GSOT05CL-V
威世半导体
两线ESD保护的SOT- 23
特点
两线ESD保护器件
2
1
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 30 kV接触放电
± 30 kV空气放电
节省空间的SOT- 23封装
20456
3
20512
1
AEC- Q101标准
E3 - 锡
符合RoHS指令2002/95 / EC和
按照WEEE指令2002/96 / EC
记号
（例如只）
XX
XX
20357
YYY
YYY =类型代码（见下表）
XX =日期代码
订购信息
设备名称
GSOT05CL-V
环境的
状态
标准
绿色
订购代码
GSOT05CL-V-GS08
GSOT05CL-V-G-08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
3000
最小订单
QUANTITY
15 000
包数据
设备
名字
包装型环境
名字
CODE
状态
5CL
CLG
标准
绿色
重量
8.8毫克
8.1毫克
造型
复合
FL可燃性
等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
焊接
条件
GSOT05CL-V
SOT-23
MSL等级1
260 ℃/ 10秒，在终端
（根据J- STD- 020 ）
绝对最大额定值GSOT05CL -V
参数
测试条件
引脚1到3针2 3
ACC 。 IEC 61000-4-5 ，T
p
= 8/20微秒;单发
引脚1到2个或2脚为1 ; 3脚没有连接
ACC 。 IEC 61000-4-5 ，T
p
= 8/20微秒;单发
引脚1到3针2 3
ACC 。 IEC 61000-4-5 ，T
p
= 8/20微秒;单发
引脚1到2个或2脚为1 ; 3脚没有连接
ACC 。 IEC 61000-4-5 ，T
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
价值
13
I
PPM
13
156
P
PP
156
V
ESD
T
J
T
英镑
± 30
± 30
- 40至+ 125
- 55至+ 150
W
kV
kV
°C
°C
A
W
单位
A
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 85182
修订版1.2 ， 01 - 10年7月
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
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1
GSOT05CL-V
威世半导体
两线ESD保护的SOT- 23
偏置模式
（ 2线双向非对称保护模式）
与GSOT05CL -V 2信号 - 或数据线（L1 ， L2），可以被保护免受电压瞬变。与3脚相连
地面和引脚1和2连接到一个信号 - 或数据线有受到保护。只要在该电压电平
数据或信号线之间是0V（地电平）和指定的最大反向工作电压（V
RWM
）保护
引脚2和3之间以及与报价之间的引脚1引脚3高隔离地线二极管。该保护装置
如同一个打开的开关。
只要任何积极的瞬态电压信号超过通过保护二极管的电压等级的突破，二极管
变为导通和短路过渡电流接地。现在，保护装置的作用类似于闭合的开关。该
钳位电压（V
C
）由击穿电压（所限定的V
BR
）电平加在串联阻抗上的电压降
保护装置的（电阻和电感） 。
任何负瞬态信号将相应地夹紧。负瞬态电流流动的正向方向
保护二极管。低正向电压（V
F
）钳位负瞬态接近地电平。
由于不同的钳位电平在正向和反向方向上的GSOT05CL -V的夹紧行为是双向的，并且
非对称（ BIAS ） 。
L1
L2
2
1
3
BIAS
20358
地
如果需要更高的浪涌电流或峰值脉冲电流（I
PP
）是需要的，这两个保护二极管在GSOTxxC也可以在使用
平行以“双重”的性能。
这提供了：
双浪涌功率=双峰值脉冲电流（ 2 ×1
PPM
)
半年线电感=降低钳位电压
半年线阻力=降低钳位电压
双线路电容（ 2乘C
D
)
双反向漏电流（ 2 ×1
R
)
L1
2
1
3
地
20359
电气特性GSOT05CLV
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= 5.5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 13 A
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 30 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 2.5V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
V
F
C
D
分钟。
-
5.5
-
6
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
6.1
-
6.75
6.9
10
1
2.6
100
60
马克斯。
1
7
1
-
9
12
1.3
3
120
-
单位
线
V
μA
V
V
V
V
V
pF
pF
记
偏置模式（引脚1之间引脚3脚或2：1 ）
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如有技术问题，请联系：
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文档编号： 85182
修订版1.2 ， 01 - 10年7月
GSOT05CL-V
两线ESD保护的SOT- 23
威世半导体
BiSy模式
（ 1线双向对称的保护模式）
如果需要的双极对称的保护装置的GSOT05CL -V也可以用作为单一线路保护装置。
因此，销1具有被连接到所述信号 - 或数据线（L1）和第2脚接地（或反之亦然）。 3脚不得
连接。
正和负的电压瞬变将被钳位以相同的方式。夹紧电流通过GSOT05CL -V族
通过在向前方向上的一个二极管和另一个在相反的方向。钳位电压（V
C
）被定义
击穿电压（V
BR
）电平的一个二极管的加其它二极管的正向电压加在串联的电压降
保护装置的阻抗（电阻和电感） 。
由于相同的钳位电平在正和负方向上的GSOT05CL -V的电压钳位特性是双向的
对称（ BiSy ） 。
L1
1
3
BiSy
20361
地
电气特性GSOT05CL -V
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= 6 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 13 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
C
D
分钟。
-
6
-
6.5
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
7.5
8
12.6
50
37
马克斯。
1
-
1
-
10
15
60
-
单位
线
V
μA
V
V
V
pF
pF
记
在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。偏置模式（引脚1之间为2或2脚为1 ; 3脚未连接）
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80 %
80 %
60 %
53 %
2
8
s
到100％
放电电流I
ESD
100 %
I
PPM
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
0%
0
10
20
30
40
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
20557
时间（纳秒）
20548
时间（μs ）
图。 1 -
静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330 W / 150 pF的）
图。 2 -
8/20
μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
文档编号： 85182
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GSOT05CL-V
威世半导体
两线ESD保护的SOT- 23
120
F = 1MHz的
100
80
引脚1到3
or
针2 3
15
10
5
正浪涌
引脚1到3
or
针2 3
C
D
（PF ）
V
C
(V)
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
针1 2
or
引脚2比1
0
-5
- 10
- 15
0
2
负浪涌
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
4
6
8
V
C
10
12
14
16
21918
V
R
(V)
21921
I
PP
(A)
图。 3 -
典型电容CD与反向电压VR
图。 6 -
典型的峰值钳位电压VC与
峰值脉冲电流IPP
10
2
10
1
1
引脚1到3
or
针2 3
15
正浪涌
10
针1 2
5
I
F
（MA ）
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
C
(V)
0
-5
- 10
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
V
C
负浪涌
- 15
0
21925
21919
V
F
(V)
2
4
6
8
10
12
14
16
图。 4 -
典型正向电流IF与正向电压VF
I
PP
(A)
图。 7 -
典型的峰值钳位电压VC与
峰值脉冲电流IPP
9
8
7
6
针1 2
or
引脚2比1
引脚1到3
or
针2 3
80
60
40
命中率。 IEC 61000-4-2
+ 8千伏
接触放电
V
R
(V)
5
4
3
2
1
0
0.01
0.1
1
V
C- ESD
(V)
20
0
- 20
- 40
- 60
- 10 0
21922
10
100
1000 10 000
引脚1到3
or
针2 3
POS机。放
21920
I
R
(A)
10 20 30 40 50 60 70 80 90
图。 5 -
典型的反向电压VR与
反向电流IR
T（ NS ）
图。 8 -
在+典型钳位性能
8
kV接触放电
（符合IEC 61000-4-2 ）
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GSOT05CL-V
两线ESD保护的SOT- 23
威世半导体
60
40
20
命中率。 IEC 61000-4-2
- 8千伏
接触放电
250
200
150
100
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
V
C- ESD
(V)
0
- 20
- 40
- 60
- 80
- 10 0
引脚1到3
or
针2 3
NEG 。放
V
C- ESD
(V)
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
引脚1到3
or
针2 3
0
5
10
15
20
25
30
V
C- ESD
10 20 30 40 50 60 70 80 90
- 250
21924
21923
T（ NS ）
V
ESD
（千伏）
图。 9 -
在典型的钳位性能 -
8
kV接触放电
（符合IEC 61000-4-2 ）
图。 10 -
典型的峰值。钳位电压ESD在接触放电
（符合IEC 61000-4-2 ）
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOT-23
1.15 (0.045)
0.9 (0.035)
0.9 (0.035)
0.1 （ 0.004 ）最大。
3.1 (0.122)
2.8 (0.110)
0.550参考。 （ 0.022参考。 ）
0.175 (0.007)
0.098 (0.004)
0.2 (0.008)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.3 (0.012)
2.6 (0.102)
2.35 (0.093)
0.45 (0.018)
1.43 (0.056)
0.35 (0.014)
1.20 (0.047)
足迹推荐：
0.7 (0.028)
1 (0.039)
0.9 (0.035)
1 (0.039)
0.9 (0.035)
2 (0.079)
0.95 (0.037)
0.95 (0.037)
文件编号： 6.541-5014.01-4
启8 - 日期： 23.Sept.2009
17418
文档编号： 85182
修订版1.2 ， 01 - 10年7月
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
5
0° t
0.5 (0.020)
o8
°
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