【东芝初步东芝绝缘栅双极晶体管硅N Chanenel IGBTGT10J321GT10J321高功率开】,IC型号GT10J321,GT10J321 PDF资料,GT10J321经销商,ic,电子元器件-51电子网

东芝

初步

东芝绝缘栅双极晶体管硅N Chanenel IGBT

GT10J321

高功率开关应用

快速开关应用

●　

第4代

增强型

快速开关（ FS ）

：工作频率高达150kHz的（参考）

●　

:t

f

=0.03μs(typ.)

高速

●　

低开关损耗：电子

on

=0.26mJ(typ.)

:E

关闭

=0.18mJ(typ.)

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

=2.0V(typ.)

FRD包括发射极和集电极之间

最大额定值（Ta = 25℃）

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

发射极 - 集电极

正向电流

集电极耗散功率

(Tc=25℃)

结温

存储温度范围

DC

1ms

DC

1ms

符号

评级

单位

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

I

F

I

FM

P

C

T

j

T

英镑

600

±20

10

20

10

20

29

150

-55½150

V

A

W

℃

2001-6-

1/6

东芝

初步

电气特性（Ta = 25℃）

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和volatage

输入电容

导通延迟时间

上升时间

开关时间

开启时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

开关损耗

导通开关损耗

关断开关损耗

符号

测试条件

民

GT10J321

典型值。

最大

±500

单位

I

GES

I

CES

V

GE （关闭）

V

CE （ SAT ）

C

IES

t

D（上）

t

r

t

on

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

E

on

E

关闭

V

F

t

rr

R

日（J -C ）

R

日（J -C ）

V

GE

=±20V,V

CE

=0

V

CE

=600V,V

GE

=0

I

C

=1mA,V

CE

=5V

I

C

=10A,V

GE

=15V

V

CE

=10V,V

GE

=0,f=1MHz

感性负载

V

CC

=300V,I

C

=10A

V

GG

=+15V,R

G

=68Ω

（注1 ）

（注2 ）

-

3.5

-

2.0

1500

0.06

0.03

0.17

0.24

0.03

0.30

0.26

0.18

-

1.0

6.5

2.45

-

0.15

-

2.0

200

nA

mA

V

pF

μs

mJ

V

ns

峰值正向电压

反向恢复时间

热电阻（IGBT）

热电阻（二极管）

I

F

=10A,V

GE

=0

I

F

=10A,di/dt=-100A/μs

―

4.31

℃/W

4.90

℃/W

2001-6-

2/6

东芝

GT10J321

参考

I

C

- V

CE

VCE - VGE

20

集电极 - 发射极电压Vce （ V）

共发射极

TC = 25 ？

常见

Emitte

TC = 25 ？

15

10

20

16

集电极电流I

C

(A)

16

12

20

9

8

10

4

I

C

= 5A

V

GE

= 8V

0

1

2

3

4

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

5

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极间电压VGE （V）的

V

CE

- V

GE

20

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

共发射极

TC = -40 ℃

共发射极

TC = 125 ℃

20

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

V

CE

- V

GE

16

12

20

10

I

C

= 5A

20

8

10

4

I

C

= 5A

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

20

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

20

I

C

- V

GE

共发射极

V

CE

= 5V

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

20

4

V

CE （ SAT ）

- T

c

共发射极

V

GE

= 15V

20

15

10

16

集电极电流I

C

(A)

3

12

2

5

I

C

= 2A

8

125

TC = 25 ？

-40

4

1

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

20

0

-60

-20

20

60

100

案例温度T

c

(℃)

140

2001-6-

3/6

东芝

GT10J321

参考

10

开关时间t

on

, t

r

, t

D（上）

　(μs)

开关

时间

t

on

,

,t

r

,

,t

D（上）

-

- R

G

开关

时间

on

t t

D（上）

R

G

开关时间t

on

, t

r

, t

D（上）

　(μs)

共发射极

V

CC

=300V

V

GG

=15V

I

C

=10A

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

（Note1）

10

开关

时间

t

on

,t

r

,

r

,t

D（上）

-

C

I

C

开关

时间

on

, t t

D（上）

I

共发射极

V

CC

=300V

　　　　　：Tc=25℃

V

GG

=15V

　　　　　：Tc=125℃

R

G

=68Ω

（注1）

1

0.1

t

on

t

D（上）

t

r

0.1

t

on

t

D（上）

t

r

0.01

1

10

100

门阻抗R

G

　(Ω)

1000

0.01

0

2

4

6

集电极电流I

C

　(A)

8

10

开关时间t

关闭

, t

f

t

D（关闭）

　(μs)

开关时间

关闭

,

f

,t

D（关闭）

-

开关时间

t

关闭

t

,t

,

f

t

D（关闭）

- R

G

R

G

共发射极

V

CC

=300V

V

GG

=15V

I

C

=10A

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

（Note1）

10

开关时间t

关闭

, t

f

, t

D（关闭）

　(μs)

开关时间t

关闭

t

,t

,

f

t

D（关闭）

-

- I

C

SWITC我

h

关闭

,

f

,t

D（关闭）

I

C

エミッタ接地

共发射极

V

CC

=300V

　　　　　：Tc=25℃

V

CC

　　　　　：Tc=25℃

V

GG

V

GG

=15V

　　　　　：Tc=125℃

R

G

R

G

=68Ω

（注1）

1

t

关闭

t

D（关闭）

0.1

t

关闭

0.1

t

D（关闭）

t

f

t

f

0.01

1

10

100

门阻抗R

G

　(Ω)

切换损失ê

on

, E

关闭

- R

G

1000

0

2

4

6

集电极电流I

C

　(A)

8

10

1

切换损失ê

on

, E

关闭

（兆焦耳）

1

切换损失ê

on

, E

关闭

- I

C

E

on

0.1

切换损失ê

on

, E

关闭

（兆焦耳）

E

on

E

关闭

0.1

0.01

1

共发射极

V

CC

=300V

V

GG

=15V

I

C

=10A

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

（Note2）

E

关闭

0.01

0

2

共发射极

V

CC

=300V

V

GG

=15V

R

G

=68Ω

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

（Note2）

10

100

门rtesistance

G

　(Ω)

1000

4

6

8

集电极电流I

C

　(A)

10

2001-6-

4/6

东芝

GT10J321

参考

C-V

CE

10000

500

V

CE

, V

GE

- Q

G

共发射极

R

L

=30Ω

Tc=25℃

20

400

16

1000

300

V

CE

=300V

12

200

8

100

共发射极

V

GE

=0

f=1MHz

Tc=25℃

C

OES

200

100

4

C

水库

1000

10

0.1

1

10

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

0

20

40

60

门chrage Q

G

（ NC ）

80

0

20

共集电极

V

GE

=0

I

F

-V

F

100

反向恢复电流我

rr

　(A)

共集电极

di/dt=-100A/μs

V

GE

=0

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

t

rr

, I

rr

- I

F

1000

16

正向电流I

F

(A)

12

125℃

-40℃

t

rr

10

100

I

rr

8

4

Tc=25℃

0

0.4

0.8

1.2

正向电压V

F

(V)

1.6

2

1

0

2

4

6

8

10

正向电流I

F

　(A)

反向偏置SOA

100

安全OPERAT

i

安全工作区

100

IC MAX （脉冲）

*

集电极电流I

C

(A)

IC MAX（连续）

5 0

μ

s

*

10

1 0 0

μ

s

*

集电极电流I

C

(A)

10

DC

手术

1毫秒

*

1

*单

不重复

脉冲TC = 25 ℃

曲线一定要散瞳

线性地增加

温度。

*

1 0毫秒

*

1

Tj≦125℃

V

GE

=15V

R

G

=68Ω

0.1

1

10

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

1000

0.1

1

10

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

1000

2001-6-

5/6

反向恢复时间吨

rr

φ （ NS ）

栅极 - 发射极电压V

GE

　(V)

C

IES

电容C （PF ）

集电极 - 发射极电压V

CE

　(V)

东芝

初步

东芝绝缘栅双极晶体管硅N Chanenel IGBT

GT10J321

高功率开关应用

快速开关应用

●　

第4代

增强型

快速开关（ FS ）

：工作频率高达150kHz的（参考）

●　

:t

f

=0.03μs(typ.)

高速

●　

低开关损耗：电子

on

=0.26mJ(typ.)

:E

关闭

=0.18mJ(typ.)

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

=2.0V(typ.)

FRD包括发射极和集电极之间

最大额定值（Ta = 25℃）

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

发射极 - 集电极

正向电流

集电极耗散功率

(Tc=25℃)

结温

存储温度范围

DC

1ms

DC

1ms

符号

评级

单位

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

I

F

I

FM

P

C

T

j

T

英镑

600

±20

10

20

10

20

29

150

-55½150

V

A

W

℃

2001-6-

1/6

东芝

初步

电气特性（Ta = 25℃）

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和volatage

输入电容

导通延迟时间

上升时间

开关时间

开启时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

开关损耗

导通开关损耗

关断开关损耗

符号

测试条件

民

GT10J321

典型值。

最大

±500

单位

I

GES

I

CES

V

GE （关闭）

V

CE （ SAT ）

C

IES

t

D（上）

t

r

t

on

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

E

on

E

关闭

V

F

t

rr

R

日（J -C ）

R

日（J -C ）

V

GE

=±20V,V

CE

=0

V

CE

=600V,V

GE

=0

I

C

=1mA,V

CE

=5V

I

C

=10A,V

GE

=15V

V

CE

=10V,V

GE

=0,f=1MHz

感性负载

V

CC

=300V,I

C

=10A

V

GG

=+15V,R

G

=68Ω

（注1 ）

（注2 ）

-

3.5

-

2.0

1500

0.06

0.03

0.17

0.24

0.03

0.30

0.26

0.18

-

1.0

6.5

2.45

-

0.15

-

2.0

200

nA

mA

V

pF

μs

mJ

V

ns

峰值正向电压

反向恢复时间

热电阻（IGBT）

热电阻（二极管）

I

F

=10A,V

GE

=0

I

F

=10A,di/dt=-100A/μs

―

4.31

℃/W

4.90

℃/W

2001-6-

2/6

东芝

GT10J321

参考

I

C

- V

CE

VCE - VGE

20

集电极 - 发射极电压Vce （ V）

共发射极

TC = 25 ？

常见

Emitte

TC = 25 ？

15

10

20

16

集电极电流I

C

(A)

16

12

20

9

8

10

4

I

C

= 5A

V

GE

= 8V

0

1

2

3

4

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

5

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极间电压VGE （V）的

V

CE

- V

GE

20

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

共发射极

TC = -40 ℃

共发射极

TC = 125 ℃

20

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

V

CE

- V

GE

16

12

20

10

I

C

= 5A

20

8

10

4

I

C

= 5A

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

20

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

20

I

C

- V

GE

共发射极

V

CE

= 5V

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

20

4

V

CE （ SAT ）

- T

c

共发射极

V

GE

= 15V

20

15

10

16

集电极电流I

C

(A)

3

12

2

5

I

C

= 2A

8

125

TC = 25 ？

-40

4

1

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

20

0

-60

-20

20

60

100

案例温度T

c

(℃)

140

2001-6-

3/6

东芝

GT10J321

参考

10

开关时间t

on

, t

r

, t

D（上）

　(μs)

开关

时间

t

on

,

,t

r

,

,t

D（上）

-

- R

G

开关

时间

on

t t

D（上）

R

G

开关时间t

on

, t

r

, t

D（上）

　(μs)

共发射极

V

CC

=300V

V

GG

=15V

I

C

=10A

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

（Note1）

10

开关

时间

t

on

,t

r

,

r

,t

D（上）

-

C

I

C

开关

时间

on

, t t

D（上）

I

共发射极

V

CC

=300V

　　　　　：Tc=25℃

V

GG

=15V

　　　　　：Tc=125℃

R

G

=68Ω

（注1）

1

0.1

t

on

t

D（上）

t

r

0.1

t

on

t

D（上）

t

r

0.01

1

10

100

门阻抗R

G

　(Ω)

1000

0.01

0

2

4

6

集电极电流I

C

　(A)

8

10

开关时间t

关闭

, t

f

t

D（关闭）

　(μs)

开关时间

关闭

,

f

,t

D（关闭）

-

开关时间

t

关闭

t

,t

,

f

t

D（关闭）

- R

G

R

G

共发射极

V

CC

=300V

V

GG

=15V

I

C

=10A

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

（Note1）

10

开关时间t

关闭

, t

f

, t

D（关闭）

　(μs)

开关时间t

关闭

t

,t

,

f

t

D（关闭）

-

- I

C

SWITC我

h

关闭

,

f

,t

D（关闭）

I

C

エミッタ接地

共发射极

V

CC

=300V

　　　　　：Tc=25℃

V

CC

　　　　　：Tc=25℃

V

GG

V

GG

=15V

　　　　　：Tc=125℃

R

G

R

G

=68Ω

（注1）

1

t

关闭

t

D（关闭）

0.1

t

关闭

0.1

t

D（关闭）

t

f

t

f

0.01

1

10

100

门阻抗R

G

　(Ω)

切换损失ê

on

, E

关闭

- R

G

1000

0

2

4

6

集电极电流I

C

　(A)

8

10

1

切换损失ê

on

, E

关闭

（兆焦耳）

1

切换损失ê

on

, E

关闭

- I

C

E

on

0.1

切换损失ê

on

, E

关闭

（兆焦耳）

E

on

E

关闭

0.1

0.01

1

共发射极

V

CC

=300V

V

GG

=15V

I

C

=10A

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

（Note2）

E

关闭

0.01

0

2

共发射极

V

CC

=300V

V

GG

=15V

R

G

=68Ω

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

（Note2）

10

100

门rtesistance

G

　(Ω)

1000

4

6

8

集电极电流I

C

　(A)

10

2001-6-

4/6

东芝

GT10J321

参考

C-V

CE

10000

500

V

CE

, V

GE

- Q

G

共发射极

R

L

=30Ω

Tc=25℃

20

400

16

1000

300

V

CE

=300V

12

200

8

100

共发射极

V

GE

=0

f=1MHz

Tc=25℃

C

OES

200

100

4

C

水库

1000

10

0.1

1

10

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

0

20

40

60

门chrage Q

G

（ NC ）

80

0

20

共集电极

V

GE

=0

I

F

-V

F

100

反向恢复电流我

rr

　(A)

共集电极

di/dt=-100A/μs

V

GE

=0

　　　　：Tc=25℃

　　　　：Tc=125℃

t

rr

, I

rr

- I

F

1000

16

正向电流I

F

(A)

12

125℃

-40℃

t

rr

10

100

I

rr

8

4

Tc=25℃

0

0.4

0.8

1.2

正向电压V

F

(V)

1.6

2

1

0

2

4

6

8

10

正向电流I

F

　(A)

反向偏置SOA

100

安全OPERAT

i

安全工作区

100

IC MAX （脉冲）

*

集电极电流I

C

(A)

IC MAX（连续）

5 0

μ

s

*

10

1 0 0

μ

s

*

集电极电流I

C

(A)

10

DC

手术

1毫秒

*

1

*单

不重复

脉冲TC = 25 ℃

曲线一定要散瞳

线性地增加

温度。

*

1 0毫秒

*

1

Tj≦125℃

V

GE

=15V

R

G

=68Ω

0.1

1

10

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

1000

0.1

1

10

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

1000

2001-6-

5/6

反向恢复时间吨

rr

φ （ NS ）

栅极 - 发射极电压V

GE

　(V)

C

IES

电容C （PF ）

集电极 - 发射极电压V

CE

　(V)

GT10J321

东芝绝缘栅双极晶体管

硅N沟道IGBT

GT10J321

高功率开关应用

快速开关应用

第四代IGBT

增强型模式

快速开关（ FS ）：工作频率可达50千赫（参考）

高速：吨

f

= 0.03

μs

（典型值）。

低开关损耗：电子

on

= 0.26兆焦耳（典型值）。

: E

关闭

= 0.18兆焦耳（典型值）。

低饱和电压： V

CE （SAT）

= 2.0 V（典型值）。

FRD包括发射极和集电极之间

单位：mm

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

连续集电极

当前

集电极电流脉冲

二极管的正向电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

DC

脉冲

@锝

=

100°C

@锝

=

25°C

@锝

=

100°C

@锝

=

25°C

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

I

F

I

FP

P

C

T

j

T

英镑

等级

600

±25

5

10

20

10

20

11

29

150

55~150

单位

V

A

JEDEC

JEITA

―

2-10R1C

W

°C

东芝

重量： 1.7克

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

热特性

特征

热电阻（IGBT）

热电阻（二极管）

符号

R

日（J -C ）

R

日（J -C ）

最大

4.31

4.90

单位

° C / W

等效电路

集热器

记号

门

辐射源

K2662

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

1

2006-11-01

GT10J321

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

导通延迟时间

上升时间

开关时间

开启时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

导通开关

损失

关断开关

损失

符号

I

GES

I

CES

V

GE （ OFF ）

V

CE （SAT）

C

IES

t

D（上）

t

r

t

on

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

E

on

E

关闭

V

F

t

rr

I

F

=

10 A，V

GE

=

0

I

F

=

10 A ， di / dt的

= 100

A / μs的

感性负载

V

CC

=

300 V，I

C

=

10 A

V

GG

= +15

V ，R

G

=

68

Ω

（注1 ）

（注2 ）

测试条件

V

GE

= ±25

V, V

CE

=

0

V

CE

=

600 V, V

GE

=

0

I

C

=

1毫安，V

CE

=

5 V

I

C

=

10 A，V

GE

=

15 V

V

CE

=

10 V, V

GE

=

0, f

=

1兆赫

民

3.5

典型值。

2.0

1550

0.06

0.03

0.17

0.24

0.03

0.30

0.26

0.18

100

最大

±500

1.0

6.5

2.45

单位

nA

mA

V

pF

μs

开关损耗

mJ

2.0

V

ns

峰值正向电压

反向恢复时间

注1 ：开关时间测量电路和输入/输出波形

V

GE

0

V

GE

I

C

R

G

V

CE

0

V

CE

10%

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

t

on

10%

t

D（上）

t

r

10%

L

V

CC

I

C

90%

10%

注2 ：开关损耗测量波形

V

GE

0

90%

10%

I

C

V

CE

5%

0

E

关闭

E

on

2

2006-11-01

GT10J321

I

C

– V

CE

20

共发射极

Tc

=

25°C

V

CE

– V

GE

共发射极

(A)

16

20

12

15

10

V

CE

(V)

Tc

= 40°C

16

20

12

10

8

IC

=

5 A

集电极电流I

C

9

8

4

集电极 - 发射极电压

5

VGE

=

8 V

4

0

1

2

3

4

0

4

8

12

16

20

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

V

CE

– V

GE

20

共发射极

20

V

CE

– V

GE

共发射极

V

CE

(V)

16

V

CE

(V)

Tc

=

25°C

Tc

=

125°C

16

集电极 - 发射极电压

12

20

10

8

IC

=

5 A

4

集电极 - 发射极电压

12

20

10

8

IC

=

5 A

4

0

4

8

12

16

20

0

4

8

12

16

20

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

I

C

– V

GE

20

4

共发射极

VCE

=

5 V

共发射极

V

CE （SAT）

TC =

20

15

10

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

(A)

16

VGE

=

15 V

3

集电极电流I

C

12

2

5

IC

=

2 A

8

Tc

=

125°C

4

25

0

40

8

12

16

20

1

4

0

60

20

60

100

140

栅极 - 发射极电压

V

GE

(V)

壳温度（ ° C）

3

2006-11-01

GT10J321

开关时间

10

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

=

15 V

IC

=

10 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

t

D（上）

, t

r

, t

on

– R

G

10

开关时间

t

D（上）

, t

r

, t

on

– I

C

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

=

15 V

RG

=

68

Ω

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

切换时间td （上），叔

on

, t

r

(s)

1

切换时间td （上），叔

r

, t

on

(s)

1

吨

0.1

TD （上）

tr

0.01

1

0.1

吨

TD （上）

tr

10

100

1000

0.01

0

2

4

6

8

10

栅极电阻

R

G

(Ω)

集电极电流I

C

(A)

开关时间

10

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

=

15 V

IC

=

10 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

t

D（关闭）

, t

f

, t

关闭

– R

G

10

开关时间

t

D（关闭）

, t

f

, t

关闭

– I

C

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

=

15 V

RG

=

68

Ω

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

花花公子

开关时间t

D（关闭）

, t

f

, t

关闭

(s)

1

开关时间t

D（关闭）

, t

f

, t

关闭

(s)

1

花花公子

0.1

TD （关闭）

tf

0.1

TD （关闭）

tf

0.01

1

10

100

1000

0.01

0

2

4

6

8

10

栅极电阻

R

G

(Ω)

集电极电流I

C

(A)

开关损耗

1

E

on

, E

关闭

– R

G

1

开关损耗

E

on

, E

关闭

– I

C

E

on

, E

关闭

（兆焦耳）

E

on

, E

关闭

（兆焦耳）

宙

0.1

开关损耗

EOFF

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

=

15 V

IC

=

10 A

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

（注2 ）

0.1

共发射极

VCC

=

300 V

VGG

=

15 V

RG

=

68

Ω

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

（注2 ）

EOFF

0.01

1

10

100

1000

0.01

0

2

4

6

8

10

栅极电阻

R

G

(Ω)

集电极电流I

C

(A)

4

2006-11-01

GT10J321

- V

CE

10000

500

共发射极

V

CE

, V

GE

– Q

G

20

RL

=

30

Ω

Tc

=

25°C

V

CE

(V)

资本投资者入境计划

400

16

1000

集电极 - 发射极电压

电容C

300

200

VCE

=

100 V

100

200

4

8

100

共发射极

VGE

=

0

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

10

0.1

1

10

卓越中心

CRES

100

1000

0

20

40

60

0

80

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

栅极电荷q

G

（ NC ）

I

F

V

F

20

共集电极

VGE

=

0

16

1000

共集电极

的di / dt

= 100

A / μs的

VGE

=

0

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

TRR

100

t

rr

, I

rr

IF

100

12

Tc

=

125°C

8

25

4

40

0

10

IRR

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

10

0

2

4

6

8

1

10

正向电压V

F

(V)

正向电流I

F

(A)

安全工作区

100

反向偏置SOA

集成电路最大值（脉冲） *

(A)

集电极电流I

C

DC

手术

100

μs*

1

*:

单非重复性

脉冲

Tc

=

25°C

曲线必须降低

线性地增加

温度。

0.1

1

10

100

集电极电流I

C

10

IC MAX（连续）

50

μs*

(A)

10

1

Tj

＆ LT ;

125°C

=

VGE

=

15 V

RG

=

68

Ω

1毫秒*

10毫秒*

1000

0.1

1

10

100

1000

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

5

2006-11-01

反向恢复电流我

rr

(A)

正向电流I

F

反向恢复时间

TRR （ NS ）

(A)

栅极 - 发射极电压

300

12

V

GE

(V)

（PF ）