
1
开关损耗
开关损耗
0.3
宙
0.1
EOFF
0.1
0.03
1
3
10
30
100
300
1000
0.01
0
3
6
9
12
15
门阻抗R
G
(9)
集电极电流
I
C
(A)
4
2002-01-18
GT15J331
- V
CE
3000
资本投资者入境计划
500
共发射极
V
CE
, V
GE
– Q
G
20
(V)
16
(PF )
V
CE
300
集电极 - 发射极电压
电容C
300
300
200
12
100
卓越中心
共发射极
10
VGE
=
0
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
3
10
30
100
300
1000
3000
CRES
200
30
VCE
=
100 V
8
100
4
3
1
0
0
10
20
30
40
50
60
0
70
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
栅极电荷
Q
G
( NC )
I
F
-
V
F
30
100
共集电极
VGE
=
0
共集电极
的di / dt
= -100
A / MS
VGE
=
0
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
t
rr
, I
rr
-
IF
1000
25
(A)
(A)
反向恢复电流我
rr
正向电流I
F
20
15
Tc
=
125°C
10
25
-40
5
10
TRR
100
IRR
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
0
3
6
9
12
10
15
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(A)
安全工作区
50
30
集成电路最大值(脉冲) *
50
女士*
10毫秒*
50
30
反向偏置SOA
(A)
I
C
10最大IC
(连续)
5
3
DC
手术
(A)
10
5
3
100
女士*
集电极电流
1
*:
单身
非重复性脉冲
Tc
=
25°C
0.3
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.1
1
3
10
0.5
1毫秒*
集电极电流
I
C
1
0.5
0.3
Tj
& LT ;
125°C
=
VGE
=
15 V
RG
=
43
W
3
10
30
100
300
1000
30
100
300
1000
0.1
1
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
5
2002-01-18
反向恢复时间
TRR
(纳秒)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
1000
RL
=
20
W
400锝
=
25°C
GT15J331
东芝绝缘栅双极晶体管硅N沟道IGBT
GT15J331
高功率开关应用
电机控制应用
单位:mm
·
·
·
·
·
第4代
增强型
高速:吨
f
= 0.10微秒(典型值)。
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 1.75 V (典型值)。
FRD包括发射极和集电极之间。
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极 - 集电极前进
当前
集电极耗散功率
( TC
=
25°C)
结温
存储温度范围
DC
1毫秒
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±20
15
30
15
30
70
150
-55~150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 1.5克
―
―
2-10S1C
等效电路
集热器
门
辐射源
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 1.4克
―
―
2-10S2C
1
2002-01-18
GT15J331
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
峰值正向电压
反向恢复时间
热电阻(IGBT)
热电阻(二极管)
符号
I
GES
I
CES
V
GE ( OFF )
V
CE (SAT)
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
R
日(J -C )
R
日(J -C )
I
F
=
15 A,V
GE
=
0
I
F
=
15 A , di / dt的
= -100
A / MS
测试条件
V
GE
= ±20
V, V
CE
=
0
V
CE
=
600 V, V
GE
=
0
I
C
=
1.5毫安,V
CE
=
5 V
I
C
=
15 A,V
GE
=
15 V
V
CE
=
20 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
感性负载
V
CC
=
300 V,I
C
=
15 A
V
GG
=
15 V ,R
G
=
43
W
(Note1)
民
4.5
典型值。
1.75
2400
0.04
0.22
0.10
0.37
最大
±500
1.0
7.5
2.3
单位
nA
mA
V
V
pF
0.23
ms
2.0
200
1.79
3.45
V
ns
° C / W
° C / W
注1 :开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
0
-V
GE
I
C
R
G
V
CE
0
V
CE
10%
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
t
on
10%
10%
t
D(上)
t
r
10%
L
V
CC
I
C
90%
90%
90%
10%
注2 :开关损耗测量波形
V
GE
0
90%
10%
I
C
V
CE
5%
0
E
关闭
E
on
2
2002-01-18
GT15J331
I
C
– V
CE
50
20
共发射极
Tc
=
25°C
40
共发射极
V
CE
– V
GE
(V)
Tc
= -40°C
16
(A)
I
C
集电极 - 发射极电压
30
20
15
10
V
CE
12
30
集电极电流
15
8
20
9
10
4
VGE
=
8 V
IC
=
6 A
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
20
共发射极
20
共发射极
Tc
=
25°C
16
V
CE
– V
GE
(V)
(V)
Tc
=
125°C
16
V
CE
集电极 - 发射极电压
12
30
集电极 - 发射极电压
V
CE
12
30
15
8
15
8
4
IC
=
6 A
4
IC
=
6 A
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
– V
GE
30
4
共发射极
VCE
=
5 V
共发射极
V
CE (SAT)
TC =
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
VGE
=
15 V
3
30 A
(A)
集电极电流
I
C
20
2
15 A
IC
=
6 A
10
-40
1
Tc
=
125°C
25
0
0
4
8
12
16
20
0
-60
-20
20
60
100
140
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
壳温度
(°C)
3
2002-01-18
GT15J331
开关时间t
on
, t
r
– R
G
3
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
15 A
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
吨
3
开关时间t
on
, t
r
– I
C
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
43
W
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
吨
0.1
0.05
0.03
tr
(女士)
(女士)
t
on
, t
r
开关时间
1
0.5
0.3
1
0.5
0.3
开关时间
t
on
, t
r
0.1
0.05
0.03
tr
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
0.01
0
3
6
9
12
15
门阻抗R
G
(9)
集电极电流
I
C
(A)
开关时间t
关闭
, t
f
– R
G
3
3
开关时间t
关闭
, t
f
– I
C
(女士)
(女士)
1
0.5
0.3
花花公子
tf
0.1
0.05
0.03
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
15 A
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
3
10
30
100
300
1000
1
0.5
0.3
花花公子
tf
t
关闭
, t
f
开关时间
开关时间
t
关闭
, t
f
0.1
0.05
0.03
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
43
W
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
0
3
6
9
12
15
0.01
1
0.01
门阻抗R
G
(9)
集电极电流
I
C
(A)
开关损耗
10
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
15 A
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– R
G
10
开关损耗
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
43
W
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
Note2
E
on
, E
关闭
– I
C
(兆焦耳)
3
E
on
, E
关闭
E
on
, E
关闭
宙
EOFF
(兆焦耳)
1
1
开关损耗
开关损耗
0.3
宙
0.1
EOFF
0.1
0.03
1
3
10
30
100
300
1000
0.01
0
3
6
9
12
15
门阻抗R
G
(9)
集电极电流
I
C
(A)
4
2002-01-18
GT15J331
- V
CE
3000
资本投资者入境计划
500
共发射极
V
CE
, V
GE
– Q
G
20
(V)
16
(PF )
V
CE
300
集电极 - 发射极电压
电容C
300
300
200
12
100
卓越中心
共发射极
10
VGE
=
0
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
3
10
30
100
300
1000
3000
CRES
200
30
VCE
=
100 V
8
100
4
3
1
0
0
10
20
30
40
50
60
0
70
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
栅极电荷
Q
G
( NC )
I
F
-
V
F
30
100
共集电极
VGE
=
0
共集电极
的di / dt
= -100
A / MS
VGE
=
0
:TC
=
25°C
:TC
=
125°C
t
rr
, I
rr
-
IF
1000
25
(A)
(A)
反向恢复电流我
rr
正向电流I
F
20
15
Tc
=
125°C
10
25
-40
5
10
TRR
100
IRR
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
0
3
6
9
12
10
15
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(A)
安全工作区
50
30
集成电路最大值(脉冲) *
50
女士*
10毫秒*
50
30
反向偏置SOA
(A)
I
C
10最大IC
(连续)
5
3
DC
手术
(A)
10
5
3
100
女士*
集电极电流
1
*:
单身
非重复性脉冲
Tc
=
25°C
0.3
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.1
1
3
10
0.5
1毫秒*
集电极电流
I
C
1
0.5
0.3
Tj
& LT ;
125°C
=
VGE
=
15 V
RG
=
43
W
3
10
30
100
300
1000
30
100
300
1000
0.1
1
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
5
2002-01-18
反向恢复时间
TRR
(纳秒)
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
1000
RL
=
20
W
400锝
=
25°C
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