无铅电镀产品
颁发日期: 2006/01/19
修改日期: 2006/11 / 09D
GSS4953
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
53m
-5A
该GSS4953提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用,并适用
对于低电压应用,如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速切换
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0°
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8°
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
连续漏电流
漏电流脉冲
2
总功耗
1
线性降额因子
工作结存储温度范围
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
-30
±16
-5
-4
-20
2
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
1
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
62.5
单位
: /W
GSS4953
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颁发日期: 2006/01/19
修改日期: 2006/11 / 09D
图13.归瞬态热阻抗曲线
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