添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第334页 > GSS4532
无铅电镀产品
颁发日期: 2005/07/01
修改日期: 2005/ 09 / 29B
GSS4532
N和P沟道增强型功率MOSFET
该GSS4532提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用,并适用
对于低电压应用,如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速切换
描述
N-CH BV
DSS
30V
N沟道
R
DS ( ON)
50m
N沟道
I
D
5A
P- CH BV
DSS
-30V
N沟道
R
DS ( ON)
70m
N沟道
I
D
-4A
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0C
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8C
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45 C
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,4
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
N沟道P沟道
单位
V
V
A
A
A
W
W/
30
f 20
5
4
20
2.0
0.016
-30
f 20
-4
-3.2
-20
-55 ~ +150
热数据
参数
热阻结到环境
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
62.5
单位
/W
GSS4532
PAGE : 1/9
颁发日期: 2005/07/01
修改日期: 2005/ 09 / 29B
N沟道电气特性( TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编)
典型值。
-
0.037
-
8
-
-
-
-
-
10.2
1.2
3.4
6
9
15
5.5
240
145
55
马克斯。
-
-
3.0
-
D
100
1
25
50
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=5A
20V
V
GS
= D
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4.2A
I
D
=5A
V
DS
=10V
V
GS
=10V
V
DS
=10V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
G
=6
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
30
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 55 : )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流(
体二极管
)
脉冲源电流(
体二极管
)
1
符号
V
SD
I
S
I
SM
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
1.2
1.7
20
单位
V
A
A
测试条件
I
S
= 1.7A ,V
GS
= 0V , TJ = 25 :
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.2V
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面安装在FR4板,T
10sec.
4,脉冲宽度为10μs ,占空比1 % 。
GSS4532
PAGE : 2/9
颁发日期: 2005/07/01
修改日期: 2005/ 09 / 29B
P沟道电气特性( TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编)
典型值。
-
-0.028
-
5
-
-
-
-
-
18.3
3.6
1.5
8
9
21
10
760
345
90
马克斯。
-
-
-3.0
-
D
100
-1
-25
70
90
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
参考25 :我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-4A
20V
V
GS
= D
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ,我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3A
I
D
=-4A
V
DS
=-10V
V
GS
=-10V
V
DS
=-10V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
G
=6
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
-30
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 55 : )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流(
体二极管
)
脉冲源电流(
体二极管
)
1
符号
V
SD
I
S
I
SM
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
-1.2
-1.7
-20
单位
V
A
A
测试条件
I
S
= -1.7A ,V
GS
= 0V , TJ = 25 :
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.2V
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面安装在FR4板,T
10sec.
4,脉冲宽度为10μs ,占空比1 % 。
GSS4532
PAGE : 3/9
颁发日期: 2005/07/01
修改日期: 2005/ 09 / 29B
特性曲线N沟道
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.最大漏极电流
V.S.外壳温度
GSS4532
图6.输入功率耗散
PAGE : 4/9
颁发日期: 2005/07/01
修改日期: 2005/ 09 / 29B
N沟道
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图11.正向特性
反向二极管
GSS4532
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
PAGE : 5/9
查看更多GSS4532PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    GSS4532
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
GSS4532
GTM
21+
26785
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
GSS4532
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10064
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多GSS4532供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!