无铅电镀产品
颁发日期： 2005年8月1日
修改日期： 2005/ 09 / 29B
GSS4957
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
24m
-7.7A
该GSS4957提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备的设计，超的最佳组合
低导通电阻和成本效益。
*低导通电阻
*简单的驱动要求
*双P MOSFET封装
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0C
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8C
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45 C
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
-30
f 20
-7.7
-6.1
-30
2
0.016
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
连续漏电流
3
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
62.5
单位
/W
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颁发日期： 2005年8月1日
修改日期： 2005/ 09 / 29B
电气特性（ TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编）
分钟。
-30
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.02
-
12
-
-
-
20
30
27
5
18
14
11
38
25
1670
530
435
3
马克斯。
-
-
-3.0
-
D
100
-1
-25
24
36
45
-
-
-
-
-
-
2670
-
-
4.5
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
参考25 ：我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-7A
20V
V
GS
= D
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-7A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
I
D
=-7A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
35
34
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= -1.7A ，V
GS
= 0V ， TJ = 25 ：
I
S
= -7A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
反向恢复电荷
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 135 ： /安装在分当W 。铜垫。
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图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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