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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第51页 > GT10J321_06
GT10J321
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT10J321
高功率开关应用
快速开关应用
第四代IGBT
增强型模式
快速开关（ FS ） ：工作频率可达50千赫（参考）
高速：吨
f
= 0.03
μs
（典型值）。
低开关损耗：电子
on
= 0.26兆焦耳（典型值）。
: E
关闭
= 0.18兆焦耳（典型值）。
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 2.0 V（典型值）。
FRD包括发射极和集电极之间
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极
当前
集电极电流脉冲
二极管的正向电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
脉冲
@锝
=
100°C
@锝
=
25°C
@锝
=
100°C
@锝
=
25°C
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FP
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±25
5
10
20
10
20
11
29
150
55~150
单位
V
V
A
A
A
JEDEC
JEITA
―
―
2-10R1C
W
°C
°C
东芝
重量： 1.7克
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
热特性
特征
热电阻（IGBT）
热电阻（二极管）
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
最大
4.31
4.90
单位
° C / W
° C / W
等效电路
集热器
记号
门
辐射源
K2662
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
1
2006-11-01
GT10J321
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
导通延迟时间
上升时间
开关时间
开启时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
导通开关
损失
关断开关
损失
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
D（上）
t
r
t
on
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
E
on
E
关闭
V
F
t
rr
I
F
=
10 A，V
GE
=
0
I
F
=
10 A ， di / dt的
= 100
A / μs的
感性负载
V
CC
=
300 V，I
C
=
10 A
V
GG
= +15
V ，R
G
=
68
Ω
（注1 ）
（注2 ）
测试条件
V
GE
= ±25
V, V
CE
=
0
V
CE
=
600 V, V
GE
=
0
I
C
=
1毫安，V
CE
=
5 V
I
C
=
10 A，V
GE
=
15 V
V
CE
=
10 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
民
3.5
典型值。
2.0
1550
0.06
0.03
0.17
0.24
0.03
0.30
0.26
0.18
100
最大
±500
1.0
6.5
2.45
单位
nA
mA
V
V
pF
μs
开关损耗
mJ
2.0
V
ns
峰值正向电压
反向恢复时间
注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形
V
GE
0
V
GE
I
C
R
G
V
CE
0
V
CE
10%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
t
on
10%
10%
t
D（上）
t
r
10%
L
V
CC
I
C
90%
90%
90%
10%
注2 ：开关损耗测量波形
V
GE
0
90%
10%
I
C
V
CE
5%
0
E
关闭
E
on
2
2006-11-01
GT10J321
I
C
– V
CE
20
20
共发射极
Tc
=
25°C
V
CE
– V
GE
共发射极
(A)
16
20
12
15
10
V
CE
(V)
Tc
= 40°C
16
20
12
10
8
IC
=
5 A
集电极电流I
C
9
8
4
集电极 - 发射极电压
5
VGE
=
8 V
4
0
0
1
2
3
4
0
0
4
8
12
16
20
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
20
共发射极
20
V
CE
– V
GE
共发射极
V
CE
(V)
16
V
CE
(V)
Tc
=
25°C
Tc
=
125°C
16
集电极 - 发射极电压
12
20
10
8
IC
=
5 A
4
集电极 - 发射极电压
12
20
10
8
IC
=
5 A
4
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
I
C
– V
GE
20
4
共发射极
VCE
=
5 V
共发射极
V
CE （SAT）
TC =
20
15
10
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
(A)
16
VGE
=
15 V
3
集电极电流I
C
12
2
5
IC
=
2 A
8
Tc
=
125°C
4
25
0
0
40
8
12
16
20
1
4
0
60
20
20
60
100
140
栅极 - 发射极电压
V
GE
(V)
壳温度（ ° C）
3
2006-11-01
GT10J321
开关时间
10
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
10 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
t
D（上）
, t
r
, t
on
– R
G
10
开关时间
t
D（上）
, t
r
, t
on
– I
C
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
68
Ω
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
切换时间td （上），叔
on
, t
r
(s)
1
切换时间td （上），叔
r
, t
on
(s)
1
吨
0.1
TD （上）
tr
0.01
1
0.1
吨
TD （上）
tr
10
100
1000
0.01
0
2
4
6
8
10
栅极电阻
R
G
(Ω)
集电极电流I
C
(A)
开关时间
10
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
10 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
t
D（关闭）
, t
f
, t
关闭
– R
G
10
开关时间
t
D（关闭）
, t
f
, t
关闭
– I
C
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
68
Ω
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
花花公子
开关时间t
D（关闭）
, t
f
, t
关闭
(s)
1
开关时间t
D（关闭）
, t
f
, t
关闭
(s)
1
花花公子
0.1
TD （关闭）
tf
0.1
TD （关闭）
tf
0.01
1
10
100
1000
0.01
0
2
4
6
8
10
栅极电阻
R
G
(Ω)
集电极电流I
C
(A)
开关损耗
1
E
on
, E
关闭
– R
G
1
开关损耗
E
on
, E
关闭
– I
C
E
on
, E
关闭
（兆焦耳）
E
on
, E
关闭
（兆焦耳）
宙
宙
0.1
开关损耗
开关损耗
EOFF
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
IC
=
10 A
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
（注2 ）
0.1
共发射极
VCC
=
300 V
VGG
=
15 V
RG
=
68
Ω
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
（注2 ）
EOFF
0.01
1
10
100
1000
0.01
0
2
4
6
8
10
栅极电阻
R
G
(Ω)
集电极电流I
C
(A)
4
2006-11-01
GT10J321
- V
CE
10000
500
共发射极
V
CE
, V
GE
– Q
G
20
RL
=
30
Ω
Tc
=
25°C
V
CE
(V)
资本投资者入境计划
400
16
1000
集电极 - 发射极电压
电容C
300
200
VCE
=
100 V
100
200
4
8
100
共发射极
VGE
=
0
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
1
10
卓越中心
CRES
100
1000
0
0
20
40
60
0
80
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
栅极电荷q
G
（ NC ）
I
F
V
F
20
共集电极
VGE
=
0
16
1000
共集电极
的di / dt
= 100
A / μs的
VGE
=
0
：TC
=
25°C
：TC
=
125°C
TRR
100
t
rr
, I
rr
IF
100
12
Tc
=
125°C
8
25
4
40
0
0
10
IRR
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
0
2
4
6
8
1
10
正向电压V
F
(V)
正向电流I
F
(A)
安全工作区
100
100
反向偏置SOA
集成电路最大值（脉冲） *
(A)
集电极电流I
C
DC
手术
100
μs*
1
*:
单非重复性
脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
10
IC MAX（连续）
50
μs*
(A)
10
1
Tj
＆ LT ;
125°C
=
VGE
=
15 V
RG
=
68
Ω
1毫秒*
10毫秒*
1000
0.1
1
10
100
1000
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
5
2006-11-01
反向恢复电流我
rr
(A)
正向电流I
F
反向恢复时间
TRR （ NS ）
(A)
栅极 - 发射极电压
300
12
V
GE
(V)
（PF ）
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GS881Z36BD-300
G53AD-DC9
GBU8M
GC160A48-AD1
GS8320EV32GT-250
GN1010
GLT441M08-35P
供货商
型号
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批号
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GT10J321_06
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