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无铅电镀产品
颁发日期： 2005年7月29日
修改日期： 2005/ 09 / 29B
GSS4503
N和P沟道增强型功率MOSFET
该GSS4503提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用，并适用
对于低电压应用，如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关性能
描述
N-CH BV
DSS
30V
N沟道
R
DS （ ON）
28m
N沟道
I
D
6.9A
P- CH BV
DSS
-30V
N沟道
R
DS （ ON）
36m
N沟道
I
D
-6.3A
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0C
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8C
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45 C
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
评级
N沟道P沟道
单位
V
V
A
A
A
W
W/
30
f 20
6.9
5.5
30
2.0
0.016
-30
f 20
-6.3
-5.0
-30
-55 ~ +150
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj -A
价值
62.5
单位
/W
GSS4503
页： 1/7
颁发日期： 2005年7月29日
修改日期： 2005/ 09 / 29B
N沟道电气特性（ TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编）
典型值。
-
0.005
-
5.7
-
-
-
-
-
9
2
6
8
7
19
6
610
160
120
马克斯。
-
-
3.0
-
D
100
1
25
28
42
15
-
-
-
-
-
-
970
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 ：我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
20V
V
GS
= D
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
I
D
=6A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
G
=3.3
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
30
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
18
11
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 6A ，V
GS
= 0V ， TJ = 25 ：
I
S
= 6A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 135 ： /安装在分当W 。铜垫。
GSS4503
页： 2/7
颁发日期： 2005年7月29日
修改日期： 2005/ 09 / 29B
P沟道电气特性（ TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编）
典型值。
-
-0.004
-
5.8
-
-
-
-
-
15
3
9
12
8
42
34
960
300
220
马克斯。
-
-
-3.0
-
D
100
-1
-25
36
55
24
-
-
-
-
-
-
1540
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
参考25 ：我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-6A
20V
V
GS
= D
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
I
D
=-6A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
-30
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ： ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
24
18
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= -6A ，V
GS
= 0V ， TJ = 25 ：
I
S
= -6A ，V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 135 ： /安装在分当W 。铜垫。
GSS4503
页次： 3/7
颁发日期： 2005年7月29日
修改日期： 2005/ 09 / 29B
特性曲线N沟道
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
GSS4503
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
页： 4/7
颁发日期： 2005年7月29日
修改日期： 2005/ 09 / 29B
N沟道
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
GSS4503
图12.栅极电荷波形
页： 5/7
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