无铅电镀产品
颁发日期： 2006/04/27
修订日期：
GSS4816S
双N沟道MOSFET和肖特基二极管
该GSS4816S提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计的最佳组合，
低导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用，并适用
对于低电压应用，如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
* DC-DC转换器适用
*快速开关性能
描述
CH1 BV
DSS
30V
N沟道
R
DS （ ON）
22m
N沟道
I
D
6.7A
CH2 BV
DSS
30V
N沟道
R
DS （ ON）
13m
N沟道
I
D
11.5A
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0°
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8°
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
CH-1
CH-2
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
30
±20
6.7
5.3
30
1.4
0.01
30
±20
11.5
9.2
40
2.4
0.02
-55 ~ +150
热数据
参数
热阻结到环境
3
热阻结到环境
3
热阻结到环境
3
符号
Rthj-a(CH-1)
Rthj-a(CH-2)
Rthj -一（
肖特基
)
价值
典型值。
70
42
52
马克斯。
90
53
60
单位
: /W
: /W
: /W
GSS4816S
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颁发日期： 2006/04/27
修订日期：
CH-1的电气特性（环境温度为25：除非另有规定）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
30
-
1.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
10
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
3.0
-
±100
1
25
22
30
18
-
-
-
-
-
-
1250
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
= ±20V
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
I
D
=6A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
V
GS
=10
R
G
=3.3
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11
3
7
9
7
22
7
780
180
140
1.25
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
15
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= 6A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T
10sec.
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